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公开(公告)号：CN101809190A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200880108960.2
申请日：2008-09-18
Applicant: 伊斯曼柯达公司
IPC: C23C16/455 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/1259 , B33Y80/00 , C23C16/407 , C23C16/45551 , C23C16/45595 , C23C16/545 , H01L27/1214 , H01L27/1225
Abstract: 本发明涉及一种制造例如薄膜晶体管、环境阻隔层、电容、绝缘器和总线的薄膜电子器件和设备的方法，其中大部分或所有层由大气压原子层沉积方法制造。
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公开(公告)号：CN1329278A
公开(公告)日：2002-01-02
申请号：CN01121283.7
申请日：2001-06-13
Applicant: 伊斯曼柯达公司
Abstract: 本发明包括一种夹层,该夹层包含至少一种用于感光的离子性地结合在离子交换基体上的还原剂。本发明优选的实施方案中,该夹层进一步包含粘合剂和/或支持体并且离子交换基体包含具有平均粒子尺寸小于约10微米(μm)的微粒。本发明进一步包括用所述的夹层的方法或感光材料的冲洗加工。
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公开(公告)号：CN1257219A
公开(公告)日：2000-06-21
申请号：CN99125892.4
申请日：1999-12-07
Applicant: 伊斯曼柯达公司
CPC classification number: G03D13/002 , G03B27/306
Abstract: 本发明涉及用于热显影的设备,包括用于推力暗盒的接收室,使热胶片从该推力暗盒进卷和将胶片重新卷进推力暗盒的驱动装置,用于将信息记录到热显影胶片上的光学记录器,用于阅读磁信息和将磁信息记录到胶片上的磁性阅读器和记录器,用于扫描热显影胶片的扫描仪,在卷离开暗盒后收集它的蓄片器,位于接收室和蓄片器之间,在热胶片经过暗盒和蓄片器之间时显影该热胶片的加热器,用于接收室、加热器和蓄片器的不透光容器。
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公开(公告)号：CN101868762B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN200880116804.0
申请日：2008-11-10
Applicant: 伊斯曼柯达公司
Inventor： L·M·欧文 , D·H·莱维 , D·C·弗里曼 , C·杨 , P·J·考德里-科万
CPC classification number: G03F7/0757 , G03F7/0754 , G03F7/40
Abstract: 一种用于形成图案化薄膜的原子层沉积工艺，包括提供基材，向基材上施加可光图案化的沉积抑制剂材料，其中所述沉积抑制剂材料包括有机硅氧烷化合物；图案化所述沉积抑制剂材料。所述薄膜基本上只沉积在基材上不具有沉积抑制剂材料的选区内。
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公开(公告)号：CN101809195A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200880109120.8
申请日：2008-09-16
Applicant: 伊斯曼柯达公司
Inventor： C·杨 , L·M·欧文 , D·H·莱维 , P·J·考德里-科尔万 , D·C·弗里曼
IPC: C23C16/455 , C23C16/04
CPC classification number: C23C16/45551 , C23C16/042 , H01L21/02175 , H01L21/02178 , H01L21/0228 , H01L21/02304 , H01L21/3141 , H01L21/31616 , H01L51/0004
Abstract: 用于形成图案化薄膜的原子层沉积方法包括：提供基材；在基材上施加沉积抑制剂材料，其中所述沉积抑制剂材料是有机化合物或聚合物；和在步骤(b)之后或者在施加沉积抑制剂材料的同时使沉积抑制剂材料形成图案，以提供实际上不含沉积抑制剂材料的基材选定区域。无机薄膜材料基本上只沉积在不含沉积抑制剂材料的基材的选定区域中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1467560A
公开(公告)日：2004-01-14
申请号：CN03142483.X
申请日：2003-06-12
Applicant: 伊斯曼柯达公司
CPC classification number: G03B17/00
Abstract: 提供一些方法和装置，用对在预定曝光量级范围内的光敏感的感光元素拍摄包括超出曝光量级预定范围的曝光量级的图像。使感光元素对来自场景的光曝光。来自场景的光被分成集中部分和剩余部分，当来自场景的光处于第一曝光范围时，来自场景的光的集中部分被引导在感光元素上形成集中图像元素图案，而当来自场景的光处于第二曝光范围时，来光的剩余部分被引导形成剩余图像。还使来自场景的光适合于使集中图像元素图案在感光元素上集中图像区域的预定图案内形成。
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公开(公告)号：CN1329275A
公开(公告)日：2002-01-02
申请号：CN01121286.1
申请日：2001-06-13
Applicant: 伊斯曼柯达公司
IPC: G03C1/04
CPC classification number: G03C7/3882 , G03C1/053 , G03C1/42 , G03C5/04 , G03C5/262 , G03C7/396 , G03C7/4136
Abstract: 一种照相元件,它包含至少一个在支持体上的光敏层,其中照相元件也包含一种粒状离子交换材料,其具有大约0.01至大约10μm的平均颗粒尺寸并包含至少一种与离子交换基质产生离子化键合的还原剂。
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公开(公告)号：CN1301987A
公开(公告)日：2001-07-04
申请号：CN00135976.2
申请日：2000-12-15
Applicant: 伊斯曼柯达公司
CPC classification number: G03C1/42 , G03C1/43 , G03C1/49827 , G03C7/30511 , G03C7/4136
Abstract: 本发明涉及一种成像材料,例如一个含有卤化银乳剂层的摄影的或光热成像的材料,其中该材料还含有结构式Ⅰ的化合物,式中的取代基如在说明书中所定义。
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公开(公告)号：CN101809187B
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN200880109095.3
申请日：2008-09-17
Applicant: 伊斯曼柯达公司
Inventor： C·杨 , L·M·欧文 , D·H·莱维 , P·J·考德里-科尔万 , D·C·弗里曼
IPC: C23C16/04 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/042 , C23C16/45551 , C23C16/545
Abstract: 一种用于形成构图薄膜的原子层沉积方法，包括：(a)提供基板；(b)向基板涂布含有沉积抑制剂材料的组合物，其中该沉积抑制剂材料是有机硅氧烷聚合物；和(c)在步骤(b)后或在与涂布沉积抑制剂材料的同时对沉积抑制剂材料进行构图，从而有效地提供没有沉积抑制剂材料的选择区域。该无机薄膜基本上仅沉积在没有沉积抑制剂材料的基板的选择区域中。
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公开(公告)号：CN101809187A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200880109095.3
申请日：2008-09-17
Applicant: 伊斯曼柯达公司
Inventor： C·杨 , L·M·欧文 , D·H·莱维 , P·J·考德里-科尔万 , D·C·弗里曼
IPC: C23C16/04 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/042 , C23C16/45551 , C23C16/545
Abstract: 一种用于形成构图薄膜的原子层沉积方法，包括：(a)提供基板；(b)向基板涂布含有沉积抑制剂材料的组合物，其中该沉积抑制剂材料是有机硅氧烷聚合物；和(c)在步骤(b)后或在与涂布沉积抑制剂材料的同时对沉积抑制剂材料进行构图，从而有效地提供没有沉积抑制剂材料的选择区域。该无机薄膜基本上仅沉积在没有沉积抑制剂材料的基板的选择区域中。
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