公开(公告)号：CN1493080A

公开(公告)日：2004-04-28

申请号：CN02805449.0

申请日：2002-02-22

申请人： 伊诺斯泰克有限公司

发明人： 河朝雄 ,  金承贤 ,  李东洙 ,  禹贤廷 ,  朴东衍

IPC分类号： H01C7/00

CPC分类号： H01C17/003 ,  H01C17/288 ,  Y10T29/49082 ,  Y10T29/49099 ,  Y10T29/49101 ,  Y10T29/49103

摘要： 本发明提供一种金属电阻器及其制造方法。第一绝缘薄膜形成在基体上，光敏薄膜作用在绝缘薄膜上，通过使绝缘薄膜形成图案而形成绝缘薄膜图案。金属薄膜在绝缘薄膜图案内和光敏薄膜内形成后，除去光敏薄膜，在绝缘薄膜图案内形成金属薄膜图案。在金属薄膜图案和绝缘薄膜图案上，形成第二绝缘薄膜，在金属薄膜图案的衬垫区连接有导线，然后制成金属薄膜电阻器，其上具有在导线上和导线周围的保留薄膜。通过蚀刻绝缘薄膜，利用图案形成工艺，以形成金属薄膜图案，可以克服装置的磨损或者寿命降低的问题，易于控制金属薄膜电阻器的电阻，通过制造高电阻的金属薄膜电阻器温度，可以提高灵敏度，所述电阻器具有减小线宽的金属薄膜图案。

公开(公告)号：CN1317720C

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：CN02805449.0

申请日：2002-02-22

申请人： 伊诺斯泰克有限公司

发明人： 河朝雄 ,  金承贤 ,  李东洙 ,  禹贤廷 ,  朴东衍

IPC分类号： H01C7/00

CPC分类号： H01C17/003 ,  H01C17/288 ,  Y10T29/49082 ,  Y10T29/49099 ,  Y10T29/49101 ,  Y10T29/49103

摘要： 一种制造金属薄膜电阻器件的方法，包括利用热氧化工艺在绝缘基体上形成第一绝缘膜；在第一绝缘膜上涂覆光敏膜；利用光敏膜对第一绝缘膜构图，以形成绝缘膜图案；在绝缘膜图案和光敏膜中形成金属薄膜；在绝缘膜图案内形成金属薄膜图案；在绝缘膜图案上和金属薄膜图案上形成第二绝缘膜；将导线连接到金属薄膜图案的衬垫区；以及在导线上部和导线周边部分上形成钝化层利用构图工艺通过蚀刻绝缘膜来形成金属薄膜图案，可以克服器件退化或者寿命降低的问题，易于控制金属薄膜电阻器件的电阻值。