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公开(公告)号：CN101805928A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN201010121696.5
申请日：2007-06-08
申请人： 住友电气工业株式会社
IPC分类号： C30B29/40
CPC分类号： C30B29/406 , C30B25/00 , C30B25/183
摘要： 本发明公开了一种氮化镓晶体衬底，该氮化镓晶体衬底包括：第一晶体区，该第一晶体区具有晶体缺陷聚集区(H)，以及第二晶体区，该第二晶体区具有低晶体缺陷区部分(Z)和C面生长区部分(Y)。C面生长区部分(Y)的碳浓度与晶体缺陷聚集区(H)的碳浓度之比为101-105，并且C面生长区部分(Y)的碳浓度与低晶体缺陷区部分(Z)的碳浓度之比为101-105。并且，该C面生长区部分(Y)的碳浓度是1016-1020cm-3。
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公开(公告)号：CN102315103A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201110308166.6
申请日：2006-12-26
申请人： 住友电气工业株式会社
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L21/02617 , C23C16/303 , C23C16/4405 , C23C16/4488 , C30B23/02 , C30B25/02 , C30B29/403
摘要： 一种第III族氮化物晶体物质的制造方法包括以下步骤：通过向反应室(110)中引入HCl气体(1)而清洁反应室(110)的内部，以及第III族氮化物晶体物质在清洁的反应室(110)中气相沉积。一种第III族氮化物晶体物质的制造装置包括：将HCl气体(1)引入到反应室(110)中的结构，和由HVPE生长第III族氮化物晶体物质(11)的结构。因此，提供一种第III族氮化物晶体物质的制造方法以及在该制造方法中采用的制造装置，其中所述的制造方法包括有效地清洁在晶体生长的过程中粘附在反应室内部的沉积物的方法。
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公开(公告)号：CN101086963A
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN200710110258.7
申请日：2007-06-08
申请人： 住友电气工业株式会社
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/205 , H01L23/00 , H01L33/00 , H01S5/00 , H01S5/323 , H01S5/343 , C30B25/02 , C30B29/40
CPC分类号： C30B29/406 , C30B25/00 , C30B25/183
摘要： 本发明公开了一种氮化镓晶体的生长方法，包括：在地衬底(U)上，部分形成抑制氮化镓晶体外延生长的掩模(M)的步骤；和在掺杂碳的同时，在形成了掩模(M)的地衬底(U)上外延生长氮化镓晶体的步骤。在外延生长中，第一晶体区从掩模(M)外围朝着内部生长。在所述第一晶体区中c轴方向相对于地衬底(U)中没有形成掩模(M)的区域上生长的第二晶体区反转。
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公开(公告)号：CN101070619A
公开(公告)日：2007-11-14
申请号：CN200710092177.9
申请日：2007-04-02
申请人： 住友电气工业株式会社
CPC分类号： C30B29/406 , C30B33/00 , Y10S117/902
摘要： 一种GaN晶体衬底，具有其上生长晶体的晶体生长表面(10c)和与晶体生长表面(10c)相对的后表面(10r)。晶体生长表面(10c)具有至多10nm的粗糙度Ra(C)，以及后面表面(10r)具有至少0.5μm和至多10μm的粗糙度Ra(R)，以及该表面粗糙度Ra(R)与表面粗糙度Ra(C)的比率Ra(R)/Ra(C)至少是50。因此，可以在而不损害GaN晶体衬底上生长的半导体层的形态条件下，提供其中可区分其前和后表面的GaN晶体衬底。
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公开(公告)号：CN102315103B
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201110308166.6
申请日：2006-12-26
申请人： 住友电气工业株式会社
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L21/02617 , C23C16/303 , C23C16/4405 , C23C16/4488 , C30B23/02 , C30B25/02 , C30B29/403
摘要： 一种第III族氮化物晶体物质的制造方法包括以下步骤：通过向反应室(110)中引入HCl气体(1)而清洁反应室(110)的内部，以及第III族氮化物晶体物质在清洁的反应室(110)中气相沉积。一种第III族氮化物晶体物质的制造装置包括：将HCl气体(1)引入到反应室(110)中的结构，和由HVPE生长第III族氮化物晶体物质(11)的结构。因此，提供一种第III族氮化物晶体物质的制造方法以及在该制造方法中采用的制造装置，其中所述的制造方法包括有效地清洁在晶体生长的过程中粘附在反应室内部的沉积物的方法。
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公开(公告)号：CN1992168B8
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：CN200610172517.4
申请日：2006-12-26
申请人： 住友电气工业株式会社
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/205 , C30B25/02 , C30B33/00 , H01S5/323
摘要： 一种第III族氮化物晶体物质的制造方法包括以下步骤：通过向反应室(110)中引入HCl气体(1)而清洁反应室(110)的内部，以及第III族氮化物晶体物质在清洁的反应室(110)中气相沉积。一种第III族氮化物晶体物质的制造装置包括：将HCl气体(1)引入到反应室(110)中的结构，和由HVPE生长第III族氮化物晶体物质(11)的结构。因此，提供一种第III族氮化物晶体物质的制造方法以及在该制造方法中采用的制造装置，其中所述的制造方法包括有效地清洁在晶体生长的过程中粘附在反应室内部的沉积物的方法。
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公开(公告)号：CN101353819A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200810131104.0
申请日：2008-07-28
申请人： 住友电气工业株式会社
发明人： 藤田俊介
IPC分类号： C30B29/38 , C30B29/40 , C30B25/02 , H01L21/205
CPC分类号： C30B29/406 , C30B25/02
摘要： 提供氮化镓晶体生长方法、氮化镓晶体衬底、外延晶片制造方法和外延晶片，其能够抑制在减小厚度操作期间在晶体上出现裂缝，以及能够生长具有相当大厚度的氮化镓晶体。在本发明一个方面的氮化镓晶体生长方法是，采用载气、氮化镓前驱物和含作为掺杂剂的硅的气体，并且通过氢化物气相外延(HVPE)在下衬底上生长氮化镓晶体的方法。该氮化镓晶体生长方法的特征在于，在氮化镓晶体生长期间载气露点为－60℃或以下。
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公开(公告)号：CN1992168B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200610172517.4
申请日：2006-12-26
申请人： 住友电气工业株式会社
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/205 , C30B25/02 , C30B33/00 , H01S5/323
CPC分类号： H01L21/02617 , C23C16/303 , C23C16/4405 , C23C16/4488 , C30B23/02 , C30B25/02 , C30B29/403
摘要： 一种第III族氮化物晶体物质的制造方法包括以下步骤：通过向反应室(110)中引入HCl气体(1)而清洁反应室(110)的内部，以及第III族氮化物晶体物质在清洁的反应室(110)中气相沉积。一种第III族氮化物晶体物质的制造装置包括：将HCl气体(1)引入到反应室(110)中的结构，和由HVPE生长第III族氮化物晶体物质(11)的结构。因此，提供一种第III族氮化物晶体物质的制造方法以及在该制造方法中采用的制造装置，其中所述的制造方法包括有效地清洁在晶体生长的过程中粘附在反应室内部的沉积物的方法。
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公开(公告)号：CN101070619B
公开(公告)日：2011-03-09
申请号：CN200710092177.9
申请日：2007-04-02
申请人： 住友电气工业株式会社
CPC分类号： C30B29/406 , C30B33/00 , Y10S117/902
摘要： 一种GaN晶体衬底，具有其上生长晶体的晶体生长表面(10c)和与晶体生长表面(10c)相对的后表面(10r)。晶体生长表面(10c)具有至多10nm的粗糙度Ra(C)，以及后面表面(10r)具有至少0.5μm和至多10μm的粗糙度Ra(R)，以及该表面粗糙度Ra(R)与表面粗糙度Ra(C)的比率Ra(R)/Ra(C)至少是50。因此，可以在而不损害GaN晶体衬底上生长的半导体层的形态条件下，提供其中可区分其前和后表面的GaN晶体衬底。
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公开(公告)号：CN101086963B
公开(公告)日：2010-04-21
申请号：CN200710110258.7
申请日：2007-06-08
申请人： 住友电气工业株式会社
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/205 , H01L23/00 , H01L33/00 , H01S5/00 , H01S5/323 , H01S5/343 , C30B25/02 , C30B29/40
CPC分类号： C30B29/406 , C30B25/00 , C30B25/183
摘要： 本发明公开了一种氮化镓晶体的生长方法，包括：在地衬底(U)上，部分形成抑制氮化镓晶体外延生长的掩模(M)的步骤；和在掺杂碳的同时，在形成了掩模(M)的地衬底(U)上外延生长氮化镓晶体的步骤。在外延生长中，第一晶体区从掩模(M)外围朝着内部生长。在所述第一晶体区中c轴方向相对于地衬底(U)中没有形成掩模(M)的区域上生长的第二晶体区反转。
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