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公开(公告)号：CN1965112B
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200580018887.6
申请日：2005-04-15
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 森勇介
CPC classification number: C30B29/403 , C30B9/00 , C30B11/00 , H01L33/0075 , H01L33/32
Abstract: 一种制造III族氮化物晶体的方法包括以下步骤：制备籽晶晶体(10)，通过液相方法在该籽晶晶体(10)上生长第一III族氮化物晶体(21)；其中在籽晶晶体(10)上生长第一III族氮化物晶体(21)的步骤中，平行于籽晶晶体(10)的主表面(10h)的方向上的晶体生长速度VH高于垂直于籽晶晶体(10)的主表面(10h)的方向上的晶体生长速度VV。通过该制造方法，获得III族氮化物晶体，其中平行于籽晶晶体(10)的主表面(10h)的表面的位错密度低至最多为5×106/cm2。
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公开(公告)号：CN1965112A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200580018887.6
申请日：2005-04-15
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 森勇介
CPC classification number: C30B29/403 , C30B9/00 , C30B11/00 , H01L33/0075 , H01L33/32
Abstract: 一种制造III族氮化物晶体的方法包括以下步骤：制备籽晶晶体(10)，通过液相方法在该籽晶晶体(10)上生长第一III族氮化物晶体(21)；其中在籽晶晶体(10)上生长第一III族氮化物晶体(21)的步骤中，平行于籽晶晶体(10)的主表面(10h)的方向上的晶体生长速度VH高于垂直于籽晶晶体(10)的主表面(10h)的方向上的晶体生长速度VV。通过该制造方法，获得III族氮化物晶体，其中平行于籽晶晶体(10)的主表面(10h)的表面的位错密度低至最多为5×106/cm2。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1664179A
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：CN200510004041.9
申请日：2005-01-10
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 森勇介
IPC: C30B29/40
CPC classification number: C30B29/403 , C30B11/00 , C30B11/04 , C30B29/406
Abstract: 提供一种生产III族氮化物晶体的方法，在该方法中使氮等离子体(8a)与含有III族元素和碱金属的熔体(7)接触以生长III族氮化物晶体。此外，也提供另一种生产III族氮化物晶体的方法，在该方法中III族氮化物晶体在放置在含有III族元素和碱金属的熔体(7)中的基质(10)上生长，而且所述熔体(7)表面与所述基质(10)表面之间的最小距离设置为至多50mm。
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公开(公告)号：CN1942611B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200580011074.4
申请日：2005-03-30
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 森勇介
IPC: C30B29/38 , C30B9/10 , C30B11/06 , H01L21/208
CPC classification number: C30B9/08 , C30B9/00 , C30B11/00 , C30B11/06 , C30B29/403
Abstract: 本发明提供制造III族氮化物晶体衬底的方法，其包括：将含碱金属元素物质(1)、含III族元素物质(2)和含氮元素物质(3)导入反应器(51)中；在所述反应器(51)中，形成至少含有所述碱金属元素、所述III族元素和所述氮元素的熔融液(5)；并从所述熔融液(5)生长III族氮化物晶体(6)，其特征在于至少在将含碱金属元素物质(1)导入反应器(51)的步骤中，在水分浓度被控制在至多1.0ppm的干燥容器(100)中操作所述含碱金属元素物质(1)。由此可提供具有小吸收系数的III族氮化物晶体衬底及其制造方法，以及III族氮化物半导体器件。
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公开(公告)号：CN100376727C
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200510004041.9
申请日：2005-01-10
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 森勇介
IPC: C30B29/40
CPC classification number: C30B29/403 , C30B11/00 , C30B11/04 , C30B29/406
Abstract: 提供一种生产III族氮化物晶体的方法，在该方法中使氮等离子体(8a)与含有III族元素和碱金属的熔体(7)接触以生长III族氮化物晶体。此外，也提供另一种生产III族氮化物晶体的方法，在该方法中III族氮化物晶体在放置在含有III族元素和碱金属的熔体(7)中的基质(10)上生长，而且所述熔体(7)表面与所述基质(10)表面之间的最小距离设置为至多50mm。
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公开(公告)号：CN1957117A
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN200580016039.1
申请日：2005-03-30
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 森勇介
IPC: C30B29/38 , C30B11/06 , H01L21/208 , H01L33/00 , H01S5/323
CPC classification number: C30B9/12 , C30B11/00 , C30B29/403 , H01L21/02389 , H01L21/02392 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02625 , H01L33/0075 , H01S5/32341
Abstract: 提供一种制造III族氮化物半导体晶体的方法，包括下列步骤：在反应器(1)中容纳至少含有III族金属元素和碱金属元素的合金(11)；向所述反应器(1)中导入含氮物质(14)；在其中所述合金(11)熔融的合金熔融液(13)中溶解含氮物质(14)；和生长III族氮化物半导体晶体(15)。由此可以提供吸收系数小的III族氮化物半导体晶体(15)，其高效制造方法，以及发光强度高的III族氮化物半导体器件。
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公开(公告)号：CN1942611A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200580011074.4
申请日：2005-03-30
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 森勇介
IPC: C30B29/38 , C30B9/10 , C30B11/06 , H01L21/208
CPC classification number: C30B9/08 , C30B9/00 , C30B11/00 , C30B11/06 , C30B29/403
Abstract: 本发明提供制造III族氮化物晶体衬底的方法，其包括：将含碱金属元素物质(1)、含III族元素物质(2)和含氮元素物质(3)导入反应器(51)中；在所述反应器(51)中，形成至少含有所述碱金属元素、所述III族元素和所述氮元素的熔融液(5)；并从所述熔融液(5)生长III族氮化物晶体(6)，其特征在于至少在将含碱金属元素物质(1)导入反应器(51)的步骤中，在水分浓度被控制在至多1.0ppm的干燥容器(100)中操作所述含碱金属元素物质(1)。由此可提供具有小吸收系数的III族氮化物晶体衬底及其制造方法，以及III族氮化物半导体器件。
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