公开(公告)号：CN107004712A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201480083597.9

申请日：2014-12-23

申请人： 英特尔公司

发明人： S·K·加德纳 ,  W·拉赫马迪 ,  M·V·梅茨 ,  G·杜威 ,  J·T·卡瓦列罗斯 ,  C·S·莫哈帕特拉 ,  A·S·默西 ,  N·拉哈尔-乌拉比 ,  N·M·泽利克 ,  M·C·弗伦奇 ,  T·加尼

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L29/66742 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/823412 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/20 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66469 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/775 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78696

摘要： 实施例包括一种器件，包括：第一鳍状物和第二鳍状物，第一鳍状物和第二鳍状物彼此相邻并且每个均包括沟道层和子鳍状物层，沟道层具有直接接触子鳍状物层的上表面的底表面；其中(a)底表面总体上彼此共面并且总体上是平坦的；(b)上表面总体上彼此共面并且总体上是平坦的；并且(c)沟道层包括上部III‑V材料，并且子鳍状物层包括与上部III‑V材料不同的下部III‑V材料。本文中描述了其它实施例。

公开(公告)号：CN102637794B

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201210032437.4

申请日：2012-02-14

申请人： 三星电子株式会社 ,  首尔大学校产学协力团

发明人： 李商文 ,  尹义埈 ,  朴珍燮 ,  朴成铉

IPC分类号： H01L33/04 ,  H01L33/20 ,  H01L33/12 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L21/0254 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02398 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647

摘要： 本发明公开了半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：第一非平坦、非极性氮化物半导体层，具有三维(3D)表面形式并由非极性氮化物半导体形成；第一结构层，形成在所述第一非平坦、非极性氮化物半导体层的表面的至少一部分上并包括多个固体颗粒；及第一非极性氮化物半导体层，形成在所述第一非平坦、非极性氮化物半导体层和所述第一结构层上。

公开(公告)号：CN103426966A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201310258404.6

申请日：2010-07-21

申请人： 住友电气工业株式会社

发明人： 秋田胜史 ,  石塚贵司 ,  藤井慧 ,  永井阳一

IPC分类号： H01L31/101 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/035209 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02466 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02546 ,  H01L31/03042 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/109 ,  H01L31/184 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明提供一种可减少暗电流的受光元件，其具备衬底、受光层、扩散浓度分布调整层及窗层，受光层设置在衬底与扩散浓度分布调整层之间，扩散浓度分布调整层设置在受光层与窗层之间，包含窗层及扩散浓度分布调整层的半导体区域包含沿着与受光层的接合面依次配置的第一及第二区域，第一区域含有规定的杂质元素且与第二区域邻接，第一区域的导电型为p型，自窗层与扩散浓度分布调整层的接合面在第二区域中朝上述窗层内或扩散浓度分布调整层内延伸的规定区域内的n型载体浓度的最大值在5×1015cm-3以上、1×1019cm-3以下的范围内。

公开(公告)号：CN101124152B

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN200480040987.4

申请日：2004-11-18

申请人： 昆南诺股份有限公司

发明人： L·I·萨米尔松 ,  K·W·德佩尔特

IPC分类号： B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  C30B11/12 ,  C30B29/44 ,  C30B29/40

CPC分类号： C30B29/62 ,  B01J21/185 ,  B01J37/0238 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  C30B11/12 ,  C30B29/40 ,  C30B29/44 ,  C30B29/605 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02653 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/101 ,  H01L33/18 ,  H01L33/20 ,  H01L33/24 ,  Y02E10/50 ,  Y10S438/96 ,  Y10S438/962 ,  Y10S977/754 ,  Y10S977/89 ,  Y10S977/891 ,  Y10S977/921 ,  Y10T428/25

摘要： 一种形成具有树形式的纳米结构的方法，包括第一阶段和第二阶段。第一阶段包括在衬底表面上提供一个或多个催化颗粒，并经由每个催化颗粒生长第一纳米晶须。第二阶段包括在每个第一纳米晶须的周边上提供一个或多个第二催化颗粒，和从每个第二催化颗粒生长从各自第一纳米晶须的周边横向伸出的第二纳米晶须。可包括另外的阶段以生长一个或多个从前一阶段的纳米晶须伸出的另外纳米晶须。可在纳米晶须内形成异质结构。这种纳米结构可形成太阳能电池阵列或发光面板的元件，其中纳米晶须由光敏材料形成。可通过定位第一纳米晶须紧密到一起形成神经网络，从而邻近的树通过随后阶段中生长的纳米晶须接触另外一个，并且纳米晶须内的异质结形成对电流的隧道势垒。

公开(公告)号：CN102292833A

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN201080005491.9

申请日：2010-07-21

申请人： 住友电气工业株式会社

发明人： 秋田胜史 ,  石塚贵司 ,  藤井慧 ,  永井阳一

IPC分类号： H01L31/10

CPC分类号： H01L31/035209 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02466 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02546 ,  H01L31/03042 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/109 ,  H01L31/184 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明提供一种III-V族化合物半导体受光元件，其具有含有含Sb作为V族构成元素的III-V化合物半导体层的受光层及n型InP窗层，且可减少暗电流。由于受光层(21)的GaAsSb层成长时所供给的锑的记忆效应，所以成长在受光层(21)上的InP层(23)中含有锑作为杂质。在III-V族化合物半导体受光元件(11)中，InP层(23)含有锑作为杂质，并且在InP层(23)中添加有硅作为n型掺杂剂。虽然InP层(23)中的锑杂质以生成空穴的方式作用，但添加至InP层(23)中的硅补偿该生成载体，从而InP层(23)的第二部分(23d)表现充分的n导电性。

公开(公告)号：CN1898778A

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：CN200480038996.X

申请日：2004-12-22

申请人： 松下电器产业株式会社 ,  森勇介

发明人： 北冈康夫 ,  峯本尚 ,  木户口勳 ,  佐佐木孝友 ,  森勇介 ,  川村史朗

IPC分类号： H01L21/208 ,  C30B11/06 ,  C30B19/02 ,  C30B29/38

CPC分类号： C30B9/00 ,  C30B9/10 ,  C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02625

摘要： 本发明提供一种III族氮化物晶体的制造方法，其是在含有氮的气氛下，使含有选自Ga、Al以及In之中的至少一种III族元素和碱金属的助熔剂中含有Mg，然后在该助熔剂中进行III族氮化物晶体的生长，从而形成III族氮化物基板。由于Mg是III族氮化物晶体的P型掺杂材料，因此即使在晶体中混入Mg，晶体仍然表现出P型或半绝缘性的电特性，在电子器件的应用中不成问题。另外，通过使上述助熔剂含有Mg，在助熔剂中氮的溶解量增大，从而能够以快速生长速率进行晶体生长，晶体生长的重现性也得以提高。

公开(公告)号：CN1685090A

公开(公告)日：2005-10-19

申请号：CN03822501.8

申请日：2003-09-19

申请人： 三菱化学株式会社

发明人： 栗原香 ,  下山谦司

IPC分类号： C30B29/40 ,  H01L21/205 ,  H01S5/323

CPC分类号： C30B29/40 ,  C30B25/02 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631

摘要： 本发明公开一种掺杂碳的III－V族化合物的新颖半导体晶体以及其制备方法。特别是III－V族化合物含Al和In作为III族的主要组成元素、并且也含V族组成元素，其特征在于，III－V族化合物半导体晶体中的碳浓度为1×1016cm－3或更高，并且氧浓度为1×1018cm－3或更低，其氧浓度不高于碳浓度；并公开一种其制备方法。利用该III－V化合物半导体晶体，可以提供具有优良的电导性能的半导体设备、和具有优良的高速调制性能的半导体激光器。

公开(公告)号：CN1138747A

公开(公告)日：1996-12-25

申请号：CN95116817.7

申请日：1995-09-01

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 元田隆 ,  加藤学 ,  竹见政义

IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L33/00 ,  H01S3/18

CPC分类号： B82Y20/00 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/30612 ,  H01S5/026 ,  H01S5/12 ,  H01S5/1228 ,  H01S5/2077 ,  H01S5/2081 ,  H01S5/2086 ,  H01S5/2232 ,  H01S5/2237 ,  H01S5/227 ,  H01S5/2275 ,  H01S5/34306 ,  H01S5/3434 ,  H01S5/4031 ,  H01S2304/04

摘要： 提供了一种比湿法腐蚀可控性更高的半导体腐蚀方法，包括：用一种含有组成III-V族化合物半导体层中V族材料的腐蚀气体且将上述III-V族化合物半导体层保持在高于其晶体生长温度的温度下，对其进行腐蚀。由于不使用腐蚀液，该腐蚀方法可在晶体生长设备中使用。再者，由于用III-V族化合物半导体层的材料气体作腐蚀气体，故能防止在被腐蚀的表面上出现残留杂质，从而保持了被腐蚀表面的清洁。

公开(公告)号：CN1004455B

公开(公告)日：1989-06-07

申请号：CN86106177

申请日：1986-09-09

申请人： 住友电气工业株式会社

发明人： 松居祐一

IPC分类号： H01L21/203

CPC分类号： C30B29/40 ,  C30B23/02 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02631

摘要： 一种生产化合物半导体的方法，它包括一个在化合物半导体的衬底或底层上除去杂质分子的步骤，它在生长外延层之前，将III族分子束或V族分子束投射到化合物半异体的衬底或底层上，以及一个在化合物半导体的衬底或底层上生长III族和V族原子的化合物半导体薄膜层的步骤。

公开(公告)号：CN1032884A

公开(公告)日：1989-05-10

申请号：CN88108172

申请日：1988-11-23

申请人： 住友电气工业株式会社

发明人： 松居祐一

IPC分类号： H01L21/203 ,  C23C14/00

CPC分类号： C30B29/40 ,  C30B23/02 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02631

摘要： 一种生产化合物半导体的方法，它包括：一个在化合物半导体的衬底或底层上除去杂质分子的步骤，它在生长外延层之前，将III族分子束或V族分子束投射到化合物半导体的衬底或底层上，以及一个在化合物半导体的衬底或底层上生长III族和V族原子的化合物半导体薄膜层的步骤。