公开(公告)号：CN118901120A

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202380027613.1

申请日：2023-02-13

Applicant: 住友重机械离子科技株式会社

Inventor： 中岛刚 ,  石川雅基 ,  松下浩

IPC: H01L21/265 ,  G01N23/09 ,  G01T3/00 ,  H01J37/244 ,  H01J37/317 ,  H05H9/00

Abstract: 本发明涉及监测中子射线的方法及离子注入装置，该方法包括：将时序数据记录于记录装置，该时序数据将包括沿着离子注入装置内的射束线传输的离子束的离子种类、能量及射束电流的射束条件与在离子注入装置内的规定的测定位置测定的中子剂量率建立对应关系；沿着射束线传输高能量离子束；获取在传输高能量离子束时在规定的测定位置测定的中子剂量率的测定值；使用时序数据和高能量离子束的射束条件，运算在传输高能量离子束时在规定的测定位置推断的中子剂量率的推断值；及比较测定值与推断值。

公开(公告)号：CN118891696A

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202380027612.7

申请日：2023-02-13

Applicant: 住友重机械离子科技株式会社

Inventor： 松下浩 ,  石川雅基 ,  中岛刚 ,  八木田贵典

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/147 ,  H01L21/265

Abstract: 本发明涉及离子注入方法及离子注入装置，离子注入方法包括如下步骤：获取在沿着离子注入装置内的射束线传输包括高能量的第1离子种类的第1离子束时在离子注入装置内的规定位置测定的中子剂量率的测定值；判定测定值是否超过规定的阈值；在测定值超过规定的阈值的情况下，沿着射束线传输包括质量数大于第1离子种类的第2离子种类的第2离子束；及在传输第2离子束之后，将第1离子束沿着射束线传输并照射到晶片。