离子注入方法、离子注入装置及半导体器件的制造方法

    公开(公告)号:CN116053106A

    公开(公告)日:2023-05-02

    申请号:CN202211315862.4

    申请日:2022-10-26

    Abstract: 本发明的课题在于提高离子注入工序中的生产率。离子注入方法包括如下步骤:根据第1扫描信号生成第1扫描射束;在多个测定位置,利用射束测定装置测定第1扫描射束的射束电流;根据经测定的射束电流的时间波形和确定为第1扫描信号的扫描指示值的时间波形计算射束电流矩阵;通过对经测定的射束电流进行时间积分,计算第1扫描射束的第1射束电流密度分布;根据第1射束电流密度分布,校正射束电流矩阵的各成分的值;及根据经校正的射束电流矩阵,生成用于实现作为目标的射束电流密度分布的第2扫描信号。

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