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公开(公告)号：CN112349574B
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202010715921.1
申请日：2020-07-23
Applicant: 住友重机械离子科技株式会社
Inventor： 石桥和久
IPC: H01J37/32 , H01J37/317
Abstract: 一种离子注入装置及离子注入方法。控制装置在获取了晶片处理面内的二维不均匀剂量分布的目标值时，生成根据在晶片处理面内在第2方向上不同的多个位置上的第1方向的一维剂量分布而规定的多个聚合函数和将二维不均匀剂量分布的所述目标值与多个聚合函数建立对应关联的相关信息。控制装置计算出模拟了基于多个聚合函数及相关信息的离子注入时的晶片处理面内的二维不均匀剂量分布的推断值，并修正多个聚合函数，以使推断值与目标值相似，由此生成多个校正函数。控制装置根据多个校正函数及相关信息来改变第1方向的射束扫描速度及第2方向的晶片扫描速度，并向晶片处理面注入与目标值相似的二维不均匀剂量分布的离子。
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公开(公告)号：CN114914141A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210117792.5
申请日：2022-02-08
Applicant: 住友重机械离子科技株式会社
IPC: H01J37/317 , H01J37/304
Abstract: 本发明可加速动作参数的调整。离子注入装置具备：射束生成装置，生成照射到工作件的离子束；控制装置(52)，设定用于控制射束生成装置的动作的多个动作参数；测定装置，测定离子束的至少一种射束特性；存储装置(56)，累积将多个动作参数的设定值集与离子束的至少一种射束特性的测定值建立对应关联的数据集；及分析装置(54)，根据累积于存储装置(56)的多个数据集，生成用于根据多个动作参数中所包含的至少一个特定参数的设定值推算至少一种射束特性的函数。在变更多个动作参数中所包含的至少一个特定参数的设定值时，控制装置(52)对函数输入至少一个特定参数的变更后的设定值来计算出至少一种射束特性的推算值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112349573B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202010715903.3
申请日：2020-07-23
Applicant: 住友重机械离子科技株式会社
Inventor： 石桥和久
IPC: H01J37/32 , H01J37/317
Abstract: 一种离子注入装置及离子注入方法。控制装置保持多个注入处方，多个注入处方中的每一个包含晶片处理面内的二维不均匀剂量分布、根据在晶片处理面内在第2方向上不同的多个位置上的第1方向的多个一维剂量分布而规定的多个校正函数及将二维不均匀剂量分布与多个校正函数建立对应关联的相关信息。控制装置在新获取了二维不均匀剂量分布的目标值时，从多个注入处方中确定包含与目标值相似的二维不均匀剂量分布的注入处方。控制装置根据所确定的注入处方中所包含的多个校正函数及相关信息来改变第1方向的射束扫描速度及第2方向的晶片扫描速度，并向晶片处理面注入与目标值相似的二维不均匀剂量分布的离子。
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公开(公告)号：CN116053106A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202211315862.4
申请日：2022-10-26
Applicant: 住友重机械离子科技株式会社
IPC: H01J37/317 , H01J37/304 , H01L21/265
Abstract: 本发明的课题在于提高离子注入工序中的生产率。离子注入方法包括如下步骤：根据第1扫描信号生成第1扫描射束；在多个测定位置，利用射束测定装置测定第1扫描射束的射束电流；根据经测定的射束电流的时间波形和确定为第1扫描信号的扫描指示值的时间波形计算射束电流矩阵；通过对经测定的射束电流进行时间积分，计算第1扫描射束的第1射束电流密度分布；根据第1射束电流密度分布，校正射束电流矩阵的各成分的值；及根据经校正的射束电流矩阵，生成用于实现作为目标的射束电流密度分布的第2扫描信号。
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公开(公告)号：CN113363128A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110238943.8
申请日：2021-03-04
Applicant: 住友重机械离子科技株式会社
IPC: H01J37/317 , H01J37/244 , H01J37/304 , G06F30/20
Abstract: 本发明评价离子束的物理量的测定的妥当性。离子注入装置(10)具备：射束生成装置，根据注入配方生成离子束；多个测定装置，测定离子束的至少一个物理量；及控制装置(60)，获取包含通过多个测定装置测定的多个测定值的数据集，使用表示多个测定值的相关关系的模型，评价离子束的至少一个物理量的测定的妥当性。
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公开(公告)号：CN112349574A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202010715921.1
申请日：2020-07-23
Applicant: 住友重机械离子科技株式会社
Inventor： 石桥和久
IPC: H01J37/32 , H01J37/317
Abstract: 一种离子注入装置及离子注入方法。控制装置在获取了晶片处理面内的二维不均匀剂量分布的目标值时，生成根据在晶片处理面内在第2方向上不同的多个位置上的第1方向的一维剂量分布而规定的多个聚合函数和将二维不均匀剂量分布的所述目标值与多个聚合函数建立对应关联的相关信息。控制装置计算出模拟了基于多个聚合函数及相关信息的离子注入时的晶片处理面内的二维不均匀剂量分布的推断值，并修正多个聚合函数，以使推断值与目标值相似，由此生成多个校正函数。控制装置根据多个校正函数及相关信息来改变第1方向的射束扫描速度及第2方向的晶片扫描速度，并向晶片处理面注入与目标值相似的二维不均匀剂量分布的离子。
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公开(公告)号：CN112349573A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202010715903.3
申请日：2020-07-23
Applicant: 住友重机械离子科技株式会社
Inventor： 石桥和久
IPC: H01J37/32 , H01J37/317
Abstract: 一种离子注入装置及离子注入方法。控制装置保持多个注入处方，多个注入处方中的每一个包含晶片处理面内的二维不均匀剂量分布、根据在晶片处理面内在第2方向上不同的多个位置上的第1方向的多个一维剂量分布而规定的多个校正函数及将二维不均匀剂量分布与多个校正函数建立对应关联的相关信息。控制装置在新获取了二维不均匀剂量分布的目标值时，从多个注入处方中确定包含与目标值相似的二维不均匀剂量分布的注入处方。控制装置根据所确定的注入处方中所包含的多个校正函数及相关信息来改变第1方向的射束扫描速度及第2方向的晶片扫描速度，并向晶片处理面注入与目标值相似的二维不均匀剂量分布的离子。
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