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公开(公告)号：CN101460012B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200810181792.1
申请日：2008-12-12
Applicant: 住友金属矿山株式会社
Abstract: 本发明提供立体电路板的形成装置及形成方法，在电子设备用的辊的表面上以位置精度高、不发生重叠、且间隙控制在最小限度内的方式正确地粘贴电路板。该立体电路板的形成装置具有：旋转机构(10)，其将圆柱形状或者圆筒形状的对象物(1)在中心轴为水平的状态下进行保持，并且，使对象物以该中心轴为旋转轴进行旋转；保持机构(20)，其将电路板(2)保持为粘接剂层朝下，且将该电路板水平地搬送；控制机构(30)，其能调节相对位置关系，使得所搬送的电路板(2)的粘接剂层与旋转的对象物(1)的表面接触，并且，能够将所述电路板(2)对所述对象物(1)的表面按压的压力控制为一定。
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公开(公告)号：CN105264125B
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201480031544.2
申请日：2014-03-20
Applicant: 住友金属矿山株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够使造成局部性晶体组成不均匀的晶胞生长(cell growth)受到抑制的优质的并且具有透明性的石榴石型单晶及其制造方法。所述石榴石型单晶的特征在于，其是通过使晶种与腔室内配置的坩埚的原料熔液进行接触，并且在旋转该晶种的同时进行提拉而育成的石榴石型单晶，并且其以通式(Tb3‑xScx)(Sc2‑yAly)Al3O12‑z(其中，0.11≤x≤0.14，0.17≤y≤0.23)表示。并且，该石榴石型单晶是通过将20.9～21.2mol％的氧化铽、32.7～33.3mol％的氧化钪、以及作为余量的氧化铝和不可避的杂质组成的混合粉末填充到坩埚内进行熔解，并且在将氮气供给于腔室内的同时设定晶种的旋转速度为5～20rpm、晶种的提拉速度为0.3～0.8mm/小时，由此，进行育成。
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公开(公告)号：CN105264125A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201480031544.2
申请日：2014-03-20
Applicant: 住友金属矿山株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够使造成局部性晶体组成不均匀的晶胞生长(cell growth)受到抑制的优质的并且具有透明性的石榴石型单晶及其制造方法。所述石榴石型单晶的特征在于，其是通过使晶种与腔室内配置的坩埚的原料熔液进行接触，并且在旋转该晶种的同时进行提拉而育成的石榴石型单晶，并且其以通式(Tb3-xScx)(Sc2-yAly)Al3O12-z(其中，0.11≤x≤0.14，0.17≤y≤0.23)表示。并且，该石榴石型单晶是通过将20.9～21.2mol％的氧化铽、32.7～33.3mol％的氧化钪、以及作为余量的氧化铝和不可避的杂质组成的混合粉末填充到坩埚内进行熔解，并且在将氮气供给于腔室内的同时设定晶种的旋转速度为5～20rpm、晶种的提拉速度为0.3～0.8mm/小时，由此，进行育成。
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公开(公告)号：CN101460012A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200810181792.1
申请日：2008-12-12
Applicant: 住友金属矿山株式会社
Abstract: 本发明提供立体电路板的形成装置及形成方法，在电子设备用的辊的表面上以位置精度高、不发生重叠、且间隙控制在最小限度内的方式正确地粘贴电路板。该立体电路板的形成装置具有：旋转机构(10)，其将圆柱形状或者圆筒形状的对象物(1)在中心轴为水平的状态下进行保持，并且，使对象物以该中心轴为旋转轴进行旋转；保持机构(20)，其将电路板(2)保持为粘接剂层朝下，且将该电路板水平地搬送；控制机构(30)，其能调节相对位置关系，使得所搬送的电路板(2)的粘接剂层与旋转的对象物(1)的表面接触，并且，能够将所述电路板(2)对所述对象物(1)的表面按压的压力控制为一定。
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