公开(公告)号：CN103077961B

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201310008995.1

申请日：2009-08-25

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 林享 ,  大村秀之 ,  云见日出也 ,  重里有三

IPC: H01L29/221 ,  H01L29/786 ,  H01L21/34

CPC classification number: H01L29/78663 ,  H01L29/7869

Abstract: 提供非晶氧化物半导体，其包括铟（In）和锌（Zn）中的至少一种元素与氢，该非晶氧化物半导体含有1×1020cm-3～1×1022cm-3的氢原子和氘原子中的一种，并且在该非晶氧化物半导体中，除了过剩氧（OEX）和氢之间的键之外的氧和氢之间的键密度小于等于1×1018cm-3。

公开(公告)号：CN101661952B

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN200910167482.9

申请日：2009-08-25

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 林享 ,  大村秀之 ,  云见日出也 ,  重里有三

IPC: H01L29/12 ,  H01L29/786 ,  H01L27/02 ,  H01L21/34 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L29/78663 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供非晶氧化物半导体，其包括铟(In)和锌(Zn)中的至少一种元素与氢，该非晶氧化物半导体含有1×1020cm-3～1×1022cm-3的氢原子和氘原子中的一种，并且在该非晶氧化物半导体中，除了过剩氧(OEX)和氢之间的键之外的氧和氢之间的键密度小于等于1×1018cm-3。

公开(公告)号：CN103077961A

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN201310008995.1

申请日：2009-08-25

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 林享 ,  大村秀之 ,  云见日出也 ,  重里有三

IPC: H01L29/221 ,  H01L29/786 ,  H01L21/34

CPC classification number: H01L29/78663 ,  H01L29/7869

Abstract: 提供非晶氧化物半导体，其包括铟（In）和锌（Zn）中的至少一种元素与氢，该非晶氧化物半导体含有1×1020cm-3～1×1022cm-3的氢原子和氘原子中的一种，并且在该非晶氧化物半导体中，除了过剩氧（OEX）和氢之间的键之外的氧和氢之间的键密度小于等于1×1018cm-3。

公开(公告)号：CN101661952A

公开(公告)日：2010-03-03

申请号：CN200910167482.9

申请日：2009-08-25

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 林享 ,  大村秀之 ,  云见日出也 ,  重里有三

IPC: H01L29/12 ,  H01L29/786 ,  H01L27/02 ,  H01L21/34 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L29/78663 ,  H01L29/7869

Abstract: 提供非晶氧化物半导体，其包括铟(In)和锌(Zn)中的至少一种元素与氢，该非晶氧化物半导体含有1×10 20 cm -3 ～1×10 22 cm -3 的氢原子和氘原子中的一种，并且在该非晶氧化物半导体中，除了过剩氧(O EX )和氢之间的键之外的氧和氢之间的键密度小于等于1×10 18 cm -3 。

公开(公告)号：CN101681928B

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN200880017424.1

申请日：2008-05-28

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 大村秀之 ,  林享

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/78618

Abstract: 基板上至少有栅极电极、栅绝缘膜、氧化物半导体层、第一绝缘膜、源和漏极电极及第二绝缘膜的薄膜晶体管的制造方法，包括：基板上形成栅极电极；栅极电极上形成栅绝缘膜；栅绝缘膜上形成含非晶氧化物的半导体层；构图栅绝缘膜；构图氧化物半导体层；在不含氧化气体的气氛中在氧化物半导体层上形成第一绝缘膜而减小氧化物半导体层的电阻；构图第一绝缘膜并在源和漏极电极与氧化物半导体层间形成接触孔；经接触孔在氧化物半导体层中形成源和漏极电极层；经接触孔形成源和漏极电极并使第一绝缘膜暴露；构图暴露的第一绝缘膜并使氧化物半导体层的沟道区暴露；在含氧化气体的气氛中含氧化物半导体层的沟道区的表面上形成第二绝缘膜而增加沟道区的电阻。

公开(公告)号：CN101681928A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200880017424.1

申请日：2008-05-28

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 大村秀之 ,  林享

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/78618

Abstract: 基板上至少有栅极电极、栅绝缘膜、氧化物半导体层、第一绝缘膜、源和漏极电极及第二绝缘膜的薄膜晶体管的制造方法，包括：基板上形成栅极电极；栅极电极上形成栅绝缘膜；栅绝缘膜上形成含非晶氧化物的半导体层；构图栅绝缘膜；构图氧化物半导体层；在不含氧化气体的气氛中在氧化物半导体层上形成第一绝缘膜而减小氧化物半导体层的电阻；构图第一绝缘膜并在源和漏极电极与氧化物半导体层间形成接触孔；经接触孔在氧化物半导体层中形成源和漏极电极层；经接触孔形成源和漏极电极并使第一绝缘膜暴露；构图暴露的第一绝缘膜并使氧化物半导体层的沟道区暴露；在含氧化气体的气氛中含氧化物半导体层的沟道区的表面上形成第二绝缘膜而增加沟道区的电阻。