公开(公告)号：CN103077961B

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201310008995.1

申请日：2009-08-25

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 林享 ,  大村秀之 ,  云见日出也 ,  重里有三

IPC: H01L29/221 ,  H01L29/786 ,  H01L21/34

CPC classification number: H01L29/78663 ,  H01L29/7869

Abstract: 提供非晶氧化物半导体，其包括铟（In）和锌（Zn）中的至少一种元素与氢，该非晶氧化物半导体含有1×1020cm-3～1×1022cm-3的氢原子和氘原子中的一种，并且在该非晶氧化物半导体中，除了过剩氧（OEX）和氢之间的键之外的氧和氢之间的键密度小于等于1×1018cm-3。

公开(公告)号：CN101661952B

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN200910167482.9

申请日：2009-08-25

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 林享 ,  大村秀之 ,  云见日出也 ,  重里有三

IPC: H01L29/12 ,  H01L29/786 ,  H01L27/02 ,  H01L21/34 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L29/78663 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供非晶氧化物半导体，其包括铟(In)和锌(Zn)中的至少一种元素与氢，该非晶氧化物半导体含有1×1020cm-3～1×1022cm-3的氢原子和氘原子中的一种，并且在该非晶氧化物半导体中，除了过剩氧(OEX)和氢之间的键之外的氧和氢之间的键密度小于等于1×1018cm-3。

公开(公告)号：CN103077961A

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN201310008995.1

申请日：2009-08-25

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 林享 ,  大村秀之 ,  云见日出也 ,  重里有三

IPC: H01L29/221 ,  H01L29/786 ,  H01L21/34

CPC classification number: H01L29/78663 ,  H01L29/7869

Abstract: 提供非晶氧化物半导体，其包括铟（In）和锌（Zn）中的至少一种元素与氢，该非晶氧化物半导体含有1×1020cm-3～1×1022cm-3的氢原子和氘原子中的一种，并且在该非晶氧化物半导体中，除了过剩氧（OEX）和氢之间的键之外的氧和氢之间的键密度小于等于1×1018cm-3。

公开(公告)号：CN101661952A

公开(公告)日：2010-03-03

申请号：CN200910167482.9

申请日：2009-08-25

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 林享 ,  大村秀之 ,  云见日出也 ,  重里有三

IPC: H01L29/12 ,  H01L29/786 ,  H01L27/02 ,  H01L21/34 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L29/78663 ,  H01L29/7869

Abstract: 提供非晶氧化物半导体，其包括铟(In)和锌(Zn)中的至少一种元素与氢，该非晶氧化物半导体含有1×10 20 cm -3 ～1×10 22 cm -3 的氢原子和氘原子中的一种，并且在该非晶氧化物半导体中，除了过剩氧(O EX )和氢之间的键之外的氧和氢之间的键密度小于等于1×10 18 cm -3 。