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公开(公告)号：CN1072388C
公开(公告)日：2001-10-03
申请号：CN94103552.2
申请日：1994-04-04
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 鲈英俊 , 长田芳幸 , 野村一郎 , 小野武夫 , 河出一佐哲 , 山口英司 , 武田俊彦 , 户岛博彰 , 浜元康弘 , 岩崎达哉 , 矶野青儿 , 铃木朝岳 , 处处泰之 , 奥田昌弘 , 新庄克彦
CPC classification number: H01J1/316 , G09G3/22 , G09G2300/0885 , G09G2310/06 , H01J9/027 , H01J31/127 , H01J2201/3165 , H01J2201/319 , H01J2329/00
Abstract: 制造电子源的方法，该电子源具有多个表面传导电子发射器件，按照矩阵形式设置在基片上，带有多条行方向接线和列方向接线，该多个表面传导电子发射器件中的每一个与一条行方向接线和一条列方向接线连接；包括以下步骤：将与矩阵形式的多条行方向接线和列方向接线连接的多个导电膜分为多个组；以及以每个组为单元，经过多条行方向接线或列方向接线中的某些接线向多个组中的每一个施加电流，形成表面传导电子发射器件的电子发射部分。
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公开(公告)号：CN1281239A
公开(公告)日：2001-01-24
申请号：CN00108565.4
申请日：1994-06-24
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01J1/30
CPC classification number: H01J31/127 , H01J1/316 , H01J9/027 , H01J2201/3165 , H01J2329/0489
Abstract: 一种电子源,包括一个按照输入信号发射电子的电子发射器件,该电子发射器件包括一对相对设置的电极和设在这些电极之间的并且包括一高电阻区的导电膜,上述高电阻区具有以碳为主要成分的淀积层。
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公开(公告)号：CN1277450A
公开(公告)日：2000-12-20
申请号：CN99102209.2
申请日：1994-04-04
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 鲈英俊 , 长田芳幸 , 野村一郎 , 小野武夫 , 河出一佐哲 , 山口英司 , 武田俊彦 , 户岛博彰 , 浜元康弘 , 岩崎达哉 , 矶野青儿 , 铃木朝岳 , 外处泰之 , 奥田昌弘 , 新庄克彦
CPC classification number: H01J1/316 , G09G3/22 , G09G2300/0885 , G09G2310/06 , H01J9/027 , H01J31/127 , H01J2201/3165 , H01J2201/319 , H01J2329/00
Abstract: 一种制造电子源的方法,该电子源具有多个表面传导电子发射器件,它们与一个基片上的多条接线相连,该方法的特征在于包括以下步骤:从设置为在每条接线(352;362;393)的多个位置与每条接线(352;362;393)接触的电连接部分(354;377,378,395,397)向与多条接线(65,66;272,273)中的每条接线(352;362;393)连接的多个导电膜(64;271)提供电功率。
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公开(公告)号：CN1882053A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200610100715.X
申请日：1994-06-24
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01J2201/3165
Abstract: 本发明涉及一种电视机及图像显示装置。所述电视机包括：(A)显示板，包括多个电子发射器件和用于通过电子辐射显示图像的屏幕，每个所述电子发射器件包括：电极对；导电膜，由除碳以外的导电材料构成，布置在所述电极之间并且连接到所述电极，所述导电膜包括裂缝；以及包含碳作为主要成分的碳基沉淀物，所述碳基沉淀物被布置在所述缝隙中并且被连接到所述导电膜，所述碳基沉淀物具有形成于其中的间隔，所述间隔窄于所述裂缝；(B)用于接收TV信号的TV信号接收电路；以及(C)用于根据TV信号在所述屏幕上显示图像的驱动电路。
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公开(公告)号：CN1188894C
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN00134257.6
申请日：1995-12-14
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01J29/94 , H01J2201/3165 , H01J2209/385 , H01J2329/00
Abstract: 一种图象形成设备，包括在一个包封内的一个电子源和一个图象形成部件，所述电子源具有设在一个基片上的多个电子发射器件，所述图象形成部件与所述基片相对地设置，其特征在于：吸气剂物质被连接到位于与所述图象形成部件的图象形成区相对的所述基片的除所述电子发射器件的区域之外的区域内的导线。本发明还提供了一种利用该图象形成设备激活吸气剂的方法。
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公开(公告)号：CN1512528A
公开(公告)日：2004-07-14
申请号：CN200410003954.4
申请日：1994-06-24
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01J9/02
CPC classification number: H01J31/127 , H01J1/316 , H01J9/027 , H01J2201/3165 , H01J2329/0489
Abstract: 一种制造电子源的方法，包括下列步骤：形成多个导电膜，每个导电膜包括裂缝，并连接到衬底上的线路；在每个所述导电膜的所述裂缝中，形成含有碳作为主要成分的淀积物与所述导电膜相连，形成所述淀积物的步骤包括这样的步骤：在含碳的环境中通过所述线路向每个所述导电膜施加电压。
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公开(公告)号：CN1134035A
公开(公告)日：1996-10-23
申请号：CN95120830.6
申请日：1995-12-14
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01J29/94 , H01J2201/3165 , H01J2209/385 , H01J2329/00
Abstract: 一种图象形成设备，由置于一包封内的一电子源和一图象形成部件组成。该图象形成部件包括一荧光膜和覆盖该荧光膜的金属背。该金属背含有吸气物质而该吸气物质被电子源发射的电子束照射。
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公开(公告)号：CN100550253C
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200410097866.5
申请日：1994-04-04
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 鲈英俊 , 长田芳幸 , 野村一郎 , 小野武夫 , 河出一佐哲 , 山口英司 , 武田俊彦 , 户岛博彰 , 浜元康弘 , 岩崎达哉 , 矶野青儿 , 铃木朝岳 , 外处泰之 , 奥田昌弘 , 新庄克彦
IPC: H01J9/02
Abstract: 一种制造电子源的方法，该电子源具有多个表面传导电子发射器件，它们与一个基片上的多条接线相连，该方法的特征在于包括以下步骤：从设置为在每条接线(352；362；393)的多个位置与每条接线(352；362；393)接触的电连接部分(354；377，378，395，397)向与多条接线(65，66；272，273)中的每条接线(352；362；393)连接的多个导电膜(64；271)提供电功率。
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公开(公告)号：CN1201364C
公开(公告)日：2005-05-11
申请号：CN99102209.2
申请日：1994-04-04
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 鲈英俊 , 长田芳幸 , 野村一郎 , 小野武夫 , 河出一佐哲 , 山口英司 , 武田俊彦 , 户岛博彰 , 浜元康弘 , 岩崎达哉 , 矶野青儿 , 铃木朝岳 , 外处泰之 , 奥田昌弘 , 新庄克彦
CPC classification number: H01J1/316 , G09G3/22 , G09G2300/0885 , G09G2310/06 , H01J9/027 , H01J31/127 , H01J2201/3165 , H01J2201/319 , H01J2329/00
Abstract: 一种制造电子源的方法，该电子源具有多个表面传导电子发射器件，它们与一个基片上的多条接线相连，该方法的特征在于包括以下步骤：从设置为在每条接线(352；362；393)的多个位置与每条接线(352；362；393)接触的电连接部分(354；377，378，395，397)向与多条接线(65，66；272，273)中的每条接线(352；362；393)连接的多个导电膜(64；271)提供电功率。
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公开(公告)号：CN1174459C
公开(公告)日：2004-11-03
申请号：CN00108565.4
申请日：1994-06-24
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01J1/30
CPC classification number: H01J31/127 , H01J1/316 , H01J9/027 , H01J2201/3165 , H01J2329/0489
Abstract: 本发明涉及一种电子源和图象形成装置，该电子源包括多个电子发射器件，其中选择所述多个电子发射器件中的任一个以按照输入信号发射电子，上述电子发射器件中的每一个包括：一对电极；设在并连接到这些电极之间并以除碳以外的导电材料构成的导电膜，所述导电膜包括裂缝，以及具有以碳为主要成分的碳基淀积层，所述碳基淀积层设在所述裂缝中并连接到所述导电膜，所述碳基淀积层在其中形成比上述裂缝窄的缺口。
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