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公开(公告)号：CN1269225C
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN03158850.6
申请日：1999-06-30
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L31/076 , H01L31/022483 , H01L31/075 , H01L31/1824 , H01L31/1884 , H01L31/202 , Y02E10/545 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供了一种光电元件，包括p型半导体层和由氧化铟锡构成的透明导电层，它们以面对面的方式结合在一起，其中，透明导电层的氧化锡含量与锡含量之和在层厚方向上变化，并在p型半导体层与透明导电层的结合面处达到最小值。由此提供的光电元件具有较高的光电转换效率，即使长时间暴露于强烈的光照之下，其光电转换效率的下降也极小。
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公开(公告)号：CN1241819A
公开(公告)日：2000-01-19
申请号：CN99111477.9
申请日：1999-06-30
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/076 , H01L31/022483 , H01L31/075 , H01L31/1824 , H01L31/1884 , H01L31/202 , Y02E10/545 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供了一种光电元件,包括p型半导体层和由氧化铟锡构成的透明导电层,它们以面对面的方式结合在一起,其中,透明导电层的氧化锡含量与锡含量之和在层厚方向上变化,并在p型半导体层与透明导电层的结合面处达到最小值。由此提供的光电元件具有较高的光电转换效率,即使长时间暴露于强烈的光照之下,其光电转换效率的下降也极小。
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公开(公告)号：CN1147005C
公开(公告)日：2004-04-21
申请号：CN99111477.9
申请日：1999-06-30
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0256 , H01L31/04
CPC classification number: H01L31/076 , H01L31/022483 , H01L31/075 , H01L31/1824 , H01L31/1884 , H01L31/202 , Y02E10/545 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供了一种光电元件，包括p型半导体层和由氧化铟锡构成的透明导电层，它们以面对面的方式结合在一起，其中，透明导电层的氧化锡含量与锡含量之和在层厚方向上变化，并在p型半导体层与透明导电层的结合面处达到最小值。由此提供的光电元件具有较高的光电转换效率，即使长时间暴露于强烈的光照之下，其光电转换效率的下降也极小。
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公开(公告)号：CN1495914A
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN03158850.6
申请日：1999-06-30
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L31/076 , H01L31/022483 , H01L31/075 , H01L31/1824 , H01L31/1884 , H01L31/202 , Y02E10/545 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供了一种光电元件，包括p型半导体层和由氧化铟锡构成的透明导电层，它们以面对面的方式结合在一起，其中，透明导电层的氧化锡含量与锡含量之和在层厚方向上变化，并在p型半导体层与透明导电层的结合面处达到最小值。由此提供的光电元件具有较高的光电转换效率，即使长时间暴露于强烈的光照之下，其光电转换效率的下降也极小。
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