公开(公告)号：CN113519040A

公开(公告)日：2021-10-19

申请号：CN202080018057.8

申请日：2020-01-27

申请人： 信越半导体株式会社

发明人： 久米史高 ,  铃木由佳里 ,  北村浩一 ,  吉田昌弘 ,  横田修二 ,  江原幸治

IPC分类号： H01L21/304 ,  H01L21/324 ,  H01L21/66 ,  C30B29/06 ,  G01N27/04

摘要： 本发明为一种单晶硅的电阻率测定方法，其中，在以四探针法测定单晶硅的电阻率的单晶硅的电阻率测定方法中，具有：至少对所述单晶硅中进行所述电阻率的测定的面进行磨削的第一磨削工序，对实施了所述第一磨削工序的单晶硅进行清洗的清洗工序，对实施了所述清洗工序的单晶硅进行热处理的供体消除热处理工序，及至少对实施了所述供体消除热处理工序的单晶硅中进行所述电阻率的测定的面进行磨削的第二磨削工序，并在实施所述第二磨削工序之后，以四探针法测定所述单晶硅的电阻率。由此，可提供一种能够在供体消除热处理之后长期稳定地进行测定的单晶硅的电阻率测定方法。

公开(公告)号：CN107210223B

公开(公告)日：2020-08-21

申请号：CN201680006293.1

申请日：2016-01-07

申请人： 信越半导体株式会社

发明人： 铃木克佳 ,  竹野博 ,  江原幸治

IPC分类号： H01L21/322 ,  C30B29/06 ,  C30B33/12 ,  H01L21/26

摘要： 本发明提供一种硅晶圆的制造方法，透过施加热处理于一被处理硅晶圆，而制造于表层具有无缺陷区域的硅晶圆，制造方法包含：步骤A，透过自上方加热被处理硅晶圆的第一热源，而仅对被处理硅晶圆的上侧的表层以1300℃以上且硅的熔点以下的温度，进行0.01msec以上且100msec以下的第一急速热处理；以及步骤B，透过加热被处理硅晶圆的第二热源所进行的第二急速热处理，而对被处理硅晶圆以1100℃以上且不超过1300℃的温度维持1秒以上且100秒以下，并以30℃/sec以上且150℃/sec以下的降温速度降温。由此，能够于块体能够形成高密度的BMD，TDDB特性良好的单晶硅晶圆。

公开(公告)号：CN107210223A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201680006293.1

申请日：2016-01-07

申请人： 信越半导体株式会社

发明人： 铃木克佳 ,  竹野博 ,  江原幸治

IPC分类号： H01L21/322 ,  C30B29/06 ,  C30B33/12 ,  H01L21/26

摘要： 本发明提供一种硅晶圆的制造方法，透过施加热处理于一被处理硅晶圆，而制造于表层具有无缺陷区域的硅晶圆，制造方法包含：步骤A，透过自上方加热被处理硅晶圆的第一热源，而仅对被处理硅晶圆的上侧的表层以1300℃以上且硅的熔点以下的温度，进行0.01msec以上且100msec以下的第一急速热处理；以及步骤B，透过加热被处理硅晶圆的第二热源所进行的第二急速热处理，而对被处理硅晶圆以1100℃以上且不超过1300℃的温度维持1秒以上且100秒以下，并以30℃/sec以上且150℃/sec以下的降温速度降温。由此，能够于块体能够形成高密度的BMD，TDDB特性良好的单晶硅晶圆。

公开(公告)号：CN104040702A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201280066709.0

申请日：2012-12-14

申请人： 信越半导体株式会社

发明人： 冈铁也 ,  江原幸治

IPC分类号： H01L21/322 ,  H01L21/26

CPC分类号： H01L21/3225 ,  H01L29/16

摘要： 本发明是一种单晶硅晶片的制造方法，该方法通过对单晶硅晶片进行使用快速加热、快速冷却装置在含氧气氛下以第一热处理温度保持1～60秒之后，以1～100℃/秒的降温速度冷却至800℃以下的第一热处理，而使氧在内部扩散以在上述单晶硅晶片的表面附近形成氧浓度峰值区域，之后，通过进行第二热处理，而使上述单晶硅晶片内的氧凝聚于上述氧浓度峰值区域。由此，提供一种能够制造形成有靠近器件形成区域的良好的吸杂层的单晶硅晶片的方法。

公开(公告)号：CN104040702B

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201280066709.0

申请日：2012-12-14

申请人： 信越半导体株式会社

发明人： 冈铁也 ,  江原幸治

IPC分类号： H01L21/322 ,  H01L21/26

CPC分类号： H01L21/3225 ,  H01L29/16

摘要： 本发明是一种单晶硅晶片的制造方法，该方法通过对单晶硅晶片进行使用快速加热、快速冷却装置在含氧气氛下以第一热处理温度保持1～60秒之后，以1～100℃/秒的降温速度冷却至800℃以下的第一热处理，而使氧在内部扩散以在上述单晶硅晶片的表面附近形成氧浓度峰值区域，之后，通过进行第二热处理，而使上述单晶硅晶片内的氧凝聚于上述氧浓度峰值区域。由此，提供一种能够制造形成有靠近器件形成区域的良好的吸杂层的单晶硅晶片的方法。