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公开(公告)号：CN106024497A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610371352.7
申请日：2016-05-30
申请人： 全球能源互联网研究院 , 国家电网公司
摘要： 本发明提供了一种高短路关断直流断路器用辅助电路，直流断路器包括并联的能量吸收单元和串联阀段；辅助电路并联在电力电子器件两端，包括第一电容支路、第二电容支路、控制支路和放电支路；第一电容支路和控制支路组成第一并联单元，第二电容支路和放电支路组成第二并联单元；该第一并联单元和第二并联单元串联。与现有技术相比，本发明提供的本发明提供的一种高短路关断直流断路器用辅助电路及其控制方法，能够有效提高直流断路器的关断电流，并且降低关断过程中每个电力电子器件两端的过电压，同时有效地抑制在电力电子器件短路时急剧提升的电应力对电力电子器件造成的影响，对直流断路器的性能提升起到了关键作用。
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公开(公告)号：CN106024497B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201610371352.7
申请日：2016-05-30
申请人： 全球能源互联网研究院 , 国家电网公司
摘要： 本发明提供了一种高短路关断直流断路器用辅助电路，直流断路器包括并联的能量吸收单元和串联阀段；辅助电路并联在电力电子器件两端，包括第一电容支路、第二电容支路、控制支路和放电支路；第一电容支路和控制支路组成第一并联单元，第二电容支路和放电支路组成第二并联单元；该第一并联单元和第二并联单元串联。与现有技术相比，本发明提供的本发明提供的一种高短路关断直流断路器用辅助电路及其控制方法，能够有效提高直流断路器的关断电流，并且降低关断过程中每个电力电子器件两端的过电压，同时有效地抑制在电力电子器件短路时急剧提升的电应力对电力电子器件造成的影响，对直流断路器的性能提升起到了关键作用。
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公开(公告)号：CN107453335A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201610371599.9
申请日：2016-05-30
申请人： 全球能源互联网研究院 , 国家电网公司 , 华北电力大学
IPC分类号： H02H7/26
CPC分类号： H02H7/268
摘要： 本发明提供了一种直流断路器，其包括：换流支路和断流支路；换流支路包括依次连接的隔离开关、限流电感、机械开关和换流单元；断流支路包括断流单元；断流单元与机械开关和换流单元组成的支路并联。本发明提供的直流断路器能够有效的降低直流断路器的全控器件数量和控制复杂程度；易于实现，且极极大的降低了直流断路器的体积和制造成本；结构新颖、控制简单，动作迅速，耐受电压等级高，且易于扩展至不同电压等级直流电网；本发明所提供的直流断路器的控制方法，能够安全、有序、可靠的保障断路器正常运行。
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公开(公告)号：CN109709464B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN201811240386.8
申请日：2018-10-24
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明提供了一种压接式IGBT性能检测电路，该电路包括驱动电路、换流阀控制电路、小电流源电路和饱和压降采集电路；所述驱动电路包括依次连接的可编程电源、所述压接式IGBT和接地的电感L1；所述可编程电源在设定参数下运行，其输入端口和NI采集卡信号输出端口相连；产生三种控制信号分别控制压接式IGBT的加热或冷却，模拟IGBT实际工作状态；本发明提供的技术方案将集采集控制电路于一体实现了对整个功率循环检测的自动化控制，本发明，能够持续稳定运行，实现了对压接式IGBT器件功率循环的可靠性检测。
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公开(公告)号：CN110488172B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN201910628381.0
申请日：2019-07-12
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明公开了一种大功率IGBT结温检测电路、系统及方法，结温检测电路包括：阻断漏电流‑结温检测电路和导通压降‑结温检测电路，阻断漏电流‑结温检测电路用于进行不同温度下被测IGBT器件的阻断漏电流‑结温检测标定；导通压降‑结温检测电路用于进行不同温度下被测IGBT器件导通压降‑结温检测标定，本发明提供的大功率IGBT结温检测电路、系统及方法，可以作为大功率IGBT器件开关全工况的阻断漏电流‑结温检测或导通压降‑结温检测，也可以对两种不同的检测方式进行对比测试，其过程不需改变安装条件，可自动完成测试，简单易行高效。
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公开(公告)号：CN107765160B
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201710756098.7
申请日：2017-08-29
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明提供了一种IGBT器件的测试电路及测试方法，其中，测试电路包括电流源(1)、电感(2)、第一开关(3)、第一电压源(4)、待测IGBT器件(5)、第一吸收电路(6)和过电压限制装置(7)，其中：电流源(1)的正极通过电感(2)连接第一开关(3)的一端，第一开关(3)另一端连接待测IGBT器件(5)的集电极；第一电压源(4)的正极连接待测IGBT器件(5)的栅极，第一电压源(4)的负极连接电流源(1)的负极；待测IGBT器件(5)的发射极连接电流源(1)的负极；第一吸收电路(6)与过电压限制装置(7)并联在待测IGBT器件(5)的集电极和发射极之间。这种IGBT器件的测试电路所需要的测试设备成本低、体积小及测试操作可靠性高。
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公开(公告)号：CN111912538A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN202010670448.X
申请日：2020-07-13
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网湖北省电力有限公司
摘要： 本发明提供了一种压接型半导体器件、压接子模块以及弹性测温封装组件，压接型半导体器件包括若干个压接子模块，弹性测温封装组件与芯片组件相贴合，用于对芯片测温，其包括用于与芯片组件贴合测温的测温探头、用于固定测温探头的探头固定件，以及套设于探头固定件外的限位套筒，探头固定件滑动设于限位套筒内，限位套筒的顶端可与芯片组件抵接，限位套筒内设有弹性件。测温探头可以直接与芯片组件相贴合，从而实现接触式测温，实现了对压接型半导体器件内部芯片的直观和有效的测温，满足压接型半导体器件的测温需要，并且准确度较高、使用面积较广、计算方式较简单以及电绝缘性好，不易受到外部环境的干扰。
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公开(公告)号：CN111142002A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN202010030828.7
申请日：2020-01-13
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司
摘要： 本发明公开了一种并联芯片温度均匀性检测方法及装置，该检测方法包括如下步骤：将工作状态下的待测模块置于多个预设温度中，计算多个预设温度下待测模块的关断时间和关断延迟时间，待测模块包括并联的多个芯片；根据多个预设温度下的关断时间和关断延迟时间计算得到关断时间曲线和关断延迟时间曲线；将待测模块置于工作环境下，计算待测模块的关断时间测量值和关断延迟时间测量值；根据关断延迟时间测量值、关断时间曲线及关断延迟时间曲线计算得到关断时间计算值；根据关断时间测量值和关断时间计算值判断待测模块的温度均匀性。通过实施本发明，可以实现温度均匀性的无损检测，同时测量装置和测量方法简单，易操作。
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公开(公告)号：CN109473422A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201811153245.2
申请日：2018-09-29
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司
摘要： 本发明涉及压接器件技术领域，具体公开了一种压接器件的封装结构和电流测试方法，封装结构包括设置于电路板上的若干压接芯片，所述电路板的外围设置有若干错位过孔，导电线沿错位方向依次绕制于各所述错位过孔形成罗氏线圈。一方面，可以通过罗氏线圈对电路板上的压接芯片进行电流检测；另一方面，罗氏线圈相当于直接设置于电路板内部，减小了罗氏线圈所占用的空间，无需扩大整个压接器件的封装结构的尺寸，仍然能够保证压接器件整体的高功率密度。另外，由于罗氏线圈是直接设置于电路板内部的，因此无需对罗氏线圈进行装配，使用非常方便。
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公开(公告)号：CN108766941A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810325602.2
申请日：2018-04-12
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/492 , H01L25/18 , H01L29/16
CPC分类号： H01L25/18 , H01L23/3672 , H01L23/3736 , H01L23/4924 , H01L29/1608
摘要： 本发明提供一种压接型SiC混合模块封装结构，设置有若干个SBD子模块，SBD子模块内部设置有采用SiC制成的第一芯片。碳化硅器件的击穿电压是硅器件的10倍，电流密度是其4倍，工作频率是其10倍，开关损耗可以降低20％‑70％，因此通过由碳化硅制成的SBD子模块，其自身反向恢复电流小，关断过程快，开关损耗小。同时，通过碳化硅制成的芯片，芯片尺寸得到了降低，从而提高了SBD子模块的功率密度。
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