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公开(公告)号：CN106298512B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN201610842716.5
申请日：2016-09-22
Applicant: 全球能源互联网研究院 , 国家电网公司 , 国网浙江省电力公司
IPC: H01L21/329 , H01L29/868 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供了一种快恢复二极管及其制备方法，所述方法包括向硅衬底的背面注入P型离子形成P型掺杂区，并在背面形成外延层；在硅衬底的正面形成有源区和终端区；对终端区的边缘掺杂N型离子形成截止环，对外延层掺杂N型离子形成N+阴极区；分别对硅衬底的正面和背面淀积金属层，形成金属电极；在硅衬底的背面形成N型缓冲层；所述快恢复二极管采用上述方法制备。与现有技术相比，本发明提供的一种快恢复二极管及其制备方法，可以依据快恢复二极管的性能需求设定P岛和缓冲层之间的位置关系和各个P型掺杂区所占各区域的面积比例，使其具备良好的反向恢复软度和高的可靠性。
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公开(公告)号：CN107516681A
公开(公告)日：2017-12-26
申请号：CN201610424393.8
申请日：2016-06-15
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网公司 , 国网浙江省电力公司
IPC: H01L29/861 , H01L21/329 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/861 , H01L29/0607 , H01L29/6609
Abstract: 本发明实施例公开了一种快速恢复二极管及其制备方法，该快速恢复二极管包括：第一导电类型半导体层(2)；第二导电类型半导体层(4)，其底面与所述第一导电类型半导体层(2)接触以形成PN结；局域寿命控制层(5)，设置在所述第二导电类型半导体层(4)内，且所述局域寿命控制层(5)的中心距离所述第二导电类型半导体层(4)的所述底面至少3μm，距离所述第二导电类型半导体层(4)的顶面至少7μm。由此实现了减小反向漏电流和减小反向恢复峰值电流之间的平衡，从而保证了二极管的反向阻断性能和反向恢复。
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公开(公告)号：CN106298512A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610842716.5
申请日：2016-09-22
Applicant: 全球能源互联网研究院 , 国家电网公司 , 国网浙江省电力公司
IPC: H01L21/329 , H01L29/868 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/6609 , H01L29/0684 , H01L29/868
Abstract: 本发明提供了一种快恢复二极管及其制备方法，所述方法包括向硅衬底的背面注入P型离子形成P型掺杂区，并在背面形成外延层；在硅衬底的正面形成有源区和终端区；对终端区的边缘掺杂N型离子形成截止环，对外延层掺杂N型离子形成N+阴极区；分别对硅衬底的正面和背面淀积金属层，形成金属电极；在硅衬底的背面形成N型缓冲层；所述快恢复二极管采用上述方法制备。与现有技术相比，本发明提供的一种快恢复二极管及其制备方法，可以依据快恢复二极管的性能需求设定P岛和缓冲层之间的位置关系和各个P型掺杂区所占各区域的面积比例，使其具备良好的反向恢复软度和高的可靠性。
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公开(公告)号：CN206271661U
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201621073091.2
申请日：2016-09-22
Applicant: 全球能源互联网研究院 , 国家电网公司 , 国网浙江省电力公司
IPC: H01L21/329 , H01L29/868 , H01L29/06
Abstract: 本实用新型提供了一种快恢复二极管，包括有源区、终端区和N型缓冲层；N型缓冲层位于N+阴极区的上方且与N+阴极区接触；有源区包括多个P型掺杂区；终端区包括一个P型掺杂区；P型掺杂区均位于所述N型缓冲层的内部，且P型掺杂区的上边界与N型缓冲层的上边界之间的距离为1‑20um。与现有技术相比，本实用新型提供的一种快恢复二极管，各个P型掺杂区所占各区域的面积比例，以及与N型缓冲层的边界间距均设置在一定范围内，使得快恢复二极管具备良好的反向恢复软度和高的可靠性。
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公开(公告)号：CN205881912U
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201620582038.9
申请日：2016-06-15
Applicant: 全球能源互联网研究院 , 国家电网公司 , 国网浙江省电力公司
IPC: H01L29/868 , H01L29/06
Abstract: 本实用新型实施例公开了一种快速恢复二极管，包括：第一导电类型半导体层(2)；第二导电类型半导体层(4)，其底面与所述第一导电类型半导体层(2)接触以形成PN结；局域寿命控制层(5)，设置在所述第二导电类型半导体层(4)内，且所述局域寿命控制层(5)的中心距离所述第二导电类型半导体层(4)的所述底面至少3μm，距离所述第二导电类型半导体层(4)的顶面至少7μm。由此实现了减小反向漏电流和减小反向恢复峰值电流之间的平衡，从而保证了二极管的反向阻断性能和反向恢复。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106098572A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610704091.6
申请日：2016-08-23
Applicant: 全球能源互联网研究院 , 国家电网公司 , 国网河北省电力公司
CPC classification number: H01L21/56 , H01L23/291 , H01L23/293 , H01L23/3171
Abstract: 本发明提供了一种钝化层制造方法及高压半导体功率器件，所述方法包括通过丝网印刷在高压半导体功率器件上涂覆聚酰亚胺胶；对聚酰亚胺胶进行前烘和固化形成聚酰亚胺保护层；高压半导体功率器件采用上述方法制造。与现有技术相比，本发明提供的一种钝化层制造方法及高压半导体功率器件，不仅提高了半导体功率器件钝化层制造的工作效率并降低了工作成本，还提高了高压半导体功率器件的工作稳定性。
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公开(公告)号：CN107768260B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201610701963.3
申请日：2016-08-22
Applicant: 全球能源互联网研究院 , 国家电网公司 , 国网河北省电力公司
Abstract: 本发明提供了一种平面终端钝化方法及半导体功率器件，所述方法包括在半导体功率器件上顺次淀积介质层、玻璃钝化层和聚酰亚胺保护层，形成多层复合钝化层；半导体功率器件采用上述方法制造。与现有技术相比，本发明提供的一种平面终端钝化方法及半导体功率器件，采用多层复合钝化层可以提高半导体功率器件的密封性，阻挡有害杂质离子向衬底表面扩散，同时采用玻璃钝化层可以降低对聚酰亚胺保护层的厚度和膨胀系数的要求，使得半导体功率器件工作于高温坏境时具有较高机械性能，不易发生脱落。
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公开(公告)号：CN107768260A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201610701963.3
申请日：2016-08-22
Applicant: 全球能源互联网研究院 , 国家电网公司 , 国网河北省电力公司
CPC classification number: H01L21/56 , H01L23/291 , H01L23/293 , H01L23/3192
Abstract: 本发明提供了一种平面终端钝化方法及半导体功率器件，所述方法包括在半导体功率器件上顺次淀积介质层、玻璃钝化层和聚酰亚胺保护层，形成多层复合钝化层；半导体功率器件采用上述方法制造。与现有技术相比，本发明提供的一种平面终端钝化方法及半导体功率器件，采用多层复合钝化层可以提高半导体功率器件的密封性，阻挡有害杂质离子向衬底表面扩散，同时采用玻璃钝化层可以降低对聚酰亚胺保护层的厚度和膨胀系数的要求，使得半导体功率器件工作于高温坏境时具有较高机械性能，不易发生脱落。
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公开(公告)号：CN106252244A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610843019.1
申请日：2016-09-22
Applicant: 全球能源互联网研究院 , 国家电网公司
CPC classification number: H01L2224/05 , H01L21/56 , H01L23/291 , H01L23/298 , H01L23/3171 , H01L23/3192
Abstract: 本发明提供了一种终端钝化方法及半导体功率器件，所述方法包括在半导体功率器件上顺次淀积半绝缘多晶硅薄膜、氮化层、二氧化硅层和钝化层，形成多层复合钝化层；半导体功率器件采用上述方法制造。与现有技术相比，本发明提供的一种终端钝化方法及半导体功率器件，在半绝缘多晶硅薄膜上淀积氮化层，可以阻挡水汽和钠离子，从而提高半导体功率器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN111129110A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911250604.0
申请日：2019-12-09
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/868 , H01L21/329 , H01L21/331 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种功率芯片终端结构、功率芯片终端结构的制作方法和装置，在N型衬底(1)的正面形成P型场限环(2)、截止环(4)和氧化层；在P型场限环(2)、截止环(4)上设置引线孔，基于引线孔在氧化层的正面形成内置场板(6)和截止环金属(9)；在氧化层、内置场板(6)和截止环金属(9)的正面形成钝化层(7)，终端结构不易失效；本发明中内置场板(6)的长度要求不高，降低了设计难度和复杂度；本发明提高了终端结构抗表面电荷玷污能力，降低了功率芯片对电荷的敏感性，进而提高了终端结构的可靠性；本发明工艺简单，与功率芯片传统制造工艺兼容，可实施性强；本发明适用于IGBT、VDMOS、FRD等多种功率芯片。
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