公开(公告)号：CN111952171A

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN202010627782.7

申请日：2020-07-01

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网浙江省电力有限公司

发明人： 张文婷 ,  安运来 ,  查祎英 ,  杨霏 ,  夏经华 ,  田丽欣 ,  桑玲 ,  罗松威 ,  田亮 ,  牛喜平 ,  吴军民

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L29/08 ,  H01L29/739

摘要： 本发明提供一种基于图形化工艺制备SiC IGBT的方法及SiC IGBT，在SiC衬底表面依次形成N-漂移层、N+缓冲层和P+集电层，并对选取的键合基片进行图形化处理；采用键合工艺对所述P+集电层和处理后的键合基片进行键合，之后去除SiC衬底，或先去除SiC衬底，之后采用键合工艺对所述P+集电层和处理后的键合基片进行键合；采用减薄工艺去除部分键合基片，在N-漂移层表面形成栅极和发射极，并在P+集电层表面形成集电极，在键合前对的键合基片进行图形化处理，避免键合过程中出现键合界面会出现空洞以及应力问题，器件在流片的过程中容易被识别，同时增加了薄片的支撑能力，减少了碎片概率，提高了SiC IGBT的成品率，减小导通电阻，降低了生产成本。

公开(公告)号：CN112002648A

公开(公告)日：2020-11-27

申请号：CN202010672215.3

申请日：2020-07-14

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网山东省电力公司泰安供电公司

发明人： 桑玲 ,  田亮 ,  夏经华 ,  查祎英 ,  张文婷 ,  田丽欣 ,  安运来 ,  朱涛 ,  牛喜平 ,  罗松威 ,  杨霏 ,  吴军民

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40

摘要： 本发明提供一种碳化硅功率器件的制备方法及碳化硅功率器件，方法包括在半导体层(1)的正面形成场限环终端(4)；采用热氧化工艺在场限环终端(4)的正面以预设的生长温度形成热氧化层(5)；在热氧化层(5)的正面形成氧化层(6)，通过设置热氧化层(5)大大降低了氧化层(6)产生孔洞的可能性，碳化硅功率器件在承受反向高电压时不易击穿，提高了碳化硅功率器件的良率和长期可靠性。

公开(公告)号：CN114518699A

公开(公告)日：2022-05-20

申请号：CN202011297090.7

申请日：2020-11-18

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网山东省电力公司泰安供电公司

发明人： 葛欢 ,  田亮 ,  姜春艳 ,  吴斌 ,  齐向

IPC分类号： G03F7/42 ,  H01L21/027

摘要： 本发明提供了一种倒梯形光刻胶侧壁形貌的制备方法及光刻胶，其包括：预处理晶圆和中心定位；在所得晶圆上涂光刻胶和前烘；再次涂光刻胶和前烘；曝光、显影和坚膜；本发明提供的技术方案有效提高了lift‑off工艺掩膜层侧壁形貌的可控性，实现了图形的精准转移，且操作方法简单。

公开(公告)号：CN111952173A

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN202010632701.2

申请日：2020-07-01

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网福建省电力有限公司

发明人： 查祎英 ,  张文婷 ,  安运来 ,  杨霏 ,  夏经华 ,  田丽欣 ,  桑玲 ,  田亮 ,  牛喜平 ,  罗松威 ,  吴军民

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L29/08 ,  H01L29/739

摘要： 本发明提供一种基于外延工艺制备的方法及SiC IGBT，在SiC衬底表面依次形成N+缓冲层、N-漂移层和N型载流子阻挡层，去除SiC衬底且对N+缓冲层进行抛光处理，采用外延工艺在N+缓冲层表面形成P+集电层；在N型载流子阻挡层表面形成栅极和发射极，并在P+集电层表面形成集电极，在N+缓冲层表面形成P+集电层后，无需再进行减薄工艺处理，减少了碎片概率，大大降低了生产成本；本发明在N+缓冲层表面形成P+集电层，得到的P+集电层掺杂浓度高，制备出的SiC IGBT损耗小，提高了SiC IGBT的导通特性，且采取的工艺与常规制备SiC IGBT的工艺兼容，提高工艺处理过程中的良品率。

公开(公告)号：CN110581181A

公开(公告)日：2019-12-17

申请号：CN201910908017.X

申请日：2019-09-24

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网山东省电力公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 姜春艳 ,  吴昊 ,  田亮 ,  吴军民 ,  潘艳

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L21/04

摘要： 本发明提供的一种肖特基二极管及其制备方法，其中所述肖特基二极管包括基底，以及若干P型结，其包括相对设置的第一端部和第二端部，且所述P型结嵌插设置于所述基底内以使所述第二端部位于所述基底内，相邻P型结间隔设置；连接所述第一端部和第二端部且位于P型结侧面上的连线为光滑的弧线。通过连接所述第一端部和第二端部且位于P型结侧面上的连线为光滑的弧线的结构，使得注入P型结边缘的电场强度更加均匀，进一步提高碳化硅肖特基二极管芯片的反向耐压以及可靠性。

公开(公告)号：CN109449139A

公开(公告)日：2019-03-08

申请号：CN201811129229.X

申请日：2018-09-27

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网山东省电力公司

发明人： 田红林 ,  田亮 ,  钮应喜 ,  焦倩倩 ,  杨霏

IPC分类号： H01L23/544 ,  H01L21/04

摘要： 本发明公开了一种半导体器件及定位标记的制备方法，其中，半导体器件包括半导体层；定位标记区域，形成在所述半导体层内；其中，所述定位标记区域是通过向所述半导体层内注入掺杂离子得到的；所述定位标记区域内的离子掺杂浓度为1×1015～1×1019cm-3。由于定位标记区域通过离子注入的方式形成在半导体层内，避免了在半导体层表面形成金属层所导致的非定位标记区域沉淀有金属离子；后续在利用具有定位标记区域的半导体层进行其他工艺的制备时，由于定位标记区域与非定位标记区域边界处的散射率和反射率差别较大，能够达到较好的对准效果，提高了该定位标记的定位准确性。

公开(公告)号：CN111710599A

公开(公告)日：2020-09-25

申请号：CN202010620297.7

申请日：2020-06-30

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网江苏省电力有限公司电力科学研究院

发明人： 夏经华 ,  桑玲 ,  田亮 ,  查祎英 ,  张文婷 ,  田丽欣 ,  安运来 ,  牛喜平 ,  罗松威 ,  杨霏 ,  吴军民

IPC分类号： H01L21/285 ,  H01L21/263

摘要： 本发明涉及碳化硅器件领域，具体涉及一种碳化硅欧姆接触的制备方法；包括以下步骤：对碳化硅样片进行标准清洗；采用非反应性等离子体对碳化硅样片进行离子轰击；在碳化硅样片上制备欧姆接触金属层；对制备有欧姆接触金属层的碳化硅样片进行退火处理。通过采用等离子体对碳化硅样片表面进行离子轰击，改变了碳化硅样片的表面状态，在碳化硅和金属界面引入了一系列的受控界面态，从而使得可以在受控的条件下，降低金属和碳化硅之间的有效势垒高度，进而对金属与碳化硅之间的载流子跃迁或遂穿起到有效地辅助作用，提高载流子通过势垒的输运效率，显著提高碳化硅与金属的欧姆接触效果，降低接触电阻，形成良好的碳化硅欧姆接触。

公开(公告)号：CN110581181B

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN201910908017.X

申请日：2019-09-24

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网山东省电力公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 姜春艳 ,  吴昊 ,  田亮 ,  吴军民 ,  潘艳

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L21/04

摘要： 本发明提供的一种碳化硅肖特基二极管及其制备方法，其中所述碳化硅肖特基二极管包括基底，以及若干P型结，其包括相对设置的第一端部和第二端部，且所述P型结嵌插设置于所述基底内以使所述第二端部位于所述基底内，相邻P型结间隔设置；连接所述第一端部和第二端部且位于P型结侧面上的连线为光滑的弧线。通过连接所述第一端部和第二端部且位于P型结侧面上的连线为光滑的弧线的结构，使得注入P型结边缘的电场强度更加均匀，进一步提高碳化硅肖特基二极管芯片的反向耐压以及可靠性。

公开(公告)号：CN110349839B

公开(公告)日：2021-03-12

申请号：CN201910540297.3

申请日：2019-06-21

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网江苏省电力有限公司电力科学研究院

发明人： 夏经华 ,  张文婷 ,  田丽欣 ,  吴沛飞 ,  安运来 ,  田亮 ,  查祎英 ,  吴军民 ,  潘艳 ,  杨霏

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/285

摘要： 本发明属于碳化硅制备技术领域，具体涉及一种p/n型碳化硅欧姆接触的制备方法。该方法包括对碳化硅外延片进行前清洗和预处理，然后采用原子层沉积工艺在碳化硅外延片上依次形成3TiC/SiC层、3TiC/xSiC层和TiC层，经合金化热处理后依次形成Ti3SiC2层、过渡层和TiC层，得到具有欧姆接触特性的p/n型碳化硅；本发明采用ALD，通过控制摩尔比在碳化硅外延片上形成3TiC/SiC层，经合金化热处理后形成Ti3SiC2层，可以降低界面处势垒的高度，与碳化硅外延片形成欧姆接触，该方法避免了沉积过程与碳化硅外延片中的SiC晶圆发生合金化反应，减少了碳富集和空隙等问题的出现。

公开(公告)号：CN110349839A

公开(公告)日：2019-10-18

申请号：CN201910540297.3

申请日：2019-06-21

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网江苏省电力有限公司电力科学研究院

发明人： 夏经华 ,  张文婷 ,  田丽欣 ,  吴沛飞 ,  安运来 ,  田亮 ,  查祎英 ,  吴军民 ,  潘艳 ,  杨霏

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/285

摘要： 本发明属于碳化硅制备技术领域，具体涉及一种p/n型碳化硅欧姆接触的制备方法。该方法包括对碳化硅外延片进行前清洗和预处理，然后采用原子层沉积工艺在碳化硅外延片上依次形成3TiC/SiC层、3TiC/xSiC层和TiC层，经合金化热处理后依次形成Ti3SiC2层、过渡层和TiC层，得到具有欧姆接触特性的p/n型碳化硅；本发明采用ALD，通过控制摩尔比在碳化硅外延片上形成3TiC/SiC层，经合金化热处理后形成Ti3SiC2层，可以降低界面处势垒的高度，与碳化硅外延片形成欧姆接触，该方法避免了沉积过程与碳化硅外延片中的SiC晶圆发生合金化反应，减少了碳富集和空隙等问题的出现。