一种基于IGBT器件的电感提取方法及装置

    公开(公告)号:CN108267643B

    公开(公告)日:2020-02-21

    申请号:CN201711434609.X

    申请日:2017-12-26

    IPC分类号: G01R27/26

    摘要: 本发明公开一种基于IGBT器件的电感提取方法及装置,其中方法包括:获取待测IGBT器件在开通瞬态下第一电流参数和第一电压参数、关断瞬态下第二电流参数和第二电压参数;选择第一电流参数和第二电流参数相同的数参数作为目标电流参数;根据目标电流参数和其对应电压参数分别建立待测IGBT器件在开通瞬态和关断瞬态闭合回路的第一电压关系式和第二电压关系式;计算第一电压关系式和第二电压关系式的差值消除电阻参数变量得到闭合回路中的电感参数。本发明通过同时分别采集待测IGBT器件开通瞬态的第一电流参数和第一电压参数和关断瞬态的第二电流参数和第二电压参数,通过计算消除回路中的电阻参数变量,可以准确地提取闭合回路中电感参数。

    一种基于IGBT器件开通的电感提取方法及装置

    公开(公告)号:CN108387783A

    公开(公告)日:2018-08-10

    申请号:CN201711432966.2

    申请日:2017-12-26

    IPC分类号: G01R27/26

    摘要: 本发明公开一种基于IGBT器件开通的电感提取方法及装置,其中方法包括:获取待测IGBT器件在开通瞬态下的负载电流值、待测IGBT器件的集电极的至少四个不同开通电流值和发射极与集电极之间的至少四个不同开通电压值;根据测试参数,分别建立至少四个电压关系式,其分别包含四个不同的设定参数,四个不同的设定参数分别代表待测IGBT器件在开通瞬态下闭合回路中的续流支路电阻值、总电阻值、总电感值和电源电压值;计算四个电压关系式得到待测IGBT器件在开通瞬态下闭合回路中的总电感值。本发明通过获取待测IGBT器件在开通瞬态下其集电极多个不同开通电流值和发射极与集电极之间的多个不同开通电压值使得提取闭合回路的总电感值更加精确。

    一种基于IGBT器件关断的电感提取方法及装置

    公开(公告)号:CN108267680A

    公开(公告)日:2018-07-10

    申请号:CN201711432950.1

    申请日:2017-12-26

    IPC分类号: G01R31/26

    摘要: 本发明公开一种基于IGBT器件关断的电感提取方法及装置,其中方法包括:获取待测IGBT器件在关断瞬态下的负载电流值、待测IGBT器件的集电极的至少四个不同关断电流值和发射极与集电极之间的至少四个不同关断电压值;根据测试参数,分别建立至少四个电压关系式,其分别包含四个不同的设定参数,四个不同的设定参数分别代表待测IGBT器件在关断瞬态下闭合回路中的续流支路电阻值、总电阻值、总电感值和电源电压值;计算四个电压关系式得到待测IGBT器件在关断瞬态下闭合回路中的总电感值。本发明通过获取待测IGBT器件在关断瞬态下其集电极多个不同关断电流值和发射极与集电极之间的多个不同关断电压值使得提取闭合回路的总电感值更加精确。

    一种基于IGBT器件的电感提取方法及装置

    公开(公告)号:CN108267643A

    公开(公告)日:2018-07-10

    申请号:CN201711434609.X

    申请日:2017-12-26

    IPC分类号: G01R27/26

    摘要: 本发明公开一种基于IGBT器件的电感提取方法及装置,其中方法包括:获取待测IGBT器件在开通瞬态下第一电流参数和第一电压参数、关断瞬态下第二电流参数和第二电压参数;选择第一电流参数和第二电流参数相同的数参数作为目标电流参数;根据目标电流参数和其对应电压参数分别建立待测IGBT器件在开通瞬态和关断瞬态闭合回路的第一电压关系式和第二电压关系式;计算第一电压关系式和第二电压关系式的差值消除电阻参数变量得到闭合回路中的电感参数。本发明通过同时分别采集待测IGBT器件开通瞬态的第一电流参数和第一电压参数和关断瞬态的第二电流参数和第二电压参数,通过计算消除回路中的电阻参数变量,可以准确地提取闭合回路中电感参数。

    一种功率半导体器件及其制作方法

    公开(公告)号:CN107452790B

    公开(公告)日:2024-06-18

    申请号:CN201710702108.9

    申请日:2017-08-16

    IPC分类号: H01L29/745 H01L21/332

    摘要: 本发明公开了一种功率半导体器件及其制作方法,其中功率半导体器件包括:第一导电类型的基板;第一掺杂层,设置在基板内,其为与第一导电类型相反的第二导电类型;第二掺杂层,设置在第一掺杂层内,其为第一导电类型;第三掺杂层,设置在第二掺杂层内,其为第二导电类型;控制电极,通过隔离层设置在基板的第一表面上,且隔离层与第一掺杂层、第二掺杂层和第三掺杂层的表面接触;第一电极,设置在基板的第一表面上,且第一电极与第一掺杂层、第二掺杂层和第三掺杂层的表面接触;以及第二电极,设置在基板的第二表面上。当控制电极接负电时,第三掺杂层形成少子的抽取路径,降低了载流子局部浓度,降低第一掺杂层和基板原有掺杂类型层之间的势垒。