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公开(公告)号:CN108279333B
公开(公告)日:2020-12-08
申请号:CN201711432967.7
申请日:2017-12-26
申请人: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网浙江省电力公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号: G01R27/26
摘要: 本发明公开一种基于IGBT器件的电感提取方法及装置,其中基于IGBT器件的电感提取方法包括如下步骤:获取待测IGBT器件在开通瞬态下的第一电流值、第一电压值以及第一电源电压值、关断瞬态下的第二电流值和第二电压值以及第二电源电压值;根据第一电流值、第一电压值以及第一电源电压值,计算闭合回路的第一电感值,并根据第二电流值、第二电压值以及第二电源电压值,计算闭合回路的第二电感值;计算第一电感值和第二电感值的平均值得到闭合回路中的第三电感值。本发明通过同时计算待测IGBT器件在开通瞬态下和关断瞬态下的电感值,然后通过计算二者电感值的平均值降低提取闭合回路电感值的误差。
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公开(公告)号:CN108267680B
公开(公告)日:2020-05-05
申请号:CN201711432950.1
申请日:2017-12-26
申请人: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网浙江省电力公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号: G01R31/26
摘要: 本发明公开一种基于IGBT器件关断的电感提取方法及装置,其中方法包括:获取待测IGBT器件在关断瞬态下的负载电流值、待测IGBT器件的集电极的至少四个不同关断电流值和发射极与集电极之间的至少四个不同关断电压值;根据测试参数,分别建立至少四个电压关系式,其分别包含四个不同的设定参数,四个不同的设定参数分别代表待测IGBT器件在关断瞬态下闭合回路中的续流支路电阻值、总电阻值、总电感值和电源电压值;计算四个电压关系式得到待测IGBT器件在关断瞬态下闭合回路中的总电感值。本发明通过获取待测IGBT器件在关断瞬态下其集电极多个不同关断电流值和发射极与集电极之间的多个不同关断电压值使得提取闭合回路的总电感值更加精确。
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公开(公告)号:CN108267643B
公开(公告)日:2020-02-21
申请号:CN201711434609.X
申请日:2017-12-26
申请人: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网浙江省电力公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号: G01R27/26
摘要: 本发明公开一种基于IGBT器件的电感提取方法及装置,其中方法包括:获取待测IGBT器件在开通瞬态下第一电流参数和第一电压参数、关断瞬态下第二电流参数和第二电压参数;选择第一电流参数和第二电流参数相同的数参数作为目标电流参数;根据目标电流参数和其对应电压参数分别建立待测IGBT器件在开通瞬态和关断瞬态闭合回路的第一电压关系式和第二电压关系式;计算第一电压关系式和第二电压关系式的差值消除电阻参数变量得到闭合回路中的电感参数。本发明通过同时分别采集待测IGBT器件开通瞬态的第一电流参数和第一电压参数和关断瞬态的第二电流参数和第二电压参数,通过计算消除回路中的电阻参数变量,可以准确地提取闭合回路中电感参数。
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公开(公告)号:CN108387783B
公开(公告)日:2020-05-05
申请号:CN201711432966.2
申请日:2017-12-26
申请人: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网浙江省电力公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号: G01R27/26
摘要: 本发明公开一种基于IGBT器件开通的电感提取方法及装置,其中方法包括:获取待测IGBT器件在开通瞬态下的负载电流值、待测IGBT器件的集电极的至少四个不同开通电流值和发射极与集电极之间的至少四个不同开通电压值;根据测试参数,分别建立至少四个电压关系式,其分别包含四个不同的设定参数,四个不同的设定参数分别代表待测IGBT器件在开通瞬态下闭合回路中的续流支路电阻值、总电阻值、总电感值和电源电压值;计算四个电压关系式得到待测IGBT器件在开通瞬态下闭合回路中的总电感值。本发明通过获取待测IGBT器件在开通瞬态下其集电极多个不同开通电流值和发射极与集电极之间的多个不同开通电压值使得提取闭合回路的总电感值更加精确。
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公开(公告)号:CN108387783A
公开(公告)日:2018-08-10
申请号:CN201711432966.2
申请日:2017-12-26
申请人: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网浙江省电力公司 , 国家电网公司
IPC分类号: G01R27/26
摘要: 本发明公开一种基于IGBT器件开通的电感提取方法及装置,其中方法包括:获取待测IGBT器件在开通瞬态下的负载电流值、待测IGBT器件的集电极的至少四个不同开通电流值和发射极与集电极之间的至少四个不同开通电压值;根据测试参数,分别建立至少四个电压关系式,其分别包含四个不同的设定参数,四个不同的设定参数分别代表待测IGBT器件在开通瞬态下闭合回路中的续流支路电阻值、总电阻值、总电感值和电源电压值;计算四个电压关系式得到待测IGBT器件在开通瞬态下闭合回路中的总电感值。本发明通过获取待测IGBT器件在开通瞬态下其集电极多个不同开通电流值和发射极与集电极之间的多个不同开通电压值使得提取闭合回路的总电感值更加精确。
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公开(公告)号:CN108279333A
公开(公告)日:2018-07-13
申请号:CN201711432967.7
申请日:2017-12-26
申请人: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网浙江省电力公司 , 国家电网公司
IPC分类号: G01R27/26
摘要: 本发明公开一种基于IGBT器件的电感提取方法及装置,其中基于IGBT器件的电感提取方法包括如下步骤:获取待测IGBT器件在开通瞬态下的第一电流值、第一电压值以及第一电源电压值、关断瞬态下的第二电流值和第二电压值以及第二电源电压值;根据第一电流值、第一电压值以及第一电源电压值,计算闭合回路的第一电感值,并根据第二电流值、第二电压值以及第二电源电压值,计算闭合回路的第二电感值;计算第一电感值和第二电感值的平均值得到闭合回路中的第三电感值。本发明通过同时计算待测IGBT器件在开通瞬态下和关断瞬态下的电感值,然后通过计算二者电感值的平均值降低提取闭合回路电感值的误差。
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公开(公告)号:CN108267680A
公开(公告)日:2018-07-10
申请号:CN201711432950.1
申请日:2017-12-26
申请人: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网浙江省电力公司 , 国家电网公司
IPC分类号: G01R31/26
摘要: 本发明公开一种基于IGBT器件关断的电感提取方法及装置,其中方法包括:获取待测IGBT器件在关断瞬态下的负载电流值、待测IGBT器件的集电极的至少四个不同关断电流值和发射极与集电极之间的至少四个不同关断电压值;根据测试参数,分别建立至少四个电压关系式,其分别包含四个不同的设定参数,四个不同的设定参数分别代表待测IGBT器件在关断瞬态下闭合回路中的续流支路电阻值、总电阻值、总电感值和电源电压值;计算四个电压关系式得到待测IGBT器件在关断瞬态下闭合回路中的总电感值。本发明通过获取待测IGBT器件在关断瞬态下其集电极多个不同关断电流值和发射极与集电极之间的多个不同关断电压值使得提取闭合回路的总电感值更加精确。
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公开(公告)号:CN108267643A
公开(公告)日:2018-07-10
申请号:CN201711434609.X
申请日:2017-12-26
申请人: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网浙江省电力公司 , 国家电网公司
IPC分类号: G01R27/26
摘要: 本发明公开一种基于IGBT器件的电感提取方法及装置,其中方法包括:获取待测IGBT器件在开通瞬态下第一电流参数和第一电压参数、关断瞬态下第二电流参数和第二电压参数;选择第一电流参数和第二电流参数相同的数参数作为目标电流参数;根据目标电流参数和其对应电压参数分别建立待测IGBT器件在开通瞬态和关断瞬态闭合回路的第一电压关系式和第二电压关系式;计算第一电压关系式和第二电压关系式的差值消除电阻参数变量得到闭合回路中的电感参数。本发明通过同时分别采集待测IGBT器件开通瞬态的第一电流参数和第一电压参数和关断瞬态的第二电流参数和第二电压参数,通过计算消除回路中的电阻参数变量,可以准确地提取闭合回路中电感参数。
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公开(公告)号:CN109004024A
公开(公告)日:2018-12-14
申请号:CN201810706963.1
申请日:2018-07-02
申请人: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网河北省电力有限公司
IPC分类号: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/06
摘要: 本发明提供一种半导体器件及其制作方法,该半导体制作方法包括:提供第一衬底;在所述第一衬底的表面形成第一阱区;在所述第一阱区中形成第二阱区;提供第二衬底,所述第二衬底导电类型与所述第一衬底导电类型相同;在所述第二衬底的表面形成第三阱区;将所述第一衬底未形成阱的表面和所述第二衬底未形成阱的表面进行键合。该方法采取背面直接键合的方式,形成高压逆阻IGBT,所形成的器件能够实现高压反向耐压,且制作工艺与传统IGBT制造工艺兼容,工艺简单,可实施性强,克服了现有技术中高压逆阻IGBT制作困难、成本高昂等问题。
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公开(公告)号:CN107452790B
公开(公告)日:2024-06-18
申请号:CN201710702108.9
申请日:2017-08-16
申请人: 全球能源互联网研究院有限公司
IPC分类号: H01L29/745 , H01L21/332
摘要: 本发明公开了一种功率半导体器件及其制作方法,其中功率半导体器件包括:第一导电类型的基板;第一掺杂层,设置在基板内,其为与第一导电类型相反的第二导电类型;第二掺杂层,设置在第一掺杂层内,其为第一导电类型;第三掺杂层,设置在第二掺杂层内,其为第二导电类型;控制电极,通过隔离层设置在基板的第一表面上,且隔离层与第一掺杂层、第二掺杂层和第三掺杂层的表面接触;第一电极,设置在基板的第一表面上,且第一电极与第一掺杂层、第二掺杂层和第三掺杂层的表面接触;以及第二电极,设置在基板的第二表面上。当控制电极接负电时,第三掺杂层形成少子的抽取路径,降低了载流子局部浓度,降低第一掺杂层和基板原有掺杂类型层之间的势垒。
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