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    一种基于IGBT器件的电感提取方法及装置
    3.
    发明授权
    一种基于IGBT器件的电感提取方法及装置 有权

    公开(公告)号：CN108267643B

    公开(公告)日：2020-02-21

    申请号：CN201711434609.X

    申请日：2017-12-26

    申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网浙江省电力公司 ,  国家电网有限公司

    发明人： 唐新灵 ,  张朋 ,  李现兵 ,  张喆 ,  武伟 ,  林仲康 ,  韩荣刚 ,  石浩 ,  田丽纷 ,  张璧君 ,  王亮

    IPC分类号： G01R27/26

    摘要： 本发明公开一种基于IGBT器件的电感提取方法及装置，其中方法包括：获取待测IGBT器件在开通瞬态下第一电流参数和第一电压参数、关断瞬态下第二电流参数和第二电压参数；选择第一电流参数和第二电流参数相同的数参数作为目标电流参数；根据目标电流参数和其对应电压参数分别建立待测IGBT器件在开通瞬态和关断瞬态闭合回路的第一电压关系式和第二电压关系式；计算第一电压关系式和第二电压关系式的差值消除电阻参数变量得到闭合回路中的电感参数。本发明通过同时分别采集待测IGBT器件开通瞬态的第一电流参数和第一电压参数和关断瞬态的第二电流参数和第二电压参数，通过计算消除回路中的电阻参数变量，可以准确地提取闭合回路中电感参数。

    一种功率半导体器件及其制作方法
    6.
    发明授权
    一种功率半导体器件及其制作方法 有权

    公开(公告)号：CN107452790B

    公开(公告)日：2024-06-18

    申请号：CN201710702108.9

    申请日：2017-08-16

    申请人： 全球能源互联网研究院有限公司

    发明人： 崔磊 ,  潘艳 ,  金锐 ,  温家良 ,  赵岩 ,  张璧君 ,  解海宁 ,  刘双宇

    IPC分类号： H01L29/745 ,  H01L21/332

    摘要： 本发明公开了一种功率半导体器件及其制作方法，其中功率半导体器件包括：第一导电类型的基板；第一掺杂层，设置在基板内，其为与第一导电类型相反的第二导电类型；第二掺杂层，设置在第一掺杂层内，其为第一导电类型；第三掺杂层，设置在第二掺杂层内，其为第二导电类型；控制电极，通过隔离层设置在基板的第一表面上，且隔离层与第一掺杂层、第二掺杂层和第三掺杂层的表面接触；第一电极，设置在基板的第一表面上，且第一电极与第一掺杂层、第二掺杂层和第三掺杂层的表面接触；以及第二电极，设置在基板的第二表面上。当控制电极接负电时，第三掺杂层形成少子的抽取路径，降低了载流子局部浓度，降低第一掺杂层和基板原有掺杂类型层之间的势垒。

    一种半导体器件封装结构和方法
    7.
    发明授权
    一种半导体器件封装结构和方法 有权

    公开(公告)号：CN108987350B

    公开(公告)日：2020-07-07

    申请号：CN201810712912.X

    申请日：2018-06-29

    申请人： 全球能源互联网研究院有限公司

    发明人： 崔磊 ,  张璧君 ,  吴鹏飞 ,  金锐 ,  潘艳 ,  温家良 ,  吴军民 ,  田丽欣

    IPC分类号： H01L23/10 ,  H01L23/043 ,  H01L23/22 ,  H01L23/473 ,  H01L21/52

    摘要： 本发明提供了一种半导体器件封装结构和方法，该封装结构包括：第一电极片；第二电极片，与所述第一电极片相对设置；半导体器件芯片，置在所述第一电极片和第二电极片之间；支撑部件，设置在所述半导体器件芯片的侧面，以在所述半导体器件芯片、所述第一电极片与所述支撑部件之间和/或所述半导体器件芯片、所述第二电极片与所述支撑部件之间形成空腔，并且所述支撑部件具有贯穿所述支撑部件且与所述空腔连通的通孔。所述半导体器件在使用时，通过该支撑部件上的通孔向该腔体内注入导电流体，有效提高器件封装的可靠性；对半导体器件芯片有良好的散热作用；同时具有良好的自保护功能，一旦液体泄漏，上电极或下电极自动与芯片开路。

    一种功率器件封装结构
    8.
    发明公开
    一种功率器件封装结构 有权

    公开(公告)号：CN108520870A

    公开(公告)日：2018-09-11

    申请号：CN201810338518.4

    申请日：2018-04-16

    申请人： 全球能源互联网研究院有限公司

    发明人： 崔磊 ,  张璧君 ,  吴鹏飞 ,  金锐 ,  潘艳 ,  温家良 ,  吴军民 ,  田丽欣

    IPC分类号： H01L23/48

    摘要： 本发明公开了一种功率器件封装结构，该封装结构包括上电极板、功率半导体器件芯片、下电极板，所述功率半导体器件芯片位于所述上电极板和下电极板之间，其特征在于，所述封装结构还包括第一弹性电极片和/或第二弹性电极片，所述第一弹性电极片位于所述上电极板与所述功率半导体器件芯片之间，所述第二弹性电极片位于所述下电极板与所述功率半导体器件芯片之间。该封装结构有效缓解了零部件加工公差带来的应力集中问题，在保证导电良好的前提下能够减小封装结构中芯片的受力，有效提高功率器件封装的可靠性；同时由于该弹性电极片是由弹性导电擦了或其他具有良好弹性和导电性的材料制成，还能提高对芯片的导热作用。

    一种基于IGBT器件开通的电感提取方法及装置
    9.
    发明公开
    一种基于IGBT器件开通的电感提取方法及装置 有权

    公开(公告)号：CN108387783A

    公开(公告)日：2018-08-10

    申请号：CN201711432966.2

    申请日：2017-12-26

    申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网浙江省电力公司 ,  国家电网公司

    发明人： 唐新灵 ,  李现兵 ,  张朋 ,  武伟 ,  林仲康 ,  韩荣刚 ,  石浩 ,  张喆 ,  田丽纷 ,  张璧君 ,  王亮

    IPC分类号： G01R27/26

    摘要： 本发明公开一种基于IGBT器件开通的电感提取方法及装置，其中方法包括：获取待测IGBT器件在开通瞬态下的负载电流值、待测IGBT器件的集电极的至少四个不同开通电流值和发射极与集电极之间的至少四个不同开通电压值；根据测试参数，分别建立至少四个电压关系式，其分别包含四个不同的设定参数，四个不同的设定参数分别代表待测IGBT器件在开通瞬态下闭合回路中的续流支路电阻值、总电阻值、总电感值和电源电压值；计算四个电压关系式得到待测IGBT器件在开通瞬态下闭合回路中的总电感值。本发明通过获取待测IGBT器件在开通瞬态下其集电极多个不同开通电流值和发射极与集电极之间的多个不同开通电压值使得提取闭合回路的总电感值更加精确。

    一种半导体器件高温电特性测试装置及方法
    10.
    发明授权
    一种半导体器件高温电特性测试装置及方法 有权

    公开(公告)号：CN109212399B

    公开(公告)日：2021-01-01

    申请号：CN201810906443.5

    申请日：2018-08-10

    申请人： 全球能源互联网研究院有限公司

    发明人： 查祎英 ,  金锐 ,  李玲 ,  董少华 ,  吴鹏飞 ,  张璧君 ,  杨霏 ,  潘艳

    IPC分类号： G01R31/26

    摘要： 本发明公开了一种半导体器件高温电特性测试装置及方法，该装置包括：脉冲电源、恒温加热设备、电特性测试设备，在第一预设时间内，脉冲电源向待测器件提供电流脉冲，恒温加热设备对待测器件进行加热；在第一预设时间后，脉冲电源与待测器件的连接断开，恒温加热设备对待测器件进行调温，使待测器件的结温达到并保持目标温度；电特性测试设备对待测器件进行高温电特性测试。通过实施本发明，使待测器件在自身损耗和恒温加热装置的共同作用下加热，升温速度快；电特性测试设备在器件升温过程中不与器件接触，避免受高温影响；脉冲电源与电特性测试设备在测试期间断开，避免两个设备相互影响，使得测试过程更加安全，且可以连续的长时间快速大批量测试。