-
公开(公告)号：CN112879674A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110356870.2
申请日：2021-04-01
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网经济技术研究院有限公司 , 应急管理部四川消防研究所 , 国网浙江省电力有限公司 , 国网浙江省电力有限公司金华供电公司 , 中国电力工程顾问集团西北电力设计院有限公司 , 中国电力工程顾问集团中南电力设计院有限公司 , 中国电力工程顾问集团西南电力设计院有限公司 , 中国电力工程顾问集团华东电力设计院有限公司 , 中国能源建设集团广东省电力设计研究院有限公司
发明人： 聂京凯 , 周亦夫 , 姬军 , 王庆 , 刘晓圣 , 黄勇 , 韩钰 , 侯东 , 蒋亚强 , 王幼军 , 吕文娟 , 王晖 , 李辰曦 , 徐晴 , 李克白 , 张喆 , 陈晓刚 , 赵凯美
摘要： 本发明提供一种换流站阀厅用小封堵组件，属于换流站阀厅封堵技术领域，包括：小封堵本体，为绝热材料，所述小封堵本体围绕待封堵的空隙构成环状，所述小封堵本体构成的环形上具有至少一个用于安装膨胀单元的空位；膨胀单元，为受热膨胀材料，所述膨胀单元设置在所述小封堵本体构成的环形的空位内。本发明提供的一种换流站阀厅用小封堵组件，当换流站阀厅温度升高后，大封堵受热会产生一定的形变，导致大封堵和小封堵之间产生缝隙，通过将膨胀单元设置于小封堵本体上设有的空位内，膨胀单元受热膨胀将缝隙填满，保证阀厅的防火性和密封性。
-
公开(公告)号：CN112879675A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110357597.5
申请日：2021-04-01
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网经济技术研究院有限公司 , 应急管理部四川消防研究所 , 国网浙江省电力有限公司 , 国网浙江省电力有限公司金华供电公司 , 中国电力工程顾问集团西北电力设计院有限公司 , 中国电力工程顾问集团中南电力设计院有限公司 , 中国电力工程顾问集团西南电力设计院有限公司 , 中国电力工程顾问集团华东电力设计院有限公司 , 中国能源建设集团广东省电力设计研究院有限公司
发明人： 聂京凯 , 周亦夫 , 刘晓圣 , 姬军 , 王庆 , 黄勇 , 韩钰 , 侯东 , 朱辉 , 吕文娟 , 王幼军 , 李辰曦 , 王晖 , 徐晴 , 李克白 , 张喆 , 陈晓刚 , 王斌
摘要： 本发明提供一种换流站阀厅用条形单元小封堵组件，属于换流站阀厅封堵技术领域，包括：小封堵本体，为绝热材料，所述小封堵本体围绕待封堵的空隙构成环状，所述小封堵本体构成的环形上具有至少一个用于安装膨胀单元的空位；膨胀单元，为受热膨胀材料，所述膨胀单元设置在所述小封堵本体构成的环形的空位内，所述膨胀单元为贯穿由所述小封堵本体所形成的环形的厚度方向的条形结构。本发明提供的一种换流站阀厅用条形单元小封堵组件，通过将膨胀单元设置于小封堵本体上设有的空位内，膨胀单元受热膨胀将缝隙填满，保证阀厅的防火性和密封性。
-
公开(公告)号：CN111693844B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202010797186.3
申请日：2020-08-10
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网浙江省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种压接型半导体器件的测试装置、测试方法及电子设备，其中，测试装置包括：压力传感器，用于检测施加于待测压接型半导体器件上的多组接触压力值；电压表，两端分别与待测压接型半导体器件的集电极和发射极连接，用于检测待测压接型半导体器件集电极与发射极之间的多组正向压降值；固定电流源，与待测压接型半导体器件集电极和发射极分别连接，用于向待测压接型半导体器件提供固定电流；处理器，与压力传感器及所述电压表连接，用于利用多组接触压力值、多组正向压降值、固定电流以及施压面积计算得到待测压接型半导体器件的接触电阻值。本发明无需测量压接型半导体器件的微观参数，测试简单易于操作。
-
公开(公告)号：CN111693844A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN202010797186.3
申请日：2020-08-10
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网浙江省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种压接型半导体器件的测试装置、测试方法及电子设备，其中，测试装置包括：压力传感器，用于检测施加于待测压接型半导体器件上的多组接触压力值；电压表，两端分别与待测压接型半导体器件的集电极和发射极连接，用于检测待测压接型半导体器件集电极与发射极之间的多组正向压降值；固定电流源，与待测压接型半导体器件集电极和发射极分别连接，用于向待测压接型半导体器件提供固定电流；处理器，与压力传感器及所述电压表连接，用于利用多组接触压力值、多组正向压降值、固定电流以及施压面积计算得到待测压接型半导体器件的接触电阻值。本发明无需测量压接型半导体器件的微观参数，测试简单易于操作。
-
公开(公告)号：CN111426931A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN202010322303.0
申请日：2020-04-22
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网浙江省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种IGBT器件的测试装置、测试方法及电子设备，其中，测试装置包括：压力传感器，用于检测施加于待测IGBT器件上的多组接触压力值；电压表，两端分别与待测IGBT器件的集电极和发射极连接，用于检测待测IGBT器件集电极与发射极之间的多组通态压降值；固定电流源，与待测IGBT器件集电极和发射极分别连接，用于向待测IGBT器件提供固定电流；处理器，与压力传感器及所述电压表连接，用于利用多组接触压力值、多组通态压降值、固定电流以及施压面积计算得到待测IGBT器件的接触电阻值。本发明提供的IGBT器件的测试装置，利用多组通态压降值、固定电流以及施压面积计算得到接触电阻值，无需测量IGBT器件的微观参数，测试简单易于操作。
-
公开(公告)号：CN214579378U
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202120673196.6
申请日：2021-04-01
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网经济技术研究院有限公司 , 应急管理部四川消防研究所 , 国网浙江省电力有限公司 , 国网浙江省电力有限公司金华供电公司 , 中国电力工程顾问集团西北电力设计院有限公司 , 中国电力工程顾问集团中南电力设计院有限公司 , 中国电力工程顾问集团西南电力设计院有限公司 , 中国电力工程顾问集团华东电力设计院有限公司 , 中国能源建设集团广东省电力设计研究院有限公司
发明人： 聂京凯 , 周亦夫 , 刘晓圣 , 姬军 , 王庆 , 黄勇 , 韩钰 , 侯东 , 朱辉 , 吕文娟 , 王幼军 , 李辰曦 , 王晖 , 徐晴 , 李克白 , 张喆 , 陈晓刚 , 王斌
摘要： 本实用新型提供一种换流站阀厅用条形单元小封堵组件，属于换流站阀厅封堵技术领域，包括：小封堵本体，为绝热材料，所述小封堵本体围绕待封堵的空隙构成环状，所述小封堵本体构成的环形上具有至少一个用于安装膨胀单元的空位；膨胀单元，为受热膨胀材料，所述膨胀单元设置在所述小封堵本体构成的环形的空位内，所述膨胀单元为贯穿由所述小封堵本体所形成的环形的厚度方向的条形结构。本实用新型提供的一种换流站阀厅用条形单元小封堵组件，通过将膨胀单元设置于小封堵本体上设有的空位内，膨胀单元受热膨胀将缝隙填满，保证阀厅的防火性和密封性。
-
公开(公告)号：CN214579379U
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202120673198.5
申请日：2021-04-01
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网经济技术研究院有限公司 , 应急管理部四川消防研究所 , 国网浙江省电力有限公司 , 国网浙江省电力有限公司金华供电公司 , 中国电力工程顾问集团西北电力设计院有限公司 , 中国电力工程顾问集团中南电力设计院有限公司 , 中国电力工程顾问集团西南电力设计院有限公司 , 中国电力工程顾问集团华东电力设计院有限公司 , 中国能源建设集团广东省电力设计研究院有限公司
发明人： 聂京凯 , 周亦夫 , 姬军 , 王庆 , 刘晓圣 , 黄勇 , 韩钰 , 侯东 , 蒋亚强 , 王幼军 , 吕文娟 , 王晖 , 李辰曦 , 徐晴 , 李克白 , 张喆 , 陈晓刚 , 赵凯美
摘要： 本实用新型提供一种换流站阀厅用小封堵组件，属于换流站阀厅封堵技术领域，包括：小封堵本体，为绝热材料，所述小封堵本体围绕待封堵的空隙构成环状，所述小封堵本体构成的环形上具有至少一个用于安装膨胀单元的空位；膨胀单元，为受热膨胀材料，所述膨胀单元设置在所述小封堵本体构成的环形的空位内。本实用新型提供的一种换流站阀厅用小封堵组件，当换流站阀厅温度升高后，大封堵受热会产生一定的形变，导致大封堵和小封堵之间产生缝隙，通过将膨胀单元设置于小封堵本体上设有的空位内，膨胀单元受热膨胀将缝隙填满，保证阀厅的防火性和密封性。
-
公开(公告)号：CN109801899A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201811607844.7
申请日：2018-12-27
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： H01L25/07
摘要： 本发明公开一种功率半导体模块，包括：多个并列设置的功率半导体单元，每个功率半导体单元封装在管壳中，且通过管壳中的弹力单元进行弹力支撑，每个功率半导体单元相互独立设置，且安装在第一金属电极与第二金属电极之间，第一金属电极与每个功率半导体单元电连接，第一金属电极与第二金属电极分别与外部电路电连接。本发明中的功率半导体模块中的功率半导体单元相互独立设置，当某一功率半导体单元一旦发生故障，可以利用另外正常的功率半导体单元替换，因此，可以充分利用芯片子模块，进而提高芯片子模块的利用率，可以减少芯片子模块的更换成本。
-
公开(公告)号：CN111722091A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010779327.9
申请日：2020-08-05
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网江苏省电力有限公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
IPC分类号： G01R31/28
摘要： 一种多芯片测试装置及测试方法，其中，多芯片测试装置包括：多个并联排布的测试子单元；各个所述测试子单元包括：第一测试电极和第二测试电极，所述第一测试电极与所述第二测试电极适于分别与待测的半导体芯片单元电学连接，所述第一测试电极能为所述半导体芯片单元提供压力；电流采集器，所述电流采集器适于获取所述第一测试电极或所述第二测试电极中通过的测试电流。所述多芯片测试装置能够提高测试精度和测试效率。
-
公开(公告)号：CN108183090B
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201711226416.5
申请日：2017-11-29
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网山东省电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
IPC分类号： H01L23/04 , H01L25/07 , H01L29/739 , H01L21/52
摘要： 一种芯片独立成型的压接式IGBT模块及其制备方法。本发明涉及电气元件制备技术领域，具体涉及大功率压接式IGBT模块封装技术领域。本发明提供的芯片结构，通过对烧结有第一导电平面和第二导电平面的半导体芯片进行绝缘外壳的包裹，能够最大限度的保护半导体芯片，避免环境对芯片的污染和破坏，降低芯片的储存环境要求苛刻度，并将储存、封装过程中有可能对半导体芯片带来损坏的风险降至最低。本发明所提供的芯片结构储存方便，环境宽松，并能够有效提高器件整体可靠性。本发明提供的压接式IGBT模块，接触热阻和接触电阻更低，器件可靠性高，早期失效率低，当其中并联的任一个芯片单元出现问题时，能够轻松进行更替。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
143 条记录 (耗时 0.134 秒)