公开(公告)号：CN113063990A

公开(公告)日：2021-07-02

申请号：CN202110310440.7

申请日：2021-03-23

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网山东省电力公司烟台供电公司

发明人： 杜玉杰 ,  唐新灵 ,  周扬

IPC分类号： G01R27/26 ,  G01R31/26 ,  G01R19/00

摘要： 本发明公开了一种杂散电容及功率半导体器件电流的计算方法，包括：基于获取的功率半导体器件在瞬态开通过程中的电流及瞬态关断过程中的电压，得到功率半导体器件的电流在瞬态开通过程中的电流变化曲线和功率半导体器件的电压在瞬态关断过程中的电压变化曲线；利用电流变化曲线、电压变化曲线和杂散电容瞬时表达式，确定测试电路中的杂散电容与电压的关系；获取功率半导体器件在瞬态关断过程中当前时刻对应的电压值，基于电压值和杂散电容与电压的关系，确定测试电路在当前时刻的当前杂散电容值。本发明利用瞬态关断过程中的电压变化曲线计算杂散电容与电压的关系，更准确评估测试电路中的杂散电容。

公开(公告)号：CN107845617B

公开(公告)日：2020-12-15

申请号：CN201710846539.2

申请日：2017-09-19

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网山东省电力公司电力科学研究院 ,  国家电网有限公司

发明人： 田丽纷 ,  李现兵 ,  张朋 ,  武伟 ,  林仲康 ,  石浩 ,  张喆 ,  唐新灵 ,  王亮

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L25/16 ,  H01L21/603

摘要： 本发明公开了一种芯片烧结品、子单元、IGBT封装模块及制备方法。该芯片烧结品包括第一钼片和第二钼片以及设置于两者间的芯片，第一钼片和第二钼片中至少一个为预制钼片，预制钼片为表面设置预制纳米银膜的钼片，且芯片中至少一面与预制纳米银膜相接触，通过采用预制纳米银膜能有效提高后续加压烧结过程中纳米银颗粒的分布均匀性，避免“咖啡环效应”，降低了热阻。同时保证由其烧结得到的烧结层中分布均匀的纳米级孔洞，通过这些纳米级孔洞能有效降低芯片和钼片间产生的应力，提高芯片烧结品的剪切强度。采用该芯片烧结品的单元和IGBT封装模块具有低的热阻、高的剪切强度，由预制纳米银膜烧结得到的烧结层致密性高，且分布纳米级孔洞。

公开(公告)号：CN108387783B

公开(公告)日：2020-05-05

申请号：CN201711432966.2

申请日：2017-12-26

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网浙江省电力公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 唐新灵 ,  李现兵 ,  张朋 ,  武伟 ,  林仲康 ,  韩荣刚 ,  石浩 ,  张喆 ,  田丽纷 ,  张璧君 ,  王亮

IPC分类号： G01R27/26

摘要： 本发明公开一种基于IGBT器件开通的电感提取方法及装置，其中方法包括：获取待测IGBT器件在开通瞬态下的负载电流值、待测IGBT器件的集电极的至少四个不同开通电流值和发射极与集电极之间的至少四个不同开通电压值；根据测试参数，分别建立至少四个电压关系式，其分别包含四个不同的设定参数，四个不同的设定参数分别代表待测IGBT器件在开通瞬态下闭合回路中的续流支路电阻值、总电阻值、总电感值和电源电压值；计算四个电压关系式得到待测IGBT器件在开通瞬态下闭合回路中的总电感值。本发明通过获取待测IGBT器件在开通瞬态下其集电极多个不同开通电流值和发射极与集电极之间的多个不同开通电压值使得提取闭合回路的总电感值更加精确。

公开(公告)号：CN111693844B

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202010797186.3

申请日：2020-08-10

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网浙江省电力有限公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 张西子 ,  张喆 ,  吴军民 ,  唐新灵 ,  林仲康 ,  王亮 ,  石浩 ,  韩荣刚 ,  杜玉杰 ,  孙帅

IPC分类号： G01R31/26

摘要： 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种压接型半导体器件的测试装置、测试方法及电子设备，其中，测试装置包括：压力传感器，用于检测施加于待测压接型半导体器件上的多组接触压力值；电压表，两端分别与待测压接型半导体器件的集电极和发射极连接，用于检测待测压接型半导体器件集电极与发射极之间的多组正向压降值；固定电流源，与待测压接型半导体器件集电极和发射极分别连接，用于向待测压接型半导体器件提供固定电流；处理器，与压力传感器及所述电压表连接，用于利用多组接触压力值、多组正向压降值、固定电流以及施压面积计算得到待测压接型半导体器件的接触电阻值。本发明无需测量压接型半导体器件的微观参数，测试简单易于操作。

公开(公告)号：CN115656561A

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202110745863.1

申请日：2021-07-01

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网江苏省电力有限公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 唐新灵 ,  代安琪 ,  吴军民

IPC分类号： G01R1/04 ,  G01R31/26

摘要： 本发明提供一种压接型IGBT子模组测试适配器及测试设备，压接型IGBT子模组测试适配器包括：上夹具与下夹具，下夹具适于与上夹具相对设置；上夹具包括：层叠且间隔设置的负极基板、正极基板和电感连接基板；下夹具包括：下基板，下基板适于设置IGBT子模组和陪测二极管；负极基板适于与IGBT子模组的发射极电学连接，正极基板适于与陪测二极管的阴极电学连接，下基板适于与陪测二极管的阳极、IGBT子模组的集电极以及电感连接基板电学连接。陪测二极管能够设置在适配器内部，缩减了功率回路的有效长度，从而降低了功率寄生电感，减小了开关过程中的过电压和振荡现象，有利于提高测试结果的准确性。

公开(公告)号：CN110211885B

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN201910467610.5

申请日：2019-05-30

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网江西省电力有限公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 武伟 ,  石浩 ,  赛朝阳 ,  唐新灵 ,  吴军民 ,  潘艳 ,  张朋 ,  李现兵

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31

摘要： 本发明公开了一种功率芯片预封装、封装方法及其结构、晶圆预封装结构，用于晶圆，晶圆上阵列排布有多个功率芯片，功率芯片的第一电极位于晶圆的第一表面，该预封装方法包括：将多个第一引出电极分别连接在功率芯片的第一电极上；利用封装材料填充各个第一引出电极之间的空间，形成包围第一引出电极的第一封装层；将多个第二引出电极分别连接在功率芯片的第二电极上；去除晶圆中各功率芯片之间预留划片槽区域，形成划片槽；利用封装材料填充划片槽及各个第二引出电极之间的空间，形成包围第二引出电极及划片槽的第二封装层；对晶圆进行切割，形成预封装功率芯片。通过实施本发明，避免了功率芯片终端受到污染的可能，提高了功率芯片的可靠性。

公开(公告)号：CN108183090B

公开(公告)日：2020-05-01

申请号：CN201711226416.5

申请日：2017-11-29

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网山东省电力公司电力科学研究院 ,  国家电网有限公司

发明人： 王亮 ,  林仲康 ,  田丽纷 ,  韩荣刚 ,  唐新灵 ,  石浩 ,  张朋 ,  李现兵 ,  张喆 ,  武伟

IPC分类号： H01L23/04 ,  H01L25/07 ,  H01L29/739 ,  H01L21/52

摘要： 一种芯片独立成型的压接式IGBT模块及其制备方法。本发明涉及电气元件制备技术领域，具体涉及大功率压接式IGBT模块封装技术领域。本发明提供的芯片结构，通过对烧结有第一导电平面和第二导电平面的半导体芯片进行绝缘外壳的包裹，能够最大限度的保护半导体芯片，避免环境对芯片的污染和破坏，降低芯片的储存环境要求苛刻度，并将储存、封装过程中有可能对半导体芯片带来损坏的风险降至最低。本发明所提供的芯片结构储存方便，环境宽松，并能够有效提高器件整体可靠性。本发明提供的压接式IGBT模块，接触热阻和接触电阻更低，器件可靠性高，早期失效率低，当其中并联的任一个芯片单元出现问题时，能够轻松进行更替。

公开(公告)号：CN110824321A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201911025441.6

申请日：2019-10-25

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网山东省电力公司电力科学研究院 ,  国家电网有限公司

发明人： 唐新灵 ,  张喆 ,  林仲康 ,  王亮 ,  李现兵 ,  张朋 ,  韩荣刚 ,  石浩

IPC分类号： G01R31/26

摘要： 本发明公开了一种IGBT动态参数测试平台的杂散电容获取方法，通过分析提取IGBT动态参数测试平台所涉及的杂散电容；根据包含杂散电容测试电路的等效电路图，计算在IGBT的关断过程中杂散电容的电流分量；根据电流分量获取IGBT关断瞬态过程中实测电流与理想电流的差值；利用IGBT关断瞬态过程，获得实测电流与理想电流的差值与杂散电容、IGBT集射极电压变化率之间的关联关系；根据关联关系计算IGBT动态参数测试平台的杂散电容值。本发明基于IGBT器件的关断瞬态波形，利用瞬态电压变化率和电流变化量，通过实测的方法计算动态测试平台的杂散电容，为准确评估器件的动态性能，提供可靠的动态数据奠定基础。

公开(公告)号：CN112928090B

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202110122169.4

申请日：2021-01-28

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网上海市电力公司

发明人： 林仲康 ,  石浩 ,  唐新灵 ,  王珅玮 ,  陈博文

IPC分类号： H01L23/492 ,  H01L23/498 ,  H01L21/66 ,  H01L23/10 ,  H01L25/07 ,  H01L21/52

摘要： 本发明提供一种功率半导体芯片封装结构、封装方法及封装模块，功率半导体芯片封装结构包括：基板电极；位于部分基板电极上的功率半导体芯片，功率半导体芯片背离基板电极的一面具有栅极；位于部分基板电极上且位于功率半导体芯片侧部的衬板，衬板背离基板电极的一侧表面具有第一导电层；连接栅极和第一导电层的键合引线；位于第一导电层上且与第一导电层固定连接的第一弹性测试电极，第一弹性测试电极适于在垂直于基板电极表面的方向上弹性形变。所述功率半导体芯片封装结构实现压接测试的同时结构稳定性提高。

公开(公告)号：CN111368464B

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN202010340549.0

申请日：2020-04-26

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网江苏省电力有限公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 林仲康 ,  潘艳 ,  韩荣刚 ,  唐新灵 ,  吴军民 ,  金锐 ,  张朋 ,  李现兵 ,  王亮

IPC分类号： G06F30/20 ,  G06F115/12

摘要： 本发明公开一种功率半导体器件的芯片筛选方法及装置，所述方法包括：将所述功率半导体器件划分为多个芯片位置；获取所述功率半导体器件中每个所述芯片位置对应的综合应力数据，所述综合应力数据包括电气应力数据、热应力数据和压力应力数据；获取多个候选芯片中每个所述候选芯片的综合极限数据，所述综合极限数据包括电气极限数据、热极限数据和压力极限数据；将多个目标芯片随机与所述多个芯片位置相匹配，所述目标芯片是综合极限数据大于对应芯片位置处的综合应力数据的候选芯片；计算所述多个目标芯片的综合极限数据和所述多个芯片位置对应的综合应力数据的误差；随机更换所述多个目标芯片，以确定使所述误差最小的最佳目标芯片。