-
公开(公告)号：CN111693844B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202010797186.3
申请日：2020-08-10
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网浙江省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种压接型半导体器件的测试装置、测试方法及电子设备，其中，测试装置包括：压力传感器，用于检测施加于待测压接型半导体器件上的多组接触压力值；电压表，两端分别与待测压接型半导体器件的集电极和发射极连接，用于检测待测压接型半导体器件集电极与发射极之间的多组正向压降值；固定电流源，与待测压接型半导体器件集电极和发射极分别连接，用于向待测压接型半导体器件提供固定电流；处理器，与压力传感器及所述电压表连接，用于利用多组接触压力值、多组正向压降值、固定电流以及施压面积计算得到待测压接型半导体器件的接触电阻值。本发明无需测量压接型半导体器件的微观参数，测试简单易于操作。
-
公开(公告)号：CN111722091A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010779327.9
申请日：2020-08-05
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网江苏省电力有限公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
IPC: G01R31/28
Abstract: 一种多芯片测试装置及测试方法，其中，多芯片测试装置包括：多个并联排布的测试子单元；各个所述测试子单元包括：第一测试电极和第二测试电极，所述第一测试电极与所述第二测试电极适于分别与待测的半导体芯片单元电学连接，所述第一测试电极能为所述半导体芯片单元提供压力；电流采集器，所述电流采集器适于获取所述第一测试电极或所述第二测试电极中通过的测试电流。所述多芯片测试装置能够提高测试精度和测试效率。
-
公开(公告)号：CN108183090B
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201711226416.5
申请日：2017-11-29
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网山东省电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
IPC: H01L23/04 , H01L25/07 , H01L29/739 , H01L21/52
Abstract: 一种芯片独立成型的压接式IGBT模块及其制备方法。本发明涉及电气元件制备技术领域，具体涉及大功率压接式IGBT模块封装技术领域。本发明提供的芯片结构，通过对烧结有第一导电平面和第二导电平面的半导体芯片进行绝缘外壳的包裹，能够最大限度的保护半导体芯片，避免环境对芯片的污染和破坏，降低芯片的储存环境要求苛刻度，并将储存、封装过程中有可能对半导体芯片带来损坏的风险降至最低。本发明所提供的芯片结构储存方便，环境宽松，并能够有效提高器件整体可靠性。本发明提供的压接式IGBT模块，接触热阻和接触电阻更低，器件可靠性高，早期失效率低，当其中并联的任一个芯片单元出现问题时，能够轻松进行更替。
-
公开(公告)号：CN110824321A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201911025441.6
申请日：2019-10-25
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网山东省电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种IGBT动态参数测试平台的杂散电容获取方法，通过分析提取IGBT动态参数测试平台所涉及的杂散电容；根据包含杂散电容测试电路的等效电路图，计算在IGBT的关断过程中杂散电容的电流分量；根据电流分量获取IGBT关断瞬态过程中实测电流与理想电流的差值；利用IGBT关断瞬态过程，获得实测电流与理想电流的差值与杂散电容、IGBT集射极电压变化率之间的关联关系；根据关联关系计算IGBT动态参数测试平台的杂散电容值。本发明基于IGBT器件的关断瞬态波形，利用瞬态电压变化率和电流变化量，通过实测的方法计算动态测试平台的杂散电容，为准确评估器件的动态性能，提供可靠的动态数据奠定基础。
-
公开(公告)号：CN114220796B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202111503735.2
申请日：2021-12-10
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: H01L23/552 , H01L25/07 , H01L23/498
Abstract: 本发明提供一种功率半导体芯片封装结构，包括：第一基板电极；位于部分所述第一基板电极上且与所述第一基板电极电连接的功率半导体芯片；环绕所述功率半导体芯片的线圈屏蔽结构，所述线圈屏蔽结构包括导电线圈以及包覆所述导电线圈的绝缘体。所述功率半导体芯片封装结构具有较高的耐压性。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111579958B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202010431615.5
申请日：2020-05-20
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网湖北省电力有限公司 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明公开了一种IGBT开关特性测试电路及测试方法，测试电路包括负载电感电路和直流母线电源，所述直流母线电源与所述负载电感电路以及被测IGBT器件串联；第一开关器件，连接在所述直流母线电源的正极与所述负载电感电路的输出端之间，用于切断或者接通直流母线；电阻R1，第一端连接所述第一开关器件的低压端，第二端与负载电感电路的输入端连接，用于在所述被测IGBT器件和/或所述第一开关器件和/或所述负载电感电路失效时，吸收所述直流母线电源的电量。本发明通过增加了第一开关器件和电阻R1，实现器件测试完成后切断直流母线电容能量释放通道，以及吸收直流母线释放的能量，降低器件失效后烧毁程度，防止失效器件爆炸。
-
公开(公告)号：CN114220796A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111503735.2
申请日：2021-12-10
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: H01L23/552 , H01L25/07 , H01L23/498
Abstract: 本发明提供一种功率半导体芯片封装结构，包括：第一基板电极；位于部分所述第一基板电极上且与所述第一基板电极电连接的功率半导体芯片；环绕所述功率半导体芯片的线圈屏蔽结构，所述线圈屏蔽结构包括导电线圈以及包覆所述导电线圈的绝缘体。所述功率半导体芯片封装结构具有较高的耐压性。
-
公开(公告)号：CN113889428A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202111285623.4
申请日：2021-11-01
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 深圳市先进连接科技有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体器件加工设备技术领域，具体涉及一种用于半导体器件的烧结设备及烧结方法。一种用于半导体器件的烧结设备，包括：工作台，所述工作台上设有驱动结构和加热结构；压制结构，设于所述工作台上，且与所述驱动结构对应设置，所述压制结构包括夹持机构和设于所述夹持机构上的多个施力机构，多个施力机构与设于所述工作台上的多个半导体器件一一对应，所述施力机构包括压头和与所述压头连接的压力均衡组件，所述压力均衡组件包括在所述压头施力时沿施力方向发生形变的第一偏压件。本发明提供了一种工作时压力稳定，降低半导体器件的损坏率的用于半导体器件的烧结设备及烧结方法。
-
公开(公告)号：CN112928090A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202110122169.4
申请日：2021-01-28
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网上海市电力公司
IPC: H01L23/492 , H01L23/498 , H01L21/66 , H01L23/10 , H01L25/07 , H01L21/52
Abstract: 本发明提供一种功率半导体芯片封装结构、封装方法及封装模块，功率半导体芯片封装结构包括：基板电极；位于部分基板电极上的功率半导体芯片，功率半导体芯片背离基板电极的一面具有栅极；位于部分基板电极上且位于功率半导体芯片侧部的衬板，衬板背离基板电极的一侧表面具有第一导电层；连接栅极和第一导电层的键合引线；位于第一导电层上且与第一导电层固定连接的第一弹性测试电极，第一弹性测试电极适于在垂直于基板电极表面的方向上弹性形变。所述功率半导体芯片封装结构实现压接测试的同时结构稳定性提高。
-
公开(公告)号：CN108279333B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201711432967.7
申请日：2017-12-26
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网浙江省电力公司 , 国家电网有限公司
IPC: G01R27/26
Abstract: 本发明公开一种基于IGBT器件的电感提取方法及装置，其中基于IGBT器件的电感提取方法包括如下步骤：获取待测IGBT器件在开通瞬态下的第一电流值、第一电压值以及第一电源电压值、关断瞬态下的第二电流值和第二电压值以及第二电源电压值；根据第一电流值、第一电压值以及第一电源电压值，计算闭合回路的第一电感值，并根据第二电流值、第二电压值以及第二电源电压值，计算闭合回路的第二电感值；计算第一电感值和第二电感值的平均值得到闭合回路中的第三电感值。本发明通过同时计算待测IGBT器件在开通瞬态下和关断瞬态下的电感值，然后通过计算二者电感值的平均值降低提取闭合回路电感值的误差。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
98
records
(took 0.052 seconds)
