公开(公告)号：CN1940148A

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200610141432.X

申请日：2006-09-29

Applicant: 关东化学株式会社 ,  学校法人早稻田大学

Inventor： 千田一敬 ,  加藤胜 ,  逢坂哲弥 ,  冲中裕

IPC: C25D3/56

CPC classification number: C22C5/02 ,  B32B15/018 ,  C22C9/00 ,  C22C45/003 ,  C22C45/02 ,  C25D3/562 ,  C25D3/62 ,  C25D7/00 ,  H01H1/023 ,  H01R13/03 ,  H05K3/244

Abstract: 本发明提供一种金－钴类无定形合金镀膜。利用使用了含有以金基准表示为0.01～0.1mol/dm3的浓度的氰化金盐、以钴基准表示为0.02～0.2mol/dm3的浓度的钴盐及以钨基准表示为0.1～0.5mol/dm3的浓度的钨酸盐的电镀液的电镀，形成以不具有微细晶体的均匀的无定形相形成的金－钴类无定形合金镀膜。本发明的金－钴类无定形合金镀膜由不具有微细晶体的均匀的无定形相形成，从而在以实际应用上没有问题的程度维持金本来的良好的接触电阻值或化学稳定性的同时，提高了硬度，因此作为继电器等电气·电子部件的接点材料十分有用。

公开(公告)号：CN102369309B

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201080011478.4

申请日：2010-03-10

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 岩井良太 ,  德久智明 ,  加藤胜 ,  横岛时彦 ,  青柳昌宏 ,  山地泰弘 ,  菊地克弥 ,  仲川博

IPC: C23C18/44 ,  H01L21/288 ,  H05K3/18 ,  H05K3/24

CPC classification number: H05K3/187 ,  C23C18/1605 ,  C23C18/1607 ,  C23C18/165 ,  C23C18/1834 ,  C23C18/1844 ,  C23C18/1851 ,  C23C18/44

Abstract: 本发明要解决的技术问题是提供一种化学镀金液，其能够在短时间内包埋在覆盖于基板上的抗蚀剂上所形成的单个或多个开口部，该开口部具有微米量级的基底材料露出部的宽度，尤其是具有100μm以下的基底材料露出部的宽度，且高度为3μm以上。化学镀金液中含有微细部析出促进剂，形成100μm以下的微细图案从而解决上述技术问题。

公开(公告)号：CN102369309A

公开(公告)日：2012-03-07

申请号：CN201080011478.4

申请日：2010-03-10

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 岩井良太 ,  德久智明 ,  加藤胜 ,  横岛时彦 ,  青柳昌宏 ,  山地泰弘 ,  菊地克弥 ,  仲川博

IPC: C23C18/44 ,  H01L21/288 ,  H05K3/18 ,  H05K3/24

CPC classification number: H05K3/187 ,  C23C18/1605 ,  C23C18/1607 ,  C23C18/165 ,  C23C18/1834 ,  C23C18/1844 ,  C23C18/1851 ,  C23C18/44

Abstract: 本发明要解决的技术问题是提供一种化学镀金液，其能够在短时间内包埋在覆盖于基板上的抗蚀剂上所形成的单个或多个开口部，该开口部具有微米量级的基底材料露出部的宽度，尤其是具有100μm以下的基底材料露出部的宽度，且高度为3μm以上。化学镀金液中含有微细部析出促进剂，形成100μm以下的微细图案从而解决上述技术问题。

公开(公告)号：CN101886265A

公开(公告)日：2010-11-17

申请号：CN201010171113.X

申请日：2010-05-13

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 加藤胜 ,  河野良

IPC: C23F1/18 ,  H01L21/3213

Abstract: 本发明目的在于提供一次蚀刻Cu金属层和Cu合金氧化物层用的、能够控制溶解性高的铜合金氧化物层的溶解、进而在成为一次蚀刻的对象的积层实现包括Cu合金氧化物层的所有层的溶解以适宜的平衡进行的条件的蚀刻液及蚀刻方法。本发明的蚀刻液为对包括与基板接触的铜氧化物层或铜合金氧化物层的基板上的含铜层积膜进行蚀刻用的蚀刻液，包含过氧化物和有机酸。本发明的蚀刻方法为对包括与基板接触的铜氧化物层或铜合金氧化物层的基板上的含铜层积膜进行蚀刻的方法，包括使用包含过氧化物和有机酸的蚀刻液进行蚀刻的工序。

公开(公告)号：CN100543188C

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200610054744.7

申请日：2006-03-10

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 黑岩健次 ,  加藤胜

IPC: C23F1/16 ,  C23F1/20

Abstract: 本发明提供不含有醋酸、没有刺激气味、性能变化小，可以在半导体装置和平板显示装置等电子装置的制造工序中使用的各种金属薄膜和金属氧化物薄膜的蚀刻液组合物。该蚀刻液组合物含有磷酸、硝酸、甲氧基醋酸和水。

公开(公告)号：CN101033549A

公开(公告)日：2007-09-12

申请号：CN200610054744.7

申请日：2006-03-10

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 黑岩健次 ,  加藤胜

IPC: C23F1/16 ,  C23F1/20

Abstract: 本发明提供不含有醋酸、没有刺激气味、性能变化小，可以在半导体装置和平板显示装置等电子装置的制造工序中使用的各种金属薄膜和金属氧化物薄膜的蚀刻液组合物。该蚀刻液组合物含有磷酸、硝酸、甲氧基醋酸和水。

公开(公告)号：CN103132078A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201210506721.0

申请日：2012-11-30

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 河野良 ,  加藤胜

IPC: C23F1/16 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26

Abstract: 本发明的课题是提供一种解决玻璃侵蚀性、面内不均一性、残渣、较长处理时间等问题，对含有Ti或Ti合金层的金属层压膜进行一并蚀刻的蚀刻液。本发明涉及一种用于对至少一层Ti或Ti合金层与至少一层其他金属层构成的金属层压膜进行一并蚀刻的蚀刻液，所述蚀刻液含有含氟酸或生成该含氟酸的氟化物，以及氟可配位的离子。本发明还涉及该蚀刻液的制造方法，以及使用该蚀刻液的蚀刻方法。

公开(公告)号：CN100347339C

公开(公告)日：2007-11-07

申请号：CN03102181.6

申请日：2003-01-30

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 加藤胜 ,  岩井良太

IPC: C23C18/44

CPC classification number: C23C18/44 ,  H05K3/244

Abstract: 本发明提供能够以单步工序形成密合性良好、且有孔度低的均一的金镀膜的无电解镀金液。该无电解镀金液通过置换反应得到的金的析出量是15μg/cm2以上，其中含有：可由金氧化的还原剂和与该还原剂同种或不同种的、可由基底金属氧化的还原剂。

公开(公告)号：CN1847457A

公开(公告)日：2006-10-18

申请号：CN200610075444.7

申请日：2006-04-14

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 高桥秀树 ,  黑岩健次 ,  加藤胜

IPC: C23F1/14

Abstract: 本发明目的在于抑制将有贵金属和贱金属共存的半导体材料上的贵金属进行蚀刻时的贱金属发生腐蚀的问题，并提高成品率。本发明提供一种蚀刻液，其与以氰化物和铅化合物为成分的水溶液相比，安全性优异且对环境的影响少。本发明的蚀刻液为从有贵金属和贱金属共存的半导体材料中蚀刻贵金属的碘系蚀刻液，该蚀刻液的贵金属与贱金属的蚀刻速率之比(贵金属的蚀刻速率/贱金属的蚀刻速率)为0.03或以上。

公开(公告)号：CN1847457B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200610075444.7

申请日：2006-04-14

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 高桥秀树 ,  黑岩健次 ,  加藤胜

IPC: C23F1/14

Abstract: 本发明目的在于抑制将有贵金属和贱金属共存的半导体材料上的贵金属进行蚀刻时的贱金属发生腐蚀的问题，并提高成品率。本发明提供一种蚀刻液，其与以氰化物和铅化合物为成分的水溶液相比，安全性优异且对环境的影响少。本发明的蚀刻液为从有贵金属和贱金属共存的半导体材料中蚀刻贵金属的碘系蚀刻液，该蚀刻液的贵金属与贱金属的蚀刻速率之比(贵金属的蚀刻速率/贱金属的蚀刻速率)为0.03或以上。