公开(公告)号：CN103858210A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201280047186.5

申请日：2012-09-25

Applicant: 凸版印刷株式会社

Inventor： 田边将人 ,  福上典仁 ,  坂田阳 ,  古沟透 ,  原口崇

IPC: H01L21/027 ,  G03F1/24

Abstract: 本发明提供一种反射型掩模坯、反射型掩模及它们的制造方法，抑制遮光框处的反射率，改善品质。反射型掩模包括：基板；在上述基板上形成的多层反射层；和在上述多层反射层之上形成的吸收层，上述反射型掩模具有上述吸收层的膜厚比其他区域的膜厚大的框形状的遮光框区域。另外，多层反射层在遮光框区域通过熔解而扩散混合。

公开(公告)号：CN110785704A

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201880042388.8

申请日：2018-06-29

Applicant: 凸版印刷株式会社

Inventor： 古沟透 ,  福上典仁

IPC: G03F1/24 ,  G03F1/54

Abstract: 第一实施方式的反射型光掩模坯(10)具备：基板(1)，在基板(1)上形成的反射层(2)，以及在反射层(2)上形成的、包含膜厚为17nm以上且小于25.0nm的氧化锡膜的光吸收层(4)。由此，抑制或减轻以远紫外线为光源的图案转印用的反射型光掩模的投影效应，提高对半导体基板的转印性能，并且同时抑制因清洗而产生的图案倒塌。

公开(公告)号：CN110785703A

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201880042350.0

申请日：2018-06-29

Applicant: 凸版印刷株式会社

Inventor： 福上典仁 ,  古沟透

IPC: G03F1/24

Abstract: 第一实施方式的反射型光掩模坯(10)具备：基板(1)、在基板(1)上形成的反射层(2)、和在反射层(2)上形成的光吸收层(4)。光吸收层(4)包含氧(O)相对于锡(Sn)的原子数比(O/Sn)超过1.50且为2.0以下、并且膜厚为25nm以上45nm以下的氧化锡膜。由此，抑制或减轻以远紫外为光源的图案转印用的反射型光掩模的投影效应，提高对半导体基板的转印性能，同时提高光吸收层的耐清洗性。

公开(公告)号：CN103858210B

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201280047186.5

申请日：2012-09-25

Applicant: 凸版印刷株式会社

Inventor： 田边将人 ,  福上典仁 ,  坂田阳 ,  古沟透 ,  原口崇

IPC: H01L21/027 ,  G03F1/24

Abstract: 本发明提供一种反射型掩模坯、反射型掩模及它们的制造方法，抑制遮光框处的反射率，改善品质。反射型掩模包括：基板；在上述基板上形成的多层反射层；和在上述多层反射层之上形成的吸收层，上述反射型掩模具有上述吸收层的膜厚比其他区域的膜厚大的框形状的遮光框区域。另外，多层反射层在遮光框区域通过熔解而扩散混合。

公开(公告)号：CN112997116A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN201980073304.1

申请日：2019-11-01

Applicant: 凸版印刷株式会社

Inventor： 古沟透 ,  福上典仁 ,  渡边原太 ,  成田英辅

IPC: G03F1/24 ,  G03F1/54

Abstract: 本发明提供具有良好的耐照射性，并且能够得到良好的转印性能的反射型光掩模坯以及反射型光掩模。反射型光掩模坯(10)在基板(1)的一个面上依次形成有反射入射光的反射层(2)、以及吸收入射光的吸收层(4)。吸收层(4)至少在最表层中含有：从锡、铟、碲的组中选择的第1材料，以及由从过渡金属、铋、硅的组中选择的1种或2种以上的材料构成的第2材料。第2材料的含量在同一层内大于20原子％且小于50原子％。