-
公开(公告)号：CN112997116A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201980073304.1
申请日：2019-11-01
Applicant: 凸版印刷株式会社
Abstract: 本发明提供具有良好的耐照射性，并且能够得到良好的转印性能的反射型光掩模坯以及反射型光掩模。反射型光掩模坯(10)在基板(1)的一个面上依次形成有反射入射光的反射层(2)、以及吸收入射光的吸收层(4)。吸收层(4)至少在最表层中含有：从锡、铟、碲的组中选择的第1材料，以及由从过渡金属、铋、硅的组中选择的1种或2种以上的材料构成的第2材料。第2材料的含量在同一层内大于20原子％且小于50原子％。
-
公开(公告)号：CN103858210A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201280047186.5
申请日：2012-09-25
Applicant: 凸版印刷株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F1/24
Abstract: 本发明提供一种反射型掩模坯、反射型掩模及它们的制造方法，抑制遮光框处的反射率，改善品质。反射型掩模包括：基板；在上述基板上形成的多层反射层；和在上述多层反射层之上形成的吸收层，上述反射型掩模具有上述吸收层的膜厚比其他区域的膜厚大的框形状的遮光框区域。另外，多层反射层在遮光框区域通过熔解而扩散混合。
-
公开(公告)号：CN103748660A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201280041142.1
申请日：2012-08-24
Applicant: 凸版印刷株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F1/24
Abstract: 本发明提供一种具有遮光性能高的遮光框的反射型掩模及其制造方法。在具有对多层反射层进行刻入而成的遮光框的反射型掩模中，通过仅对多层反射层进行侧蚀、或者仅将多层反射层加工成倒锥形形状，能够抑制EUV光（极端紫外线光）在遮光框边缘附近的反射，能够提供具有高遮光性的反射型掩模，能够形成高精度的转印图案。
-
公开(公告)号：CN113906343A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202080039794.6
申请日：2020-05-28
Applicant: 凸版印刷株式会社
Abstract: 提供可以在抑制投影效应的同时提高掩模的寿命的反射型光掩模坯和反射型光掩模。反射型光掩模坯(10)具备：基板(1)、设置在基板(1)上并反射入射光的反射部(7)、以及设置在反射部(7)上并吸收入射光的低反射部(8)。低反射部(8)为至少2层以上的层叠结构。低反射部(8)的最表层(5)相对于EUV(Extreme UltraViolet：极端紫外线，波长13.5nm)光的折射率n为0.90以上、消光系数k为0.02以下。
-
公开(公告)号：CN110785704A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201880042388.8
申请日：2018-06-29
Applicant: 凸版印刷株式会社
Abstract: 第一实施方式的反射型光掩模坯(10)具备：基板(1)，在基板(1)上形成的反射层(2)，以及在反射层(2)上形成的、包含膜厚为17nm以上且小于25.0nm的氧化锡膜的光吸收层(4)。由此，抑制或减轻以远紫外线为光源的图案转印用的反射型光掩模的投影效应，提高对半导体基板的转印性能，并且同时抑制因清洗而产生的图案倒塌。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105359255B
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201480038079.5
申请日：2014-08-28
Applicant: 凸版印刷株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F1/24
Abstract: 反射型光掩模(10)具有基板(11)；形成在该基板(11)上的多层反射膜(12)，该多层反射膜反射平版印刷用的包含波长5nm以上15nm以下的光的曝光光；形成在该多层反射膜(12)上的吸收膜(14)，该吸收膜吸收曝光光且同时形成有电路图案(15)或者电路图案形成预定区域；在电路图案(15)或者电路图案形成预定区域的外周侧，通过除去基板(11)上的多层反射膜(12)和吸收膜(14)的一部分而形成的遮光区域(B)，该遮光区域遮蔽由多层反射膜(12)反射的曝光光的一部分；以及在该遮光区域(B)的露出的基板表面(11b)的一部分上以3000nm以下的间距形成的多个凸部(1)，该多个凸部抑制曝光光所含的入射到遮光区域(B)的带外光的反射，所述带外光具有140nm以上800nm以下的波长。
-
公开(公告)号：CN117813513A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202280051722.2
申请日：2022-07-26
Applicant: 凸版印刷株式会社
IPC: G01N35/08 , B01D19/00 , B01J19/00 , B05D3/06 , B81B1/00 , B81C1/00 , B81C3/00 , G01N37/00 , G03F7/40
Abstract: 本发明提供可以抑制形成流路的树脂层与覆盖材料的接合不良的发生及流路变形的微流路芯片、以及其制造方法。微流路芯片(1)具备：基板(10)；由树脂材料构成并设置在基板(10)上以形成流路的隔壁层(11)；以及设置在隔壁层(11)的与基板(10)相反侧的面上的覆盖层(12)，其中，隔壁层(11)的弹性模量为1MPa以上且10GPa以下的范围内。
-
公开(公告)号：CN103748660B
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201280041142.1
申请日：2012-08-24
Applicant: 凸版印刷株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F1/24
Abstract: 本发明提供一种具有遮光性能高的遮光框的反射型掩模及其制造方法。在具有对多层反射层进行刻入而成的遮光框的反射型掩模中，通过仅对多层反射层进行侧蚀、或者仅将多层反射层加工成倒锥形形状，能够抑制EUV光（极端紫外线光）在遮光框边缘附近的反射，能够提供具有高遮光性的反射型掩模，能够形成高精度的转印图案。
-
公开(公告)号：CN110785703A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201880042350.0
申请日：2018-06-29
Applicant: 凸版印刷株式会社
IPC: G03F1/24
Abstract: 第一实施方式的反射型光掩模坯(10)具备：基板(1)、在基板(1)上形成的反射层(2)、和在反射层(2)上形成的光吸收层(4)。光吸收层(4)包含氧(O)相对于锡(Sn)的原子数比(O/Sn)超过1.50且为2.0以下、并且膜厚为25nm以上45nm以下的氧化锡膜。由此，抑制或减轻以远紫外为光源的图案转印用的反射型光掩模的投影效应，提高对半导体基板的转印性能，同时提高光吸收层的耐清洗性。
-
公开(公告)号：CN103858210B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201280047186.5
申请日：2012-09-25
Applicant: 凸版印刷株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F1/24
Abstract: 本发明提供一种反射型掩模坯、反射型掩模及它们的制造方法，抑制遮光框处的反射率，改善品质。反射型掩模包括：基板；在上述基板上形成的多层反射层；和在上述多层反射层之上形成的吸收层，上述反射型掩模具有上述吸收层的膜厚比其他区域的膜厚大的框形状的遮光框区域。另外，多层反射层在遮光框区域通过熔解而扩散混合。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
11
records
(took 0.015 seconds)
