-
公开(公告)号：CN101421433B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN200780012793.7
申请日：2007-02-12
申请人： 分子间公司
CPC分类号： H01L21/76849 , B01J19/0046 , B01J2219/0043 , B01J2219/00443 , B01J2219/00536 , B01J2219/00659 , B01J2219/0075
摘要： 提供一种利用材料、单元工艺、和工艺顺序的改变分析和优化半导体制造技术的方法。在该方法中，分析半导体制造工艺顺和构造的子集用于优化。在执行制造工艺顺序子集期间，改变用于创建某种结构的材料、单元工艺、和工艺顺序。在联合处理期间，在半导体衬底的离散区域之间改变材料、单元工艺或工艺顺序，其中在每一区域内，该工艺产生基本均匀或一致的结果，该结果代表商品半导体制造过程的结果。还提供一种用于优化工艺顺序的设备。
-
公开(公告)号：CN101919027B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200880113968.8
申请日：2008-09-05
申请人： 分子间公司
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/32051 , B01J19/0046 , B01J2219/0043 , B01J2219/00536 , B01J2219/00596 , B01J2219/00659 , B01J2219/00745 , B01J2219/00756 , C23C14/042 , C23C14/50 , C23C14/548 , C23C16/45544 , H01L21/67005 , H01L21/6719
摘要： 提供了一种组合式处理腔室。此组合式处理腔室用以隔绝可旋式基板支撑物的径向部分，而此基板支撑物转用以支撑一基板。在一实施方式中，此腔室包括多个丛集制程机头。在一实施方式中，具有底板的插件针对沉积制程定义一限制区域，其底板设置于此基板支撑物与此制程机头之间。此底板具有一开口，以使沉积材料能进入至此基板。经由此基板的转动与此开口的移动，此基板的多重区域易于用以在单一基板上执行组合式处理。
-
公开(公告)号：CN101842874B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200880114346.7
申请日：2008-09-05
申请人： 分子间公司
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/45565 , B05B14/30 , B05B16/80 , B05D1/10 , B05D1/62 , C23C16/4412 , C23C16/45589 , C23C16/4584 , C23C16/4585 , C23C16/4587 , C23C16/50 , Y10S438/942
摘要： 本发明的各个实施方式提供了基板与处理头的相对移动，以在最小空间内接近整个晶圆而在基板的各区域上执行组合式处理。处理头能够在所述的处理室中进行位置隔离处理，且还描述了一种使用所述处理头的方法。
-
公开(公告)号：CN101421433A
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200780012793.7
申请日：2007-02-12
申请人： 分子间公司
CPC分类号： H01L21/76849 , B01J19/0046 , B01J2219/0043 , B01J2219/00443 , B01J2219/00536 , B01J2219/00659 , B01J2219/0075
摘要： 提供一种利用材料、单元工艺、和工艺顺序的改变分析和优化半导体制造技术的方法。在该方法中，分析半导体制造工艺顺和构造的子集用于优化。在执行制造工艺顺序子集期间，改变用于创建某种结构的材料、单元工艺、和工艺顺序。在联合处理期间，在半导体衬底的离散区域之间改变材料、单元工艺或工艺顺序，其中在每一区域内，该工艺产生基本均匀或一致的结果，该结果代表商品半导体制造过程的结果。还提供一种用于优化工艺顺序的设备。
-
公开(公告)号：CN101919027A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200880113968.8
申请日：2008-09-05
申请人： 分子间公司
CPC分类号： H01L21/32051 , B01J19/0046 , B01J2219/0043 , B01J2219/00536 , B01J2219/00596 , B01J2219/00659 , B01J2219/00745 , B01J2219/00756 , C23C14/042 , C23C14/50 , C23C14/548 , C23C16/45544 , H01L21/67005 , H01L21/6719
摘要： 提供了一种组合式处理腔室。此组合式处理腔室用以隔绝可旋式基板支撑物的径向部分，而此基板支撑物转用以支撑一基板。在一实施方式中，此腔室包括多个丛集制程机头。在一实施方式中，具有底板的插件针对沉积制程定义一限制区域，其底板设置于此基板支撑物与此制程机头之间。此底板具有一开口，以使沉积材料能进入至此基板。经由此基板的转动与此开口的移动，此基板的多重区域易于用以在单一基板上执行组合式处理。
-
公开(公告)号：CN101842874A
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN200880114346.7
申请日：2008-09-05
申请人： 分子间公司
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/45565 , B05B14/30 , B05B16/80 , B05D1/10 , B05D1/62 , C23C16/4412 , C23C16/45589 , C23C16/4584 , C23C16/4585 , C23C16/4587 , C23C16/50 , Y10S438/942
摘要： 本发明的各个实施方式提供了基板与处理头的相对移动，以在最小空间内接近整个晶圆而在基板的各区域上执行组合式处理。处理头能够在所述的处理室中进行位置隔离处理，且还描述了一种使用所述处理头的方法。
-
-
-
-
-
搜索结果
6 条记录 (耗时 0.022 秒)
