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公开(公告)号：CN103456864B
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201310386184.5
申请日：2013-08-29
申请人： 刘晶
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
摘要： 本发明提供一种封装成本低、发光效率高、散热好的发光二极管芯片的制造方法。在蓝宝石衬底上依次生长出氮化镓缓冲层，负型半导体材料层、发光层与正型半导体材料层；在正型半导体材料层上同时刻蚀出电流阻挡区域和定义单颗芯片的切割槽，并在所述电流阻挡区域和定义单颗芯片的切割槽内填充绝缘材料；在正型半导体材料层上粘附导电支撑基材，剥离蓝宝石衬底；将剥离蓝宝石衬底后显露的氮化镓缓冲层去除，至显露出负型半导体材料层，再将负型半导体材料层的出光面粗化；在所述的负型半导体材料层上镀上负电极；切割导电支撑基材，崩裂外延片分离成单颗芯片。
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公开(公告)号：CN103441193A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201310386066.4
申请日：2013-08-29
申请人： 刘晶
摘要： 本发明提供一种焊线成本低，焊点可靠的LED芯片电极的制作方法，包括在衬底上依次生长出N型半导体层，发光层和P型半导体层，1）在所述P型半导体层上需要制作P型电极的区域镀上与P型半导体层非奥姆接触的第一电极接触层；2）在所述第一电极接触层上镀上电流阻挡层；3）在所述P型半导体层上，未被上述第一电极接触层和电流阻挡层覆盖的区域镀上电流扩散层；4）在所述电流阻挡层上镀上与电流扩散层欧姆接触的第二电极接触层；5）在所述第二电极接触层上镀上第三电极接触层；6）在所述第三电极接触层上采用化学方法镀上材料为金的电极焊线层。
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公开(公告)号：CN103463650B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201310360489.9
申请日：2013-08-16
申请人： 刘晶
摘要： 一种紫外线消毒容器，包括容器筒体和底部，筒体和底部构成容器的腔体，筒体位于腔体内一侧的壁面为内壁，筒体位于腔体外一侧的壁面为外壁，所述底部位于腔体内的一侧为内底面，底部位于腔体外的一侧为外底面；所述筒体上设置有磁块和感应线圈，磁块和感应线圈可相对运动以改变通过感应线圈的磁通量；所述底部设置与所述感应线圈电连接的紫外线发光二极管，所述发光二极管可照射所述容器的腔体。由于本发明自带发电系统，无需外接电源，产生紫外线的光源为体积小、功耗低发光二级管，并将发电系统和发光二级管巧妙地设计在容器的结构中，使得本发明具有体积小、便于携带和耗电量小的有益效果。
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公开(公告)号：CN103550799B
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201310359325.4
申请日：2013-08-16
申请人： 刘晶
摘要： 一种分体式紫外线消毒装置，包括容器和底座，所述容器包括有筒体与底部构成容器的腔体，所述筒体位于腔体内的一侧为内壁，筒体位于腔体外的一侧为外壁；所述筒体上设置有可上下滑动的磁块，所述底部为透明材料制作；所述的底座上设置有与所述容器底部形状像适应的卡槽，卡槽内设置有紫外线发光二极管，底座内设置有与所属紫外线发光二极管电连接的感应线圈；当所述容器底部卡入所述底座的卡槽中时，所述磁块在筒体上下滑动，可改变通过所述感应线圈的磁通量，所述紫外线发光二极管可透过容器底部照射入所述容器的腔体。由于本发明将发电系统和发光二级管巧妙地设计在容器的结构中，使得本发明具有体积小、便于携带和耗电量小的有益效果。
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公开(公告)号：CN103489966B
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201310386540.3
申请日：2013-08-29
申请人： 刘晶
摘要： 本发明提供一种焊线成本低，焊点可靠的LED芯片电极的制作方法，包括在制作好的LED外延片的部分区域上刻蚀P型半导体层、发光层至N型半导体层，蚀刻显露的N型半导体层形成N型电极区，未被蚀刻的P型半导体区域形成P型电极区；1)在所述P型电极区上需要制作电极的区域镀上与P型半导体层非奥姆接触的第一电极接触层；2)在所述电极接触层上镀上电流阻挡层；3)在P型电极区上，未被上述电极接触层和电流阻挡层覆盖的区域镀上电流扩散层；4)在电流阻挡层上镀上与电流扩散层欧姆接触的金属第二电极接触层；5)在所述第二电极接触层上镀上第三电极接触层；6)在第三电极接触层上采用化学方法镀上材料为金的电极焊线层。
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公开(公告)号：CN103463650A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201310360489.9
申请日：2013-08-16
申请人： 刘晶
摘要： 一种紫外线消毒容器，包括容器筒体和底部，筒体和底部构成容器的腔体，筒体位于腔体内一侧的壁面为内壁，筒体位于腔体外一侧的壁面为外壁，所述底部位于腔体内的一侧为内底面，底部位于腔体外的一侧为外底面；所述筒体上设置有磁块和感应线圈，磁块和感应线圈可相对运动以改变通过感应线圈的磁通量；所述底部设置与所述感应线圈电连接的紫外线发光二极管，所述发光二极管可照射所述容器的腔体。由于本发明自带发电系统，无需外接电源，产生紫外线的光源为体积小、功耗低发光二级管，并将发电系统和发光二级管巧妙地设计在容器的结构中，使得本发明具有体积小、便于携带和耗电量小的有益效果。
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公开(公告)号：CN103441193B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201310386066.4
申请日：2013-08-29
申请人： 刘晶
摘要： 本发明提供一种焊线成本低，焊点可靠的LED芯片电极的制作方法，包括在衬底上依次生长出N型半导体层，发光层和P型半导体层，1）在所述P型半导体层上需要制作P型电极的区域镀上与P型半导体层非奥姆接触的第一电极接触层；2）在所述第一电极接触层上镀上电流阻挡层；3）在所述P型半导体层上，未被上述第一电极接触层和电流阻挡层覆盖的区域镀上电流扩散层；4）在所述电流阻挡层上镀上与电流扩散层欧姆接触的第二电极接触层；5）在所述第二电极接触层上镀上第三电极接触层；6）在所述第三电极接触层上采用化学方法镀上材料为金的电极焊线层。
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公开(公告)号：CN103550799A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310359325.4
申请日：2013-08-16
申请人： 刘晶
摘要： 一种分体式紫外线消毒装置，包括容器和底座，所述容器包括有筒体与底部构成容器的腔体，所述筒体位于腔体内的一侧为内壁，筒体位于腔体外的一侧为外壁；所述筒体上设置有可上下滑动的磁块，所述底部为透明材料制作；所述的底座上设置有与所述容器底部形状像适应的卡槽，卡槽内设置有紫外线发光二极管，底座内设置有与所属紫外线发光二极管电连接的感应线圈；当所述容器底部卡入所述底座的卡槽中时，所述磁块在筒体上下滑动，可改变通过所述感应线圈的磁通量，所述紫外线发光二极管可透过容器底部照射入所述容器的腔体。由于本发明将发电系统和发光二级管巧妙地设计在容器的结构中，使得本发明具有体积小、便于携带和耗电量小的有益效果。
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公开(公告)号：CN103489966A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201310386540.3
申请日：2013-08-29
申请人： 刘晶
摘要： 本发明提供一种焊线成本低，焊点可靠的LED芯片电极的制作方法，包括在制作好的LED外延片的部分区域上刻蚀P型半导体层、发光层至负N型半导体层，蚀刻显露的N型半导体层形成N型电极区，未被蚀刻的P型半导体区域形成P型电极区；1）在所述P型电极区上需要制作电极的区域镀上于P型半导体层非奥姆接触的第一电极接触层；2）在所述电极接触层上镀上电流阻挡层；3）在P型电极区上，未被上述电极接触层和电流阻挡层覆盖的区域镀上电流扩散层；4）在电流阻挡层上镀上与电流扩散层欧姆接触的金属第二电极接触层；5）在所述第二电极接触层上镀上第三电极接触层；6）在第三电极接触层上采用化学方法镀上材料为金的电极焊线层。
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公开(公告)号：CN103456864A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201310386184.5
申请日：2013-08-29
申请人： 刘晶
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
摘要： 本发明提供一种封装成本低、发光效率高、散热好的发光二极管芯片的制造方法。在蓝宝石衬底上依次生长出氮化镓缓冲层，负型半导体材料层、发光层与正型半导体材料层；在正型半导体材料层上同时刻蚀出电流阻挡区域和定义单颗芯片的切割槽，并在所述电流阻挡区域和定义单颗芯片的切割槽内填充绝缘材料；在正型半导体材料层上粘附导电支撑基材，剥离蓝宝石衬底；将剥离蓝宝石衬底后显露的氮化镓缓冲层去除，至显露出负型半导体材料层，再将负型半导体材料层的出光面粗化；在所述的负型半导体材料层上镀上负电极；切割导电支撑基材，崩裂外延片分离成单颗芯片。
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