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公开(公告)号：CN108666316B
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201710252195.2
申请日：2017-04-18
申请人： 力晶积成电子制造股份有限公司
IPC分类号： H01L27/11524
摘要： 本发明公开一种非挥发性存储器结构及防止其产生编程干扰的方法，包括基底、至少一个存储单元、第一掺杂区、第二掺杂区与第三掺杂区。存储单元设置于基底上，且具有位于基底中的通道区。第一掺杂区、第二掺杂区与第三掺杂区在朝向通道区的排列方向上依序设置在基底中，且第一掺杂区最远离通道区。第一掺杂区与第三掺杂区为第一导电型，且第二掺杂区为第二导电型。
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公开(公告)号：CN118301942A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202310081037.0
申请日：2023-01-19
申请人： 力晶积成电子制造股份有限公司
发明人： 王子嵩
摘要： 本发明提出了一种三维相变化存储器及其制作方法，其中该三维相变化存储器包含一叠层结构由多个第一层与多个第二层交互层叠而成、一沟槽垂直穿过该叠层结构，且每个第二层从该沟槽往水平的第一方向凹陷而形成一侧向凹槽、多个上电极填满该些侧向凹槽、两个双向阈值开关层分别位于该沟槽的两侧壁上、多个相变化层位于该两双向阈值开关层的两侧壁上、多个下电极填满该沟槽、以及多个孔洞垂直延伸至该叠层结构的表面，该些孔洞将该些下电极以及该些相变化层在水平的第二方向上，其中该第二方向与该第一方向正交。
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公开(公告)号：CN117715425A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202211149733.2
申请日：2022-09-21
申请人： 力晶积成电子制造股份有限公司
IPC分类号： H10B41/35 , H10B43/35 , H01L21/027
摘要： 本发明提出了一种制作选择栅与字线的双重图案方法，包含在一目标层上形成第一串列图案，该第一串列图案包含字线图案与选择栅图案、在第一串列图案上形成共形的间隔层，其中该间隔层在第一串列图案之间形成沟槽、在该间隔层上形成一填充层，该填充层填满该些沟槽、移除沟槽外的填充层，如此沟槽中的填充层形成第二串列图案，第二串列图案与第一串列图案间隔排列、移除裸露的间隔层，如此第一串列图案与第二串列图案在目标层上构成间隔排列的目标图案、以及以该些目标图案为掩模进行蚀刻制作工艺移除裸露的目标层，如此形成字线与选择栅。
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公开(公告)号：CN115707249A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202111058786.9
申请日：2021-09-08
申请人： 力晶积成电子制造股份有限公司
发明人： 王子嵩
摘要： 本发明公开一种存储器结构，包括基底以及多个存储单元。多个存储单元堆叠设置在基底上。每个存储单元包括第一导体层、第一栅极、第二栅极、第二导体层、沟道层与第一电荷存储层。第一导体层、第一栅极、第二栅极与第二导体层依序堆叠。第一导体层与第一栅极彼此电性绝缘。第一栅极与第二栅极彼此电性绝缘。第二栅极与第二导体层彼此电性绝缘。沟道层位于第一导体层的一侧、第一栅极的一侧、第二栅极的一侧与第二导体层的一侧。第一栅极与第二栅极电性绝缘于沟道层。第一导体层与第二导体层电连接于沟道层。第一电荷存储层位于第一栅极与沟道层之间。
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公开(公告)号：CN111952320A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN201910463347.2
申请日：2019-05-30
申请人： 力晶积成电子制造股份有限公司
发明人： 王子嵩
IPC分类号： H01L27/11582
摘要： 本发明公开一种非挥发性存储器结构，其包括基底与多个存储单元。存储单元堆叠设置在基底上。每个存储单元包括栅极结构与电荷捕捉层。电荷捕捉层位于栅极结构的一侧。相邻两个存储单元中的相邻两个电荷捕捉层实体上彼此分离。
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公开(公告)号：CN117355139A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202210931290.6
申请日：2022-08-04
申请人： 力晶积成电子制造股份有限公司
发明人： 王子嵩
摘要： 本发明公开一种存储器结构，包括基底、第一介电层、第一存储单元、第一位线与源极线。第一介电层设置在基底上。第一存储单元包括第一导电层、第二导电层、第一沟道层与第一电荷存储层。第一导电层与第二导电层依序堆叠在第一介电层上且彼此电性绝缘。第一沟道层设置在第一导电层的一侧与第二导电层的一侧。第一导电层与第二导电层电性绝缘于第一沟道层。第一电荷存储层设置在第一导电层与第一沟道层之间。第一位线设置在第一介电层中且连接于第一沟道层。源极线设置在第一沟道层上方且连接于第一沟道层。
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公开(公告)号：CN114300469A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202011153992.3
申请日：2020-10-26
申请人： 力晶积成电子制造股份有限公司
发明人： 王子嵩
IPC分类号： H01L27/1157 , H01L27/11578 , G11C11/40
摘要： 本发明公开一种3D NAND闪存存储器元件包括：基底、基底上的源极线、源极线上的堆叠结构、堆叠结构上的位线以及柱状通道部。堆叠结构包括第一选择晶体管、多个存储单元与第二选择晶体管，其中第一选择晶体管包括第一选择栅极、存储单元包括控制栅极、第二选择晶体管包括第二选择栅极。柱状通道部自源极线轴向延伸并贯穿堆叠结构，以耦接至位线。所述第一选择晶体管包括改良萧特基能障(MSB)晶体管，以生成多数载流子直接隧穿(Direct Tunneling)至所述柱状通道部来执行程序操作或者抹除操作。
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公开(公告)号：CN110176452B
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN201810203742.2
申请日：2018-03-13
申请人： 力晶积成电子制造股份有限公司
发明人： 王子嵩
IPC分类号： H01L27/02 , H01L23/525 , H01L21/60
摘要： 本发明公开一种集成电路结构及其制造方法，该集成电路结构包括基底、堆叠结构与多个第一接触窗。堆叠结构设置于基底上，且包括交错堆叠设置的多个第一介电层与多个导体层。堆叠结构具有贯穿导体层的多个开口。第一接触窗位于开口中。第一接触窗的底部位于不同高度位置。第一接触窗与导体层以一对一的方式进行电连接。互不电连接的第一接触窗与导体层彼此隔离设置。
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公开(公告)号：CN110010607B
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201810030196.7
申请日：2018-01-12
申请人： 力晶积成电子制造股份有限公司
发明人： 王子嵩
IPC分类号： H01L27/11521 , H01L27/11568
摘要： 本发明公开一种非挥发性存储器结构及其制造方法。该非挥发性存储器结构包括多个存储单元、至少一层隔离层与至少一个屏蔽电极。存储单元设置于基底上。隔离层位于存储单元之间。屏蔽电极设置于隔离层上，且电连接至源极线。
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公开(公告)号：CN118613057A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202310247733.4
申请日：2023-03-15
申请人： 力晶积成电子制造股份有限公司
摘要： 本发明提供一种存储器装置，其包括基底、隧穿介电层、堆叠结构、字线结构、第一导电通孔以及第二导电通孔。基底包括阵列区以及邻接阵列区且在第一方向上彼此相对的第一连接区和第二连接区。隧穿介电层在基底的阵列区上。堆叠结构在隧穿介电层上且在第一方向上延伸。每个堆叠结构包括依序堆叠于隧穿介电层上的浮置栅极层、栅间介电层以及控制栅极层。字线结构在堆叠结构上且在第一方向上延伸。每个字线结构包括依序堆叠于控制栅极层上的过渡金属氧化物层、导体层以及顶盖层。第一导电通孔在第一连接区上且电连接至导体层。第二导电通孔在第二连接区上且电连接至控制栅极层。
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