公开(公告)号：CN102067324A

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN200880105135.7

申请日：2008-07-18

申请人： 加利福尼亚技术学院

发明人： 内森·S·刘易斯 ,  凯瑟琳·E·普拉斯 ,  约书亚·M·斯珀津 ,  H·A·阿特沃特

IPC分类号： H01L31/0232 ,  H01L31/0352

CPC分类号： H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02562 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02653 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/16 ,  H01L29/20 ,  H01L29/22 ,  Y10S438/962

摘要： 一种由嵌入在粘合剂材料中的良序半导体结构组成的结构，所述粘合剂材料保持所述半导体结构的次序和取向。用于形成这种结构的方法包括在衬底上形成半导体结构，将粘合剂材料涂布到所述衬底上以在所述粘合剂材料中嵌入所述半导体材料，以及在所述衬底处将所述粘合剂材料从所述衬底分离。这些方法为保持分离的粘合剂材料中的高度有序的半导体的取向和次序做准备。

公开(公告)号：CN101796648A

公开(公告)日：2010-08-04

申请号：CN200880105133.8

申请日：2008-07-18

申请人： 加利福尼亚技术学院

发明人： 约书亚·M·斯珀津 ,  凯瑟琳·E·普拉斯 ,  内森·S·刘易斯 ,  H·A·阿特沃特

IPC分类号： H01L31/0232 ,  H01L31/0352

CPC分类号： H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02562 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02653 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/16 ,  H01L29/20 ,  H01L29/22 ,  Y10S438/962

摘要： 通过将线阵列转移到聚合物基体、再利用用于几个阵列生长的图案化的氧化物以及最后抛光和再氧化晶片表面并再应用图案化的氧化物，来再利用用于线阵列的形成的硅晶片。

公开(公告)号：CN101796648B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200880105133.8

申请日：2008-07-18

申请人： 加利福尼亚技术学院

发明人： 约书亚·M·斯珀津 ,  凯瑟琳·E·普拉斯 ,  内森·S·刘易斯 ,  H·A·阿特沃特

IPC分类号： H01L31/0232 ,  H01L31/0352

CPC分类号： H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02562 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02653 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/16 ,  H01L29/20 ,  H01L29/22 ,  Y10S438/962

摘要： 通过将线阵列转移到聚合物基体、再利用用于几个阵列生长的图案化的氧化物以及最后抛光和再氧化晶片表面并再应用图案化的氧化物，来再利用用于线阵列的形成的硅晶片。

公开(公告)号：CN101842909A

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：CN200880107746.5

申请日：2008-07-18

申请人： 加利福尼亚技术学院

发明人： H·A·阿特沃特 ,  布兰登·M·卡耶斯 ,  内森·S·刘易斯 ,  詹姆士·R·马约洛三世 ,  约书亚·M·斯珀津

IPC分类号： H01L31/0232 ,  H01L31/0352

CPC分类号： H01L31/101 ,  H01G9/2054 ,  H01L31/0352 ,  Y02E10/542

摘要： 一种具有半导体结构阵列的设备，所述半导体阵列具有的尺寸、有序性和取向为光吸收和载荷子分离做了准备。该半导体结构以相对高的长宽比形成，即该半导体结构在接收光的方向上长，但是其具有相对小的半径以促进载流子的高效径向收集。