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公开(公告)号：CN102002758A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200910090660.2
申请日：2009-09-03
申请人： 北京中科信电子装备有限公司
IPC分类号： C30B33/02
摘要： 本发明是一种新型的晶片快速退火装置，应用上下两排正交的加热灯管对位于石英腔体内的晶片快速加热，通过灯管的适当排列和分区控制来调节热场的分布，利用加热金属腔体的内壁涂复特殊涂层增加对红外的反射，涂层的粗糙化处理其目的是使光路随机化，从而使辐射在整个晶片上均匀地分布。该发明特别适用于快速退火炉这类热处理装置，属于半导体制造领域。
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公开(公告)号：CN101727118A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200810224640.5
申请日：2008-10-22
申请人： 北京中科信电子装备有限公司
摘要： 本发明公开了一种快速热处理温度测控方法及测控系统，该系统包括：红外高温计、标准K型热电偶硅晶片、温度信号处理器、热电偶测温仪、加热功率调节器、交流电压过零检测器、定时计数器、可控硅控制信号隔离放大器、可控硅加热电源、加热灯组和控制计算机。所述的各个组件连接关系如附图1所示，整个系统由控制计算机统一协调进行控制，其中所述的加热功率调节器是内置于计算机中的程序。该温度测控方法，包括采用标准热电偶进行温度测量校准、红外高温计进行温度测量、定时计数器控制灯加热功率调节，以及加热灯分区控制对温度分布均匀性进行调整等步骤。本发明能对温度进行自适应PID调节，调控反应快速，能全自动实现快速温度测控功能。
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公开(公告)号：CN101727118B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN200810224640.5
申请日：2008-10-22
申请人： 北京中科信电子装备有限公司
摘要： 本发明公开了一种快速热处理温度测控方法及测控系统，该系统包括：红外高温计、标准K型热电偶硅晶片、温度信号处理器、热电偶测温仪、加热功率调节器、交流电压过零检测器、定时计数器、可控硅控制信号隔离放大器、可控硅加热电源、加热灯组和控制计算机。所述的各个组件连接关系如附图1所示，整个系统由控制计算机统一协调进行控制，其中所述的加热功率调节器是内置于计算机中的程序。该温度测控方法，包括采用标准热电偶进行温度测量校准、红外高温计进行温度测量、定时计数器控制灯加热功率调节，以及加热灯分区控制对温度分布均匀性进行调整等步骤。本发明能对温度进行自适应PID调节，调控反应快速，能全自动实现快速温度测控功能。
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公开(公告)号：CN101764030A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200810238899.5
申请日：2008-12-04
申请人： 北京中科信电子装备有限公司
IPC分类号： H01J37/317
摘要： 本发明公开了一种离子注入剂量控制系统及控制方法，涉及离子注入机，属于半导体制造领域。该系统包括剂量积分器、扫描发生器、NI运动控制器和NI实时测量与控制器。本发明的优点是能够显著地提高离子注入剂量值和均匀性的精度以及自恢复功能。
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公开(公告)号：CN102347801A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201010243470.2
申请日：2010-08-02
申请人： 北京中科信电子装备有限公司
摘要： 本发明公开了一种基于光纤和串行协议的群体数据交换环形体系结构，涉及离子注入机，属于半导体制造领域。该结构包括：一个主通讯卡、一个以上子控制器及控制计算机；所述的主通讯卡插于控制计算机内部的总线插槽上，再通过两对双向光纤与一个或以上的子控制器连接成环形网络结构；所述的主通讯卡上采用了双端口控制器；所述的子控制器可以包括高电位子控制器和地电位子控制器，各个高、地电位子控制器之间用光纤串行连接。本发明可实现在单个通讯周期内与整个子控制器群体进行信息交换的功能，即给某些子控制器下达命令的同时，可监控到所有子控制器的状态，而且通讯快速、稳定、可靠。
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公开(公告)号：CN102347260A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201010242571.8
申请日：2010-08-02
申请人： 北京中科信电子装备有限公司
IPC分类号： H01L21/677
摘要： 本发明公开了一种晶圆片传递系统中的互锁联动控制方法和装置，涉及离子注入机，属于半导体制造领域。一个互锁控制器、数个部件状态传感器、一块或以上互锁传感信号接口板，以及一块或以上互锁信号输出板构成了晶圆片传递系统互锁装置的实体结构。该互锁联动方法和装置采用硬件和软件相结合来进行互锁控制，有效避免了晶圆片传递系统中各部件进行的危险操作，大大提高了晶圆片传递系统操作的安全性能，全方位保护了操作人员和设备的安全。
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公开(公告)号：CN102002759A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200910090661.7
申请日：2009-09-03
申请人： 北京中科信电子装备有限公司
IPC分类号： C30B33/02 , H01L21/687 , H01L21/324 , H01L21/477
摘要： 本发明公开了一种晶片盒的定位支撑台，涉及快速热处理炉，属于半导体制造领域。该结构包括：一个片盒架、一个拉簧控制的转动钩型连杆，一个固定支架台，一与压簧和压杆连动的微型行程开关。所述的片盒架，用于支撑晶片盒，由螺钉与固定支架台连接；所述的拉簧助力的转动钩型连杆用于钩住固定晶片盒；所述的固定支架台用于整个片盒架的固定，以及将整个片盒架台固定在晶片传输系统中，让机械手取送晶片到晶片盒内的准确位置，晶片盒在定位支撑台上时，下压弹簧压杆，行程开关闭合，检测电路指示灯亮。
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公开(公告)号：CN102347194A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201010243088.1
申请日：2010-08-02
申请人： 北京中科信电子装备有限公司
IPC分类号： H01J37/317 , G05B19/04
摘要： 本发明公开了一种精确控制离子注入分布均匀的方法，涉及离子注入机，属于半导体制造领域。该方法包括高精度多通道束流与剂量采集、W扫描波形产生、水平方向束分布密度的检测与修正、束平行度检测、水平扫描与垂直扫描同步。系统主要由移动法拉第杯、闭环法拉第杯、采样法拉第杯、剂量控制器、位置同步板、直线电机和NI PXI实时测控系统构成。本发明能够自动实现离子注入离子的剂量的精确检测、自动实现注入离子分布的均匀性和剂量的准确性控制。
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公开(公告)号：CN101764028A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200810238898.0
申请日：2008-12-04
申请人： 北京中科信电子装备有限公司
IPC分类号： H01J37/20 , H01L21/687 , H01L21/673
摘要： 本发明涉及一种离子注入机用的晶片夹，属于半导体装备制造领域。一般注入机只对特定的尺寸来设计特定的一整套靶室晶片传送装置和注入时晶片夹持装置，为了在同一机台上既有束流宽度足够满足注入晶片尺寸要求下，改做小尺寸晶片的注入工艺时。往往至少需要更改晶片传送机械手，定向台，靶盘晶片夹持机构，更换整套装置不仅靶室注入流片系统设计者工作量大，设备维护工程师在每次更换拆装工作繁琐，机械结构的定位重复性、可靠性会大大下降，本发明为了避开靶室流片系统复杂的设计，直接采用设计一种晶片过渡夹装夹三寸晶片放置在四寸晶片盒中，由靶室晶片传送装置传送晶片夹完成注入。
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