反应腔室及半导体加工设备
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118621296A

    公开(公告)日:2024-09-10

    申请号:CN202310233324.9

    申请日:2023-03-07

    摘要: 本发明提供一种反应腔室及半导体加工设备,该反应腔室的门阀装置包括:转轴,可转动地设置于内腔体的传输口所在一侧,且转轴的第一端和第二端贯通外腔体,并延伸至外腔体外部;驱动装置,与转轴的第一端连接,用于驱动转轴转动;门板组件,与转轴固定连接,且具有空腔,空腔中设置有加热元件,用于加热内腔体内部;转轴中设置有接线通道,加热元件的正极接线和负极接线通过接线通道伸出至转轴的第二端端面之外;动接触组件,与转轴的第二端连接,动接触组件被设置为将加热元件的正极接线和负极接线与供电电源采用接触的方式电连接,且在转轴转动时保持彼此接触。本方案可以提高腔室内的升温速率和加热均匀性。

    机械手及其高度调节方法、半导体工艺设备

    公开(公告)号:CN114843216A

    公开(公告)日:2022-08-02

    申请号:CN202210497363.5

    申请日:2022-05-09

    IPC分类号: H01L21/677 H01L21/687

    摘要: 本申请实施例提供了一种机械手及其高度调节方法、半导体工艺设备。该机械手包括:安装结构、多个托臂及多个调节组件;安装结构与一驱动机构连接,用于在驱动机构的带动下移动;托臂的连接端通过调节组件安装在安装结构上,多个托臂的承载端朝背离安装结构的方向延伸设置,并且多个托臂并列设置用于承载晶片;多个调节组件与多个托臂一一对应设置,调节组件能对连接端施加沿竖直方向的拉力和/或推力,用于调节多个托臂的承载端在竖直方向上的高度。本申请实施例实现了多个托臂之间水平高度一致,从而使得多个托臂与工艺腔室的开口位置匹配。

    晶片承载装置及调节方法、半导体工艺设备

    公开(公告)号:CN114758980A

    公开(公告)日:2022-07-15

    申请号:CN202210498434.3

    申请日:2022-05-09

    IPC分类号: H01L21/687

    摘要: 本发明公开一种晶片承载装置及调节方法、半导体工艺设备,所述晶片承载装置包括框架、多个承载件、多个托盘和多个张紧机构;所述框架围设有容纳空间;多个所述承载件排布于所述容纳空间内,所述承载件的两端分别连接于所述框架的两侧,至少部分所述承载件的至少一端为活动端;多个所述托盘间隔的承载于多个所述承载件上,每个所述托盘通过多个所述承载件共同承载,所述托盘用于承载晶片;所述张紧机构设置于所述框架,所述承载件的所述活动端与所述张紧机构相连接,所述张紧机构用于张紧与其相连接的所述承载件。上述方案能够解决晶片在传输过程中的安全性较差的问题。

    一种晶片承载装置及半导体处理设备

    公开(公告)号:CN115394877A

    公开(公告)日:2022-11-25

    申请号:CN202211023959.8

    申请日:2022-08-25

    摘要: 本申请公开了一种晶片承载装置及半导体处理设备,晶片承载装置包括:下电极板,用于承载载板,并且下电极板上设置有窗口;第一驱动部,与下电极板连接,用于驱动下电极板上升至第一位置,或驱动下电极板下降至第二位置;升降组件,可升降地设置于窗口中,用于相对于下电极板上升时打开窗口,并在上升至第三位置时对载板形成支撑,且能够沿第一方向传输载板;或相对于下电极板下降至第四位置时,盖合窗口,且升降组件的顶面不高于下电极板的顶面;第二驱动部,与升降组件连接,用于驱动升降组件相对下电极板做升降运动。本申请在下电极板上设置窗口,在窗口中设置升降组件,升降组件上升至第三位置时对载板形成支撑,避免载板变形。

    反应腔室及半导体设备
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN115125523B

    公开(公告)日:2023-09-08

    申请号:CN202210743888.2

    申请日:2022-06-28

    摘要: 一种反应腔室及半导体设备,反应腔室包括:腔体;承载装置,用于向腔体内传输晶片,承载装置包括多个从上至下依次间隔设置的承载板,多个承载板中的至少部分承载板的上表面用于承载晶片,多个承载板中的至少部分承载板内设有气体通道,气体通道贯穿承载板的下表面;进气机构,进气机构穿过腔体的侧壁,且能够相对于腔体移动,以使进气机构能够与气体通道活动连接,进气机构用于与外部气源连通,以向气体通道内通入气体;驱动机构,驱动机构与进气机构连接,用于驱动进气机构与气体通道连通或断开。该反应腔室能够提高布气均匀性,提高气体的利用率。

    反应腔室及半导体设备
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115125523A

    公开(公告)日:2022-09-30

    申请号:CN202210743888.2

    申请日:2022-06-28

    摘要: 一种反应腔室及半导体设备,反应腔室包括:腔体;承载装置,用于向腔体内传输晶片,承载装置包括多个从上至下依次间隔设置的承载板,多个承载板中的至少部分承载板的上表面用于承载晶片,多个承载板中的至少部分承载板内设有气体通道,气体通道贯穿承载板的下表面;进气机构,进气机构穿过腔体的侧壁,且能够相对于腔体移动,以使进气机构能够与气体通道活动连接,进气机构用于与外部气源连通,以向气体通道内通入气体;驱动机构,驱动机构与进气机构连接,用于驱动进气机构与气体通道连通或断开。该反应腔室能够提高布气均匀性,提高气体的利用率。

    半导体工艺设备及其预热腔室
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114823427A

    公开(公告)日:2022-07-29

    申请号:CN202210598891.X

    申请日:2022-05-30

    IPC分类号: H01L21/67

    摘要: 本申请公开一种半导体工艺设备及其预热腔室,涉及半导体技术领域,预热腔室包括腔室本体、载片装置、传动机构、加热组件、驱动机构和密封机构,腔室本体内设有预热腔,载片装置包括载板,载板用于承载晶片;传动机构设置在预热腔中,用于传送及支撑载片装置;加热组件与腔室本体活动连接,加热组件包括第一电极和第二电极,第一电极与第二电极的极性相反,第一电极和第二电极用于与载板电连接,以加热载板;驱动机构用于驱动第一电极和第二电极与载板电连接或断开;密封机构用于将腔室本体与加热组件密封连接。半导体工艺设备包括上述的预热腔室。如此设置,载板的热量直接传递给晶片,传热效率提高,晶片加热至工艺温度的时间缩短。