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公开(公告)号：CN118668191A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410702675.4
申请日：2024-05-31
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： C23C16/458 , C23C16/511 , C23C16/52 , C30B25/12 , C30B29/04 , C30B25/16
摘要： 本申请提供了一种基片台系统MPCVD设备，包括：层叠设置的微波反射台和大钼台；基片台，设置在所述大钼台远离所述微波反射台的一侧；其中，所述大钼台远离所述微波反射台的一侧设置有环形凸起，所述环形凸起与所述基片台同轴，并环绕在所述基片台的外周。如此设置，在基片台的外周设置环形凸台，可以使基片台上方形成的等离子体分布较为均匀，进而减小中心和边缘的温度差，保证金刚石生长速率一致，降低金刚石晶体应力，降低裂片率。
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公开(公告)号：CN118083983A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202211490608.8
申请日：2022-11-25
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： C01B32/984 , C30B23/00 , C30B29/36
摘要： 本申请公开了一种含氮的碳化硅粉料的制备方法及碳化硅晶体的生长方法，涉及碳化硅晶体制备领域。一种含氮的碳化硅粉料的制备方法包括：将硅原料和碳原料按预设摩尔比充分混合，得到混合物原料；将放置有混合物原料的加热容器置于反应设备中；对反应设备抽真空，加热；向反应设备内通入保护气体以及氮气，继续加热升高反应设备内的温度，使碳原料和硅原料发生反应，降温，得到含氮的碳化硅粉料。一种碳化硅晶体的生长方法包括：将上述含氮的碳化硅粉料置于加热容器中并加热，加热容器内的含氮的碳化硅粉料升华后在加热容器顶部的碳化硅籽晶处结晶，得到碳化硅晶体。本申请能够解决碳化硅晶体电阻率均匀性较差引起缺陷的问题。
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公开(公告)号：CN108240767B
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201611220551.4
申请日：2016-12-26
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： F27D1/18
摘要： 本发明涉及扩散炉技术领域，尤其涉及扩散炉炉门密封结构，包括石英管、炉门本体、平移机构和旋转机构，平移机构和旋转机构均与炉门本体连接，分别用于带动炉门本体平移和旋转，进而使炉门打开或关闭，石英管包括第一管段和沿第一管段的轴向向外延伸出的第二管段，第一管段的内径小于第二管段的内径，炉门本体包括轴向上平行设置的内门和外门，在炉门闭合时，内门嵌入到第二管段内将第一管段的管口封堵，外门将第二管段的管口封堵。该炉门密封结构采用内门和外门双层封堵，即使内门在长期使用后密封性下降，外层门依然能够起到良好的封堵效果，提高了密封性，保证了工艺效果。
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公开(公告)号：CN108240767A
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201611220551.4
申请日：2016-12-26
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： F27D1/18
摘要： 本发明涉及扩散炉技术领域，尤其涉及扩散炉炉门密封结构，包括石英管、炉门本体、平移机构和旋转机构，平移机构和旋转机构均与炉门本体连接，分别用于带动炉门本体平移和旋转，进而使炉门打开或关闭，石英管包括第一管段和沿第一管段的轴向向外延伸出的第二管段，第一管段的内径小于第二管段的内径，炉门本体包括轴向上平行设置的内门和外门，在炉门闭合时，内门嵌入到第二管段内将第一管段的管口封堵，外门将第二管段的管口封堵。该炉门密封结构采用内门和外门双层封堵，即使内门在长期使用后密封性下降，外层门依然能够起到良好的封堵效果，提高了密封性，保证了工艺效果。
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公开(公告)号：CN117822092A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202211182818.0
申请日：2022-09-27
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： C30B15/14
摘要： 本申请公开了一种晶体生长炉及半导体工艺设备，涉及半导体装备领域。一种晶体生长炉，包括：第一热场、第二热场、过渡传热件、第一发热器和第二发热器；所述第一热场与所述第二热场沿轴向方向设置，所述过渡传热件连接于所述第一热场与所述第二热场之间，用于在所述第一热场与所述第二热场之间传热；所述第一发热器设置于所述第一热场和所述过渡传热件的外侧，用于对所述第一热场和所述过渡传热件传热，所述第二发热器设置于所述第二热场的外侧，用于对所述第二热场传热。一种半导体工艺设备，包括上述晶体生长炉。本申请能够解决当前单腔结构的坩埚内温度差值较大，导致材料受热不均的问题。
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公开(公告)号：CN114950727A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210609936.9
申请日：2022-05-31
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
摘要： 本发明公开一种滤尘装置、排气系统、半导体工艺设备及其排气方法。该滤尘装置包括壳体、超声机构和偏压电极，壳体具有粉尘收集腔以及与粉尘收集腔连通的第一进气口和第一排气口，工艺尾气从第一进气口进入粉尘收集腔，并从第一排气口排除粉尘收集腔；超声机构设置于粉尘收集腔内，超声机构用于向粉尘收集腔内提供超声波，且超声机构产生的超声波可增强粉尘收集腔内漂浮的粉尘振动，以使粉尘碰撞带电；偏压电极设置于粉尘收集腔内，偏压电极用于吸引粉尘收集腔内带电的粉尘向偏压电极运动。该方案能够解决工艺腔室的排气系统的维护成本高的问题。
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公开(公告)号：CN114318519A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111674812.0
申请日：2021-12-31
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
发明人： 张磊
摘要： 本发明公开了一种碳化硅籽晶与石墨盖的固定方法、石墨盖及生长工艺方法，包括：在碳化硅籽晶的固定面形成金刚石膜层；在石墨盖的粘接面上形成有机胶层；将碳化硅籽晶的背面与所述石墨盖的粘接面相对，使金刚石膜层与有机胶层粘接在一起；对粘接有碳化硅籽晶的石墨盖施加第一设定压力并加热至第一设定温度，使有机胶层固化为粘接石墨层，其中，第一设定温度低于金刚石发生石墨相变的温度。实现减少碳化硅单晶生长工艺过程中籽晶背面升华，提高碳化硅晶体的良品率。
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公开(公告)号：CN110768596A
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201911092281.7
申请日：2019-11-08
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
摘要： 本发明提供一种可变电容步进电机的位置校准装置、射频匹配器及半导体设备，该可变电容步进电机的位置校准装置包括：校准组件，设置在所述步进电机的转轴上，随所述转轴同轴旋转，且所述校准组件上设置有用于标识所述转轴的单位旋转角度的标识结构，所述单位旋转角度等于所述步进电机的步距角；测控单元，用于检测所述标识结构，根据检测结果生成位移脉冲信号，并根据所述位移脉冲信号确定所述步进电机的位置。通过本发明，提高了匹配器的可靠性。
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公开(公告)号：CN118847631A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202310487452.6
申请日：2023-04-28
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
发明人： 张磊
摘要： 本申请公开一种清洗装置、半导体工艺设备及其清洗方法，属于半导体技术领域，清洗装置包括喷射管、至少一个喷头、支撑构件以及干冰气流源，至少一个喷头设置于喷射管，喷射管设置于支撑构件，喷射管可伸入半导体工艺设备的连通管内，干冰气流源与喷射管连通，用于向喷射管喷射携带干冰颗粒的气流，以使气流由喷头喷射至连通管的内壁面，以清洗连通管。半导体工艺设备包括工艺腔室、连通管和上述的清洗装置，工艺腔室背离连通管的一侧设有下盖，支撑构件可与下盖相连，以使喷射管伸入连通管内。半导体工艺设备的清洗方法包括：使喷射管伸入半导体工艺设备的连通管内；打开干冰气流源，以使气流通过喷射管的喷头喷向连通管的内壁面，以清洗连通管。
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公开(公告)号：CN114950727B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202210609936.9
申请日：2022-05-31
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
摘要： 本发明公开一种滤尘装置、排气系统、半导体工艺设备及其排气方法。该滤尘装置包括壳体、超声机构和偏压电极，壳体具有粉尘收集腔以及与粉尘收集腔连通的第一进气口和第一排气口，工艺尾气从第一进气口进入粉尘收集腔，并从第一排气口排除粉尘收集腔；超声机构设置于粉尘收集腔内，超声机构用于向粉尘收集腔内提供超声波，且超声机构产生的超声波可增强粉尘收集腔内漂浮的粉尘振动，以使粉尘碰撞带电；偏压电极设置于粉尘收集腔内，偏压电极用于吸引粉尘收集腔内带电的粉尘向偏压电极运动。该方案能够解决工艺腔室的排气系统的维护成本高的问题。
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