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公开(公告)号：CN111987031B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN201910438245.5
申请日：2019-05-23
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/67
摘要： 本发明提供一种卡盘装置及半导体设备，该卡盘装置包括由下而上依次设置的基座、底座以及用于承载被加工工件的卡盘，其中，所述基座与所述底座之间设置有隔热件；还包括短接结构；所述短接结构设置在所述底座和所述基座的外侧或者二者之间，且分别与所述底座和所述基座电接触；所述卡盘的下表面与所述底座的上表面相贴合。通过本发明，可添加射频电源并在实现射频功能的同时保证了工艺稳定性。
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公开(公告)号：CN117690827A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311695845.2
申请日：2023-12-11
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： H01L21/67 , C23C14/56 , C23C14/06 , C23C14/35 , H01L21/673
摘要： 本发明提供一种晶圆装载腔和晶圆承载盒，该晶圆装载腔包括腔体、提拉机构和升降开锁机构，其中，提拉机构用于约束护罩或者解除对护罩的约束；升降开锁机构用于承载并驱动晶圆承载盒升降，还用于驱动锁定组件在锁紧状态与解除锁紧状态之间切换，并在提拉机构约束护罩，且锁定组件解除对护罩锁紧的情况下，升降开锁机构能够驱动底座组件相对于护罩下降至对应传输口的传片位置。本发明提供的晶圆装载腔，可以减少晶圆表面上的颗粒物数量，保证晶圆洁净度，提高产品良率。
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公开(公告)号：CN107227448B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN201710554503.7
申请日：2017-06-30
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： C23C14/50
摘要： 本公开提供一种基座以及物理气相沉积装置。该基座包括：基座本体，具有一支撑面；支撑柱，位于所述基座本体的所述支撑面的中部区域；以及支撑件，位于所述基座本体的围绕所述支撑面的中部区域的周边区域，其中，所述支撑柱被配置为支撑待加工件，所述支撑件被配置为支撑盖环，在所述待加工件被所述支撑柱支撑且所述盖环被所述支撑件支撑时，所述盖环的至少靠近内侧的部分位于所述待加工件的上侧，且所述盖环与所述待加工件彼此分离。该基座或物理沉积装置通过支撑件支撑盖环，从而使得盖环不与待加工件接触，减小了待加工件所受的外部零件的压力。
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公开(公告)号：CN116815140A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310745558.1
申请日：2023-06-21
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
摘要： 本申请公开一种半导体工艺设备的工艺腔室，包括腔体、校准机构以及设于腔体之内的承载座、托架和遮蔽部件；校准机构设于腔体；遮蔽部件可随托架在第一位置与第二位置之间切换；在遮蔽部件处在第一位置的情况下，遮蔽部件与承载座错开，且校准机构可将遮蔽部件调整至托架上的预设位置处；在遮蔽部件处在托架上的预设位置处，且托架带动遮蔽部件运动至第二位置的情况下，遮蔽部件位于承载座的上方，且遮蔽部件的中心轴线与承载座的中心轴线之间的间隔距离小于或等于第一预设距离。此方案能解决相关技术涉及的工艺腔室在对遮蔽部件进行位置校准时较易产生颗粒而污染承载座的问题。本申请还公开一种半导体工艺设备。
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公开(公告)号：CN115074687B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202210759057.4
申请日：2022-06-30
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
摘要： 本申请公开了一种磁控管运动装置、磁控管组件及半导体工艺设备，涉及半导体工艺装备领域。磁控管运动装置包括旋转驱动机构、支撑机构、限位机构和遮蔽机构；支撑机构安装第一磁控管和第二磁控管；限位机构包括第一限位结构和第二限位结构，第一限位结构与支撑机构连接，第二限位结构与旋转端连接，第一限位结构和第二限位结构相对转动或静止；遮蔽机构与第二限位结构或旋转端连接；第一限位结构和第二限位结构相对转动时，旋转驱动机构带动遮蔽机构转动至遮蔽一个磁控管；第一限位结构和第二限位结构相对静止时，旋转驱动机构通过支撑机构带动第一磁控管和第二磁控管转动。本申请至少能够解决单一磁控管带来的适应性差的问题。
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公开(公告)号：CN115110053A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210885299.8
申请日：2022-07-26
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
摘要： 本申请公开了一种可调平基座及半导体工艺设备，涉及半导体装备领域。一种可调平基座包括：基座本体、基座轴、安装架组件、安装座组件和调节组件；基座本体连接于基座轴的一端；安装架组件设有分别用于供基座轴穿设的第一安装孔和第二安装孔；安装座组件用于将安装架组件安装至工艺腔室，安装座组件设有安装通道，基座轴穿设于安装通道内，且两者之间存有间隙；调节组件包括调节衬套和调节件，调节衬设置于第一安装孔与基座轴之间，且调节衬套与第一安装孔的孔壁之间存有预设间隙，调节件带动调节衬套在第一安装孔内运动。一种半导体工艺设备，包括上述可调平基座。本申请能够解决磁控溅射镀膜工艺腔室存在的无法调节基座水平度的问题。
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公开(公告)号：CN113897588A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202111123228.6
申请日：2021-09-24
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
发明人： 赵康宁
摘要： 本发明提供了一种半导体工艺设备中的遮蔽装置，用于遮蔽所述半导体工艺设备工艺腔室中用于承载晶圆的基座，包括：遮蔽盘和用于承载所述遮蔽盘的托盘，其中，所述遮蔽盘包括：遮蔽盘本体和设置在所述遮蔽盘本体上的突出部，所述突出部位于所述遮蔽盘本体朝向所述托盘的一侧，所述托盘上设置有多个校正机构，多个所述校正机构沿所述突出部的周向分布，多个所述校正机构的用于在所述遮蔽盘落至所述托盘的过程中，在所述遮蔽盘重力的作用下夹持所述突出部，并推动所述突出部沿所述托盘的表面移动至目标位置。本发明实施例还提供了一种半导体工艺设备。本发明能够提高遮蔽盘与托盘对位的准确性。
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公开(公告)号：CN111987031A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201910438245.5
申请日：2019-05-23
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/67
摘要： 本发明提供一种卡盘装置及半导体设备，该卡盘装置包括由下而上依次设置的基座、底座以及用于承载被加工工件的卡盘，其中，所述基座与所述底座之间设置有隔热件；还包括短接结构；所述短接结构设置在所述底座和所述基座的外侧或者二者之间，且分别与所述底座和所述基座电接触；所述卡盘的下表面与所述底座的上表面相贴合。通过本发明，可添加射频电源并在实现射频功能的同时保证了工艺稳定性。
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公开(公告)号：CN111809157A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN202010692137.3
申请日：2020-07-17
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： C23C14/35 , H01J25/50 , H01L21/203
摘要： 本申请实施例提供了一种半导体工艺设备及其磁控管机构。该磁控管机构包括：背板组件、活动磁极及固定磁极；背板组件包括第一背板及第二背板，第二背板能相对于第一背板移动；多个固定磁极设置于第一背板的底面上，多个活动磁极设置于第二背板的底面上；当第二背板移动至预设位置时，多个活动磁极中的至少一个活动磁极与多个固定磁极中的至少一个固定磁极构成一呈闭合状态的磁控管，其它活动磁极及固定磁极呈非闭合状态。本申请实施例实现多个磁控管的交替启辉，进而实现多种工艺之间快速切换，并且不会出现多个磁控管之间争夺启辉现象，从而进一步增加工艺稳定性。
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公开(公告)号：CN107227448A
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201710554503.7
申请日：2017-06-30
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： C23C14/50
CPC分类号： C23C14/50
摘要： 本公开提供一种基座以及物理气相沉积装置。该基座包括：基座本体，具有一支撑面；支撑柱，位于所述基座本体的所述支撑面的中部区域；以及支撑件，位于所述基座本体的围绕所述支撑面的中部区域的周边区域，其中，所述支撑柱被配置为支撑待加工件，所述支撑件被配置为支撑盖环，在所述待加工件被所述支撑柱支撑且所述盖环被所述支撑件支撑时，所述盖环的至少靠近内侧的部分位于所述待加工件的上侧，且所述盖环与所述待加工件彼此分离。该基座或物理沉积装置通过支撑件支撑盖环，从而使得盖环不与待加工件接触，减小了待加工件所受的外部零件的压力。
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