半导体加工设备的调压装置和半导体加工设备

    公开(公告)号:CN115896729B

    公开(公告)日:2024-09-24

    申请号:CN202110903949.2

    申请日:2021-08-06

    发明人: 王磊

    IPC分类号: C23C14/54 H01L21/67

    摘要: 本发明公开一种半导体加工设备的调压装置和半导体加工设备,涉及半导体加工设备技术领域。该调压装置包括调节板和驱动组件。半导体加工设备包括工艺腔室和排气口,排气口设置于工艺腔室上。调节板可移动地设置于工艺腔室中,用于遮挡排气口;驱动组件与调节板相连,且驱动组件可驱动调节板相对排气口移动,以调节排气口的流通面积。该技术方案能解决相关技术中半导体加工设备内不同腔室工艺压力调节困难的问题。

    工艺腔室、半导体工艺设备及承载装置的调节方法

    公开(公告)号:CN118668193A

    公开(公告)日:2024-09-20

    申请号:CN202310274394.9

    申请日:2023-03-17

    摘要: 本申请公开了一种工艺腔室、半导体工艺设备及承载装置的调节方法,涉及半导体领域。一种工艺腔室包括腔体、承载装置、第一测距装置、第二测距装置和控制装置;腔体顶部设有进气端面,承载装置通过升降机构驱动可升降地设于腔体内,承载装置设有第一通孔和盲孔,盲孔的孔底与承载面相距预设距离;第一测距装置和第二测距装置分别设于腔体,并位于承载装置背离进气端面的一侧,且两者的测距端共面;第一测距装置与第一通孔相对,测量第一平面与进气端面之间的第一距离,第二测距装置测量第一平面与盲孔的孔底间的第二距离;控制装置根据第一距离、第二距离和预设距离得到承载面与进气端面之间的实际距离。本申请至少解决反应间隔存在误差等问题。

    半导体工艺腔室
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118522657A

    公开(公告)日:2024-08-20

    申请号:CN202310180855.6

    申请日:2023-02-17

    摘要: 本申请公开一种半导体工艺腔室,属于半导体工艺技术。该工艺腔室包括:腔体,侧壁设置有传片口;基座,包括用于承载晶圆的开设有多个通孔的第一表面;工艺组件,包括沉积环、隔离环以及遮盖环,以共同配合围绕第一表面设置,进而在腔体的上部形成工艺隔离空间;升降支撑组件,升降连接于腔体的底壁上,其多个第一支撑体的顶端均用于抵接遮盖环的下表面,以通过驱动遮盖环升降,实现工艺隔离空间与传片口的活动连通,其多个第二支撑体的顶端一一对应置于多个通孔中,且其多个第一支撑体的顶端所在的最高平面高于其多个第二支撑体的顶端所在的最高平面。本技术方案可在无基座升降机构下满足工艺腔室的传片和工艺需求,以有效降低腔室的整体高度。

    一种半导体设备中的传输腔室及退火设备

    公开(公告)号:CN112151430B

    公开(公告)日:2024-06-21

    申请号:CN202010954506.1

    申请日:2020-09-11

    发明人: 王磊 赵磊

    摘要: 本发明公开一种半导体设备中的传输腔室及退火设备,其中传输腔室包括:至少一个腔室本体,每个腔室本体均包括相互隔离的至少两个子腔室,每个子腔室均设有与腔室本体外部相通的通气孔;设置在腔室本体外壁上的安装块,安装块上设有与通气孔一一对应的抽气通道;开关部件,开关部件能够选择性地堵塞或连通任一抽气通道。本发明一方面使传输腔室和抽真空管路结构紧凑,提高设备的维护空间,另一方面可以对每一个子腔室单独进行抽真空,可以避免子腔室间存在交叉污染的问题。

    工艺腔室及半导体工艺设备
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117778967A

    公开(公告)日:2024-03-29

    申请号:CN202211149344.X

    申请日:2022-09-21

    发明人: 杨依龙 王磊

    摘要: 本申请公开一种工艺腔室及半导体工艺设备,工艺腔室包括腔室本体、内衬件和承载装置;内衬件将腔室本体的内腔分隔为溅射空间和传输空间,腔室本体开设有传片口和抽气口,传片口与传输空间相连通,内衬件开设有通气通道;承载装置可升降地设于传输空间内,承载装置包括承载台和第一波纹管,第一波纹管的两端分别与腔室本体的底壁和承载台面向腔室本体的底壁的一侧密封连接,第一波纹管与抽气口相连通;在承载台上升至工艺位置的情况下,第一波纹管朝向承载台的一端与内衬件密封连接,溅射空间通过通气通道与第一波纹管的内部空间相连通,传片口与第一波纹管的内部空间相隔断。上述方案能够解决工艺腔室的工艺效率较低的问题。

    半导体腔室及半导体工艺设备

    公开(公告)号:CN113445017A

    公开(公告)日:2021-09-28

    申请号:CN202110608738.6

    申请日:2021-06-01

    发明人: 王磊

    IPC分类号: C23C14/56 C23C14/34 H01L21/67

    摘要: 本发明公开一种半导体腔室及半导体工艺设备,所述半导体腔室包括内衬件(200),所述内衬件(200)界定溅射空间(201),所述内衬件(200)开设有第一通孔(202),所述溅射空间(201)与所述第一通孔(202)相连通,其特征在于,所述半导体腔室还包括:遮挡件(300),所述遮挡件(300)环绕设置于所述内衬件(200)之外,且遮盖所述第一通孔(202),所述遮挡件(300)与所述内衬件(200)围成装配间隙(510),所述装配间隙(510)与所述半导体腔室内除所述溅射空间(201)之外的容纳空间通过所述装配间隙(510)连通。上述方案能够解决半导体腔室的洁净度较差的问题。

    一种晶圆传输系统的控制方法和半导体工艺设备

    公开(公告)号:CN113192863A

    公开(公告)日:2021-07-30

    申请号:CN202110336964.3

    申请日:2021-03-29

    发明人: 王磊

    IPC分类号: H01L21/67 H01L21/677

    摘要: 本发明实施例提供了一种晶圆传输系统的控制方法和半导体工艺设备,所述方法包括:在传输晶圆时,确定当前操作的机械手的实际高度信息;根据所述实际高度信息,以及所述当前操作的机械手在所述传输结构中的位置,确定所述承载结构的目标高度信息和目标速度信息;按照所述目标高度信息和所述目标速度信息,控制所述承载结构进行移动。通过本发明实施例,实现了对晶圆传输中承载结构的高度和速度控制,避免出现承载结构与机械手发生碰撞的情况,并减小了承载结构与机械手之间的距离,从而减小了装载腔的腔室体积,提高了真空环境与大气环境的切换效率。

    一种晶圆传输系统的控制方法和半导体工艺设备

    公开(公告)号:CN113192863B

    公开(公告)日:2024-04-16

    申请号:CN202110336964.3

    申请日:2021-03-29

    发明人: 王磊

    IPC分类号: H01L21/67 H01L21/677

    摘要: 本发明实施例提供了一种晶圆传输系统的控制方法和半导体工艺设备,所述方法包括:在传输晶圆时,确定当前操作的机械手的实际高度信息;根据所述实际高度信息,以及所述当前操作的机械手在所述传输结构中的位置,确定所述承载结构的目标高度信息和目标速度信息;按照所述目标高度信息和所述目标速度信息,控制所述承载结构进行移动。通过本发明实施例,实现了对晶圆传输中承载结构的高度和速度控制,避免出现承载结构与机械手发生碰撞的情况,并减小了承载结构与机械手之间的距离,从而减小了装载腔的腔室体积,提高了真空环境与大气环境的切换效率。

    弹性等电位环、上电极齿轮箱及组件、半导体处理设备

    公开(公告)号:CN112054316A

    公开(公告)日:2020-12-08

    申请号:CN201910490726.0

    申请日:2019-06-06

    摘要: 本发明公开了一种弹性等电位环、上电极齿轮箱、上电极组件和半导体处理设备。所述弹性等电位环包括第一安装面、与所述第一安装面相对设置的第二安装面以及连接所述第一安装面与所述第二安装面的弧形连接面,所述弧形连接面在受到挤压力时能够发生变形,以使得所述第一安装面与所述第二安装面之间产生相对位移。在将弹性等电位环安装在齿轮箱中时,其可以将旋转密封组件中金属部分与齿轮驱动机构导通,两者具有相同电位,不会产生打火问题,避免因机械密封密封橡胶失效而出现漏水问题。

    反应腔室和半导体设备
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109735822A

    公开(公告)日:2019-05-10

    申请号:CN201811354815.4

    申请日:2018-11-14

    IPC分类号: C23C14/50 C23C14/35 H01L21/67

    摘要: 公开了一种反应腔室和半导体设备,反应腔室包括:腔室主体;设置在腔室主体内的基座组件,所述基座组件包括金属加热盘以及用于接地的接地盘,金属加热盘具有用于承载基片的承载面;处理组件,包括围绕承载面的外沉积环,处理组件用于与基座组件配合形成工艺区域,其中,反应腔室还包括接地环,连接至外沉积环以及所述接地盘之间,用于在处理组件与基座组件配合形成工艺区域时提供外沉积环至接地盘的接地路径,可有效解决使用金属材质的加热盘时外沉积环放电而引发打火现象,有利于提高镀膜效果。