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公开(公告)号:CN106298618A
公开(公告)日:2017-01-04
申请号:CN201510363675.7
申请日:2015-06-26
发明人: 李伟
IPC分类号: H01L21/683 , H01L21/677
CPC分类号: H01L21/6838 , H01L21/677 , H01L2221/683
摘要: 本发明提供一种晶片传输装置,其包括内部形成有抽气空腔的板体,该板体包括用于吸附晶片、且仅与晶片表面的边缘区域相接触的凹面,且在该凹面上形成有多个与抽气空腔相连通的抽气孔;在板体上还设置有抽气口,用以抽出抽气空腔内的气体。本发明提供的晶片传输装置,其不仅可以使用较小的负压吸附晶片,从而可以减少负压对腔室压力的影响,而且还可以提高在晶片表面产生的吸附力,提高吸附力分布均匀性。
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公开(公告)号:CN104342632A
公开(公告)日:2015-02-11
申请号:CN201310341787.3
申请日:2013-08-07
IPC分类号: C23C16/02
CPC分类号: H01J37/32871 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01J37/32495 , H01J37/32651 , H01J2237/335 , C23C16/0227 , C23C16/0245
摘要: 本发明提供的预清洗腔室及等离子体加工设备,包括腔体、顶盖和承载单元,顶盖设置在腔体顶端,承载单元设置在腔体底部,用以承载晶片,并且,在腔体内的承载单元上方设置有离子过滤单元,该离子过滤单元用于在等离子体自其上方朝向所述承载单元的方向运动时,过滤等离子体中的离子。本发明提供的预清洗腔室,其可以在等离子体自其上方朝向所述承载单元的方向运动时,过滤等离子体中的离子,从而可以避免等离子体中的氢离子对Low-k材料的不良影响,进而可以提高产品性能。
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公开(公告)号:CN104889111A
公开(公告)日:2015-09-09
申请号:CN201410079630.2
申请日:2014-03-05
发明人: 李伟
IPC分类号: B08B7/00
摘要: 本发明提供一种腔室,所述腔室内部设置有喷淋件,所述喷淋件上设置有贯穿所述喷淋件的喷淋孔,所述喷淋件包括第一喷淋件和第二喷淋件,所述第一喷淋件上设置有多个第一通孔,所述第二喷淋件上设置有多个第二通孔,所述第一喷淋件和所述第二喷淋件上下重叠使所述第一通孔和所述第二通孔连通以形成所述喷淋孔。与现有技术相比,本发明可以较为简便地加工第一喷淋件和第二喷淋件,显著简化了加工复杂度。同时,本发明能够通过调整第一喷淋件和第二喷淋件的相对位置以调节喷淋孔的面积和孔径,能够便捷地实现更多的工艺需求。
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公开(公告)号:CN104342632B
公开(公告)日:2017-06-06
申请号:CN201310341787.3
申请日:2013-08-07
IPC分类号: C23C16/02
CPC分类号: H01J37/32871 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01J37/32495 , H01J37/32651 , H01J2237/335
摘要: 本发明提供的预清洗腔室及等离子体加工设备,包括腔体、顶盖和承载单元,顶盖设置在腔体顶端,承载单元设置在腔体底部,用以承载晶片,并且,在腔体内的承载单元上方设置有离子过滤单元,该离子过滤单元用于在等离子体自其上方朝向所述承载单元的方向运动时,过滤等离子体中的离子。本发明提供的预清洗腔室,其可以在等离子体自其上方朝向所述承载单元的方向运动时,过滤等离子体中的离子,从而可以避免等离子体中的离子对Low‑k材料的不良影响,进而可以提高产品性能。
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