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公开(公告)号：CN118127145A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410360829.6
申请日：2024-03-27
IPC分类号： C12Q1/6883 , C12Q1/6888
摘要： 本发明公开了一种用于预测睾丸生精能力的标志物及其应用，所述标志物包括RPS21和TCP11基因。通过本发明的标志物，可以相对准确的预测睾丸的生精能力，为提前诊断和干预非梗阻性无精子症男性患者提供了重要依据。
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公开(公告)号：CN116584892A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310400003.3
申请日：2023-04-13
IPC分类号： A61B5/00
摘要： 本发明提出了一种关节功能测试系统和一种柔性传感器的制造方法，关节功能测试系统包括柔性传感器、信号处理装置和信号显示装置，包括PVDF薄膜组件和柔性外壳，PVDF薄膜组件嵌套在柔性外壳的内部，柔性传感器用于贴附在人体的关节上，感知关节的运动并输出电信号；信号处理装置用于接收并处理电信号；信号显示装置用于显示信号处理装置所处理后的电信号。柔性传感器轻薄和舒适性能够实现与膝关节表面完全贴合，能够在不影响活动的情况下采集膝关节运动信号。柔性传感器外接信号处理设备，信号处理设备对压电信号进行分析能够对膝关节进行功能监测和评估，例如对韧带损伤患者进行评估和术后康复指导。
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公开(公告)号：CN116459242B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310728831.X
申请日：2023-06-20
IPC分类号： A61K31/192 , A61P15/08
摘要： 本发明提供了3‑羟基苯乙酸在制备预防和/或治疗老年男性生殖功能障碍的药物中的应用。本发明通过衰老小鼠模型，探讨了3‑羟基苯乙酸在衰老小鼠睾丸生精功能障碍中的作用，结果表明3‑羟基苯乙酸能够提高衰老小鼠的精子浓度，通过对睾丸组织HE染色，发现3‑羟基苯乙酸可以使衰老小鼠睾丸内生精细胞排列更加整齐，睾丸免疫荧光显示，经3‑羟基苯乙酸治疗后，各级生精细胞显著增多。本发明还发现3‑羟基苯乙酸可以降低衰老小鼠睾丸的氧化应激水平。
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公开(公告)号：CN116179685A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310306680.9
申请日：2023-03-27
IPC分类号： C12Q1/6883
摘要： 本发明公开了一种用于预测睾丸生精能力的标志物及其应用，所述标志物包括RPS21和TCP11基因。通过本发明的标志物，可以相对准确的预测睾丸的生精能力，为提前诊断和干预非梗阻性无精子症男性患者提供了重要依据。
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公开(公告)号：CN116459242A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310728831.X
申请日：2023-06-20
IPC分类号： A61K31/192 , A61P15/08
摘要： 本发明提供了3‑羟基苯乙酸在制备预防和/或治疗老年男性生殖功能障碍的药物中的应用。本发明通过衰老小鼠模型，探讨了3‑羟基苯乙酸在衰老小鼠睾丸生精功能障碍中的作用，结果表明3‑羟基苯乙酸能够提高衰老小鼠的精子浓度，通过对睾丸组织HE染色，发现3‑羟基苯乙酸可以使衰老小鼠睾丸内生精细胞排列更加整齐，睾丸免疫荧光显示，经3‑羟基苯乙酸治疗后，各级生精细胞显著增多。本发明还发现3‑羟基苯乙酸可以降低衰老小鼠睾丸的氧化应激水平。
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公开(公告)号：CN118516739A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410702912.7
申请日：2024-05-31
申请人： 北京大学东莞光电研究院
摘要： 本发明公开了一种氮化镓单晶生长装置和方法，其包括轴承件、搅拌件和反应釜，轴承件包括内圈、外圈以及设于内圈和外圈之间的滚珠，内圈包括内圈上部和内圈下部，外圈的圆心到内圈上部内壁的间距不小于外圈的圆心到内圈下部内壁的间距，内圈上部的壁厚小于内圈下部的壁厚，固定部连接内圈下部，并设有凹槽，籽晶限位于凹槽，固定槽、籽晶、连接件、内圈的总体的重心要低于反应釜的转轴，再加上滚珠的无摩擦滑动，反应釜旋转时，固定槽和籽晶能保持水平状态，外圈的圆心在反应釜转轴上，搅拌件连接反应釜，反应釜带动搅拌件和外圈转动，其解决了籽晶随反应釜翻转进而影响氮化镓单晶生长方向性的问题，促进了氮气的解离并使氮离子在熔体均匀分布。
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公开(公告)号：CN117954331B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410353818.5
申请日：2024-03-27
申请人： 北京大学东莞光电研究院
IPC分类号： H01L21/48 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L21/683 , C23C16/27 , B82Y30/00
摘要： 本发明公开了一种金刚石复合散热基板的制备方法及金刚石复合散热基板，包括以下步骤：S1、取异质衬底，活化异质衬底抛光面，在异质衬底抛光面旋涂纳米金刚石分散液并甩干；S2、用CVD金刚石生长设备在异质衬底的抛光面上生长多晶金刚石膜；S3、将多晶金刚石膜进行剥离；S4、在导热基片上涂覆纳米浆料，然后将多晶金刚石膜的生长面粘贴在纳米浆料；S5、粘贴有多晶金刚石膜的导热基片进行热压烧结，形成金刚石复合散热基板。上述制备方法中，复合异质衬底的多晶金刚石膜成核面不需要抛光即可达到纳米级粗糙度，方便与器件的结合。其次，使用超薄的多晶金刚石膜与导热基片进行结合，可以在导热效果与制造成本方面获得高的性价比。
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公开(公告)号：CN118223000A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410326417.0
申请日：2024-03-21
申请人： 北京大学东莞光电研究院
摘要： 本发明公开了一种金刚石薄膜、金刚石薄膜制备工艺及电子器件，制备工艺包括：选取表面抛光的异质衬底；对所述异质衬底进行预处理，使所述异质衬底的表面形成金刚石晶种层；在所述异质衬底上生长金刚石薄膜层，形成第一中间产物；将两片第一中间产物以金刚石薄膜层相对的方式贴合，形成第二中间产物；将所述第二中间产物上位于两个外表面的异质衬底剥离，得到双面光滑的金刚石薄膜层。本发明能够使剥离出来的金刚石的成核面与衬底抛光面的粗糙度趋于一致，有利于尽可能地使金刚石薄膜的粗糙度达到纳米级别，同时金刚石薄膜的制作尺寸不受限制，因而能够在低成本的前提下获得尺寸和表面粗糙度均能满足实际使用需求的金刚石薄膜。
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公开(公告)号：CN117328144B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311149602.9
申请日：2023-09-06
申请人： 北京大学东莞光电研究院
摘要： 本发明公开一种利用浮力维持HVPE反应炉预反应速率稳定的镓舟反应器，包括用于盛放镓金属的腔室及内置于腔室并依靠镓金属浮力漂浮于镓金属液面上方的活动盖板；腔室包括进气通道、出气通道和镓源存放区；活动盖板包括顶盖及与顶盖共同形成气路通道的侧壁，侧壁的下方设有基座。本发明盛放镓金属的腔室与活动盖板不连通，因此依靠镓金属浮力漂浮于镓金属液面上方的活动盖板可以随着镓金属消耗随着镓金属液面上下运动。由于活动盖板的重量和位于镓金属内部的底部基座体积固定，因此所受到的浮力固定，使侧壁与顶盖形成的气路通道体积固定，可保证镓金属液面下降但是预反应通道固定，以此实现预反应不随镓金属消耗发生变化。
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公开(公告)号：CN115910782B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202211708231.9
申请日：2022-12-29
申请人： 北京大学东莞光电研究院
IPC分类号： H01L21/335 , H01L29/778
摘要： 本发明公开一种常关型高电子迁移率晶体管的制造方法，包括：在衬底上依次外延生长功能层、沟道层、异质结层、盖帽层和钝化层；衬底背面通过再生长硅单晶层；在衬底上一个指定区域形成贯穿衬底的通孔及在衬底的正面和背面分别沉积电极和电介质层。本发明通过在硅上外延生长GaN/AlGaN结构形成高电子迁移率晶体管，并在硅衬底背面形成MOS器件，通过级联的方式制备出了常关型高电子迁移率晶体管的方案，可有效避免栅电流衰减和开启电压低的问题。
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