公开(公告)号：CN1983509A

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200510126469.0

申请日：2005-12-13

Applicant: 北京大学

Inventor： 徐军 ,  章蓓 ,  张振生 ,  代涛

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L33/00 ,  H01S5/10 ,  H01S5/22

Abstract: 本发明在使用先进的聚焦离子束刻蚀技术加工GaN基激光器谐振腔镜面的工艺中提出了一种简洁、快速、有效的工艺步骤和方法，它包括以下三个主要步骤：计算和设计具有一维光子晶体结构的半导体/空气(DBR)反射镜的具体尺寸和容差要求，为FIB加工条件的选择提供依据；对所需加工的半导体激光二极管进行加工前处理准备。包括电接触和机械稳定性等方面的处理；根据加工要求确定合适的FIB加工条件并设计出合理的加工次序进行加工。这包括：离子束束流大小的选择；沉积保护层材料及厚度的选择；辅助刻蚀槽的设计和加工；放大倍数的选择及刻蚀图形的设计；半导体/空气(DBR)结构成型的刻蚀条件及刻蚀后处理方法等。

公开(公告)号：CN113296372A

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN202110566122.7

申请日：2021-05-24

Applicant: 北京大学

Inventor： 朱瑞 ,  徐军 ,  刘亚琪 ,  张振生 ,  俞大鹏

IPC: G03F7/20

Abstract: 本发明公开了一种电子束曝光机用电子束静电偏转器控制系统及方法。本发明采用主控制器、静电偏转信号控制器和静电偏转信号发生器，实现了静电偏转器的系统控制，采用层级控制关系，通过层级的控制信号传递控制参数，系统采用统一的通讯协议和接口，用户可仅掌握顶层控制命令即可实现系统操控；静电偏转信号发生器中信号的线性放大增益可调，使得系统功能设计和性能调整具有很大的自由度；此外，系统在控制参数作用下，将原始的扫描信号实时转化生成为静电偏转器各个偏转电极上施加所需的高压偏转信号，保证了扫描信号生成速度，实现了各个偏转电极上高压偏转信号的系统控制。

公开(公告)号：CN1829014A

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN200510011368.9

申请日：2005-02-28

Applicant: 北京大学

Inventor： 章蓓 ,  徐军 ,  张振生

IPC: H01S5/10 ,  H01S5/22

Abstract: 本项发明提出一种基于光子晶体的新型的适于研制GaN腔镜面的结构和方法。本发明采用深度刻蚀半导体微结构形成半导体与空气交替变化的一维周期性光子晶体结构，采用先进的直写式聚焦离子束(FIB)亚微米微加工技术和简化的工艺步骤，制作出半导体激光器的谐振腔镜面。本发明制备半导体激光二极管的腔镜面至少有一个由聚焦离子束刻蚀一维光子晶体加工而成。所述的一维光子晶体为：半导体与空气交替变化的一维周期性光子晶体。另外一个腔镜面采用自然解理腔镜面或干法刻蚀制备的腔镜面，或者是由聚焦离子束刻蚀加工成抛光的腔镜面。

公开(公告)号：CN113296372B

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN202110566122.7

申请日：2021-05-24

Applicant: 北京大学

Inventor： 朱瑞 ,  徐军 ,  刘亚琪 ,  张振生 ,  俞大鹏

IPC: G03F7/20

Abstract: 本发明公开了一种电子束曝光机用电子束静电偏转器控制系统及方法。本发明采用主控制器、静电偏转信号控制器和静电偏转信号发生器，实现了静电偏转器的系统控制，采用层级控制关系，通过层级的控制信号传递控制参数，系统采用统一的通讯协议和接口，用户可仅掌握顶层控制命令即可实现系统操控；静电偏转信号发生器中信号的线性放大增益可调，使得系统功能设计和性能调整具有很大的自由度；此外，系统在控制参数作用下，将原始的扫描信号实时转化生成为静电偏转器各个偏转电极上施加所需的高压偏转信号，保证了扫描信号生成速度，实现了各个偏转电极上高压偏转信号的系统控制。

公开(公告)号：CN100447945C

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：CN200510126469.0

申请日：2005-12-13

Applicant: 北京大学

Inventor： 徐军 ,  章蓓 ,  张振生 ,  代涛

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L33/00 ,  H01S5/10 ,  H01S5/22

Abstract: 本发明在使用先进的聚焦离子束刻蚀技术加工GaN基激光器谐振腔镜面的工艺中提出了一种简洁、快速、有效的工艺步骤和方法，它包括以下三个主要步骤：计算和设计具有一维光子晶体结构的半导体/空气(DBR)反射镜的具体尺寸和容差要求，为FIB加工条件的选择提供依据；对所需加工的半导体激光二极管进行加工前处理准备。包括电接触和机械稳定性等方面的处理；根据加工要求确定合适的FIB加工条件并设计出合理的加工次序进行加工。这包括：离子束束流大小的选择；沉积保护层材料及厚度的选择；辅助刻蚀槽的设计和加工；放大倍数的选择及刻蚀图形的设计；半导体/空气(DBR)结构成型的刻蚀条件及刻蚀后处理方法等。