公开(公告)号：CN1713327A

公开(公告)日：2005-12-28

申请号：CN200510084230.1

申请日：2005-07-18

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 王如志 ,  严辉 ,  王波 ,  朱满康 ,  侯育东 ,  宋雪梅 ,  汪浩

IPC: H01J9/02

Abstract: 本发明涉及一种电子发射阴极结构的制备，适用于平面显示器件或电子源阴极材阴极。本发明步骤：选定金属或n掺杂半导体，作为电子供给层；选择多层膜构成组分，选择原则为：组分材料的电子亲和势应存在差异；设计多层膜，层数至少两层，且相邻膜层为不同组分，除基底外的多层膜总厚度为6～20nm，而每层厚度大于1nm，小于或等于10nm；确定每层膜层厚度：多层膜总厚度不变，每层膜厚度为1～10nm情况下，改变其膜厚度，得到多种不同厚度比例的多层膜结构；计算上述不同的多层膜结构的场发射电流，选取最大的多层膜结构确定每层膜的实际厚度；按确定每层膜实际厚度在基底上沉积一组多层膜结构。本发明无需开发新材料或完善材料本身特性即可提高场发射特性。

公开(公告)号：CN100530492C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200510084230.1

申请日：2005-07-18

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 王如志 ,  严辉 ,  王波 ,  朱满康 ,  侯育东 ,  宋雪梅 ,  汪浩

IPC: H01J9/02

Abstract: 本发明涉及一种电子发射阴极结构的制备，适用于平面显示器件或电子源阴极材阴极。本发明步骤：选定金属或n掺杂半导体，作为电子供给层；选择多层膜构成组分，选择原则为：组分材料的电子亲和势应存在差异；设计多层膜，层数至少两层，且相邻膜层为不同组分，除基底外的多层膜总厚度为6～20nm，而每层厚度大于1nm，小于或等于10nm；确定每层膜层厚度：多层膜总厚度不变，每层膜厚度为1～10nm情况下，改变其膜厚度，得到多种不同厚度比例的多层膜结构；计算上述不同的多层膜结构的场发射电流，选取最大的多层膜结构确定每层膜的实际厚度；按确定每层膜实际厚度在基底上沉积一组多层膜结构。本发明无需开发新材料或完善材料本身特性即可提高场发射特性。

公开(公告)号：CN101355031A

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200810119693.0

申请日：2008-09-05

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张铭 ,  赵学平 ,  董国波 ,  李杨超 ,  严辉 ,  王波 ,  宋雪梅 ,  王如志 ,  侯育东 ,  汪浩

IPC: H01L21/285 ,  H01L31/18 ,  H01L33/00 ,  C23C14/35 ,  C23C14/54 ,  C23C14/08

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种p型透明氧化物半导体CuCrO2薄膜材料的制备方法。该方法是将纯度均为99.9％的Cu2O粉体和Cr2O3粉体按Cu与Cr的原子比为1∶1配料，然后球磨混合，烘干后在1150℃煅烧12h，生成纯相的CuCrO2粉体，采用热压法将CuCrO2粉体压制成陶瓷靶材；利用磁控溅射方法，以石英片为衬底，衬底温度为400～600℃，以纯度为99.999％的Ar和N2O的混合气体作溅射气体，工作气压为0.8～1.2Pa，N2O分压为0～20％，溅射功率为80～120W，沉积时间为90min；最后将沉积好的薄膜置于管式炉中进行退火，采用纯度为99.999％的N2作保护气氛，退火温度为800～1000℃，退火时间为3～5h，退火后获得纯相CuCrO2薄膜，其厚度为200～400nm。本发明方法可以大面积沉积薄膜，生产成本低，且适用于工业化生产。