-
公开(公告)号：CN116960732A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310865640.8
申请日：2023-07-14
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明涉及一种可调谐垂直腔面发射激光器结构，其包括：垂直腔面发射激光器单元；与垂直腔面发射激光器单元接合的微机电系统装置；设置在垂直腔面发射激光器单元与微机电系统装置之间的可独立控制的压电材料结构；以及与垂直腔面发射激光器单元和微机电系统装置连接的控制单元，控制单元通过控制施加到压电材料结构的电压来调节垂直腔面发射激光器单元与微机电系统装置之间的位移和角度。本发明所述的可调谐垂直腔面发射激光器结构在功能上与现有技术的区别在于具有同轴平行控制以及双向驱动，在结构上区别于现有技术的最大特征就是在键合区域引入多个独立控制的压电材料结构，从而实现空气间隙的初步调节以及整体光源器件的同轴效果。
-
公开(公告)号：CN116639694A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310528757.7
申请日：2023-05-11
Applicant: 北京工业大学
IPC: C01B33/02 , C01B32/186 , G01H5/00 , H04R31/00
Abstract: 本发明提供一种振膜材料、制备方法及声波传感器；振膜材料包括硅膜和石墨烯膜；其中，所述石墨烯膜通过范德华力生长在所述硅膜上，形成石墨烯‑硅范德华异质结；所述硅膜的厚度在200纳米‑100微米之间；所述硅膜的表面粗糙度在0.0001微米‑0.01微米之间；所述石墨烯膜所包含的石墨烯层的层数小于或等于10层。
-
公开(公告)号：CN112202049B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202011068518.0
申请日：2020-09-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 北京工业大学
Abstract: 本公开提供一种基于液晶调控的垂直腔面发射激光器，包括：第一半导体层，用于发射激发光，其表面为开设有凹槽的GaAs保护层，所述凹槽处作为所述激发光的中心出光孔，微调控层位于所述GaAs保护层上，所述微调控层对应所述凹槽设置有一容纳空间，所述凹槽和所述容纳空间共同构成一液晶盒，所述液晶盒内填充有液晶材料；本公开还包括一种基于液晶调控的垂直腔面发射激光器的制备方法；本公开可以根据激光器工作状态和需要，动态调控输出的模式，不用高度依赖表面反相结构的精度，可以灵活地调节激光器的输出功率，可精确控制凹槽部分和非凹槽部分对谐振波长的反射率，从而控制不同横模的往返损耗。
-
公开(公告)号：CN112636173B
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202011460730.1
申请日：2020-12-11
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提供一种窄线宽垂直腔面发射激光器及其制备方法，包括：光栅微腔和垂直腔面发射激光器，所述光栅微腔生长在所述垂直腔面发射激光器的谐振腔之上，且，所述光栅微腔和所述谐振腔相互耦合。本发明提供的一种窄线宽垂直腔面发射激光器及其制备方法，通过将光栅微腔生长在传统的垂直腔面发射激光器上，光栅微腔和谐振腔共同对激光器内部光场进行调制，只有同时满足光栅微腔和谐振腔两个谐振条件的波才能在激光器内部形成稳定的驻波，从而达到压窄线宽的效果；且不需要外置光反馈结构，从而增加了激光器的可靠性，易于与其它器件集成。
-
公开(公告)号：CN114400499A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202111642224.9
申请日：2021-12-29
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明涉及半导体激光器技术领域，提供一种垂直腔面发射激光器阵列结构及其制备方法，垂直腔面发射激光器阵列结构由上至下依次包括偏振选择结构、液晶模块和垂直腔面发射激光器本体，偏振选择结构能够进行单偏振和偏振调控输出，以获得高正交偏振抑制比的偏振开关功能；液晶模块包括与垂直腔面发射激光器本体相对设置的玻璃基板，以及位于所述玻璃基板和所述垂直腔面发射激光器本体之间的衬垫，以及由所述玻璃基板、所述垂直腔面发射激光器本体和所述衬垫组成的液晶腔室，液晶填充在所述液晶腔室内；垂直腔面发射激光器本体用于发射线偏振光。本发明能够解决现有技术中激光器阵列偏振特性差、偏振调控效率低等缺陷，实现光偏振稳定且开关可调。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110335900B
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN201910372272.7
申请日：2019-05-06
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/09 , H01L31/18
Abstract: 一种氧化铟锡/垂直石墨烯光电探测器复合结构及其制备方法，属于光电探测器技术领域。该光电探测器的结构从下至上依次是：玻璃作为器件的衬底；垂直石墨烯作为器件的光吸收层和电子传输层；氧化铟锡薄膜作为透明电流辅助扩散层；垂直石墨烯两侧是钛/金电极连接外部电源。由于垂直石墨烯具有宽光谱响应特性，使得该探测器的工作波段从可见光到红外波段，本发明设计的氧化铟锡薄膜层可有效的传输光生载流子，抑制缺陷影响，提升器件的输出光电流。另外，该探测器拥有较高的光吸收率和光响应度，在较低的偏压下就可以进行工作，工艺制备简单可重复，有效提高探测器的探测效率和成品率。
-
公开(公告)号：CN107093840B
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201710548931.9
申请日：2017-07-07
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了独立可寻址液晶调谐垂直腔面发射激光器阵列及制备方法，其由垂直腔面发射激光器half‑VCSEL、液晶层和上DBR组成。器件结构自下而上依次为：激光器阵列背面电极(1)、GaAs衬底(2)、下DBR(3)、有源区(4)、氧化限制层(5)、SiO2钝化层(6)、激光器阵列注入电极(同时也是液晶调谐负极)(7)、间隔层(8)、液晶层(9)、上DBR(10)、玻璃基板(11)、ITO导电薄膜(12)和液晶调谐正极(13)。本发明使波长可调谐垂直腔面发射激光器阵列在压窄线宽的同时实现多波长激射，结合液晶的双折射率特性实现波长连续可调，通过激光器阵列电极的独立可寻址特点实现不同波长单管的定位与单独调制。
-
公开(公告)号：CN102916342A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210418865.0
申请日：2012-10-28
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 内腔液晶可调谐垂直腔面发射激光器属于半导体光电子器件领域。该激光器结构分为三部分: 从下到上依次为n型背面电极(11)、底部衬底(10)、下DBR(9)、有源区(8)、包括氧化限制层(7)的p型DBR(12)、p型注入电极(6)、ITO层(14)、取向膜(3)，此为第一部分，从氧化限制层(7)往上为脊型结构；脊型两端为对称结构的聚合物衬垫(5)，形成液晶盒，液晶盒存储有液晶(4) ，此为第二部分；第三部分，依次包括，有出光孔的顶部衬底(1)、上DBR(2)、ITO层(14)、取向膜(3)；第三部分倒立放置在第二部分上，依靠聚合物衬垫(5)支撑。本发明通过在液晶盒两端加调谐电压引起液晶层折射率变化，来实现激光波长的连续调谐。同时，由于向列相液晶独特的各向异性，激光器可以实现激光偏振稳定输出。
-
公开(公告)号：CN101764354B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN200910244429.4
申请日：2009-12-30
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 基于一维光子晶体的多波长垂直腔面发射激光器及制备方法属于半导体光电子器件领域。该激光器为内腔接触式的层叠结构，正向电极层(1)设置在p型欧姆接触层(5)上，欧姆接触层(5)以上依次为相位调节层(13)、铝砷化镓层(3)、砷化镓层(2)，欧姆接触层(5)以下依次为铝砷化镓氧化电流限制层(6)、有源区(7)、n型铝砷化镓层(8)、n型砷化镓层(9)、n型砷化镓衬底(10)、衬底电极层(11)，其中相位调节层(13)采用具有透光性的材料，其厚度可以根据设计双波长的位置、频差需要采用任意厚度，而不局限为激光器所输出激光波长的四分之一的整数倍。由于具有一定厚度的相位调节层可以调节激光器谐振腔内部传输光子相位变化，从而实现多波长发射。
-
公开(公告)号：CN101740559A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910243652.7
申请日：2009-12-18
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种白光发光二极管，属于半导体光电子技术领域。本发明的白光发光二极管，包括依次纵向层叠的红色发光单元，和蓝绿色发光单元，其特征在于：在红色发光单1和蓝绿色发光单元之间设有的导电透明物质。或者本发明包括依次纵向层叠的红色发光单元，绿色发光单元，和蓝色发光单元，其特征在于：在红色发光单元和绿色发光单元之间以及绿色发光单元和蓝色发光单元之间设有导电透明物质。本发明的发光二极管是一次电光转换，发光效率高，由于材料为半导体材料，比基于荧光粉的器件的可靠性高、命长、色度逼真，比其它多芯片组合方式制备工艺简单、重复性好、操作。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
78
records
(took 0.026 seconds)
