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公开(公告)号：CN101588018B
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN200910087713.5
申请日：2009-06-19
申请人： 北京工业大学
摘要： 本发明涉及内腔式多有源区光子晶体垂直腔面发射半导体激光器，属于半导体光电子领域。普通氧化限制性垂直腔面发射半导体激光器多横模激射、单模输出功率低、阈值电流大、串联电阻大等问题。本发明在器件的的有有源区上采用了多有源区结构。同时将缺陷型光子晶体结构引入到垂直腔面发射半导体激光器的上DBR中，通过合理的优化光子晶体周期，空气孔径，刻蚀深度，器件直径，氧化孔径等，得到了单模工作氧化孔径几十微米、单模功率几个毫瓦、串联电阻几十欧姆、边模抑制40分贝以上的内腔式多有源区光子晶体垂直腔面发射半导体面发射激光器。
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公开(公告)号：CN101764354A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200910244429.4
申请日：2009-12-30
申请人： 北京工业大学
摘要： 基于一维光子晶体的多波长垂直腔面发射激光器及制备方法属于半导体光电子器件领域。该激光器为内腔接触式的层叠结构，正向电极层(1)设置在p型欧姆接触层(5)上，欧姆接触层(5)以上依次为相位调节层(13)、铝砷化镓层(3)、砷化镓层(2)，欧姆接触层(5)以下依次为铝砷化镓氧化电流限制层(6)、有源区(7)、n型铝砷化镓层(8)、n型砷化镓层(9)、n型砷化镓衬底(10)、衬底电极层(11)，其中相位调节层(13)采用具有透光性的材料，其厚度可以根据设计双波长的位置、频差需要采用任意厚度，而不局限为激光器所输出激光波长的四分之一的整数倍。由于具有一定厚度的相位调节层可以调节激光器谐振腔内部传输光子相位变化，从而实现多波长发射。
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公开(公告)号：CN101132119A
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200710175248.1
申请日：2007-09-28
申请人： 北京工业大学
摘要： 悬臂梁式波长可调谐垂直腔面发射激光器结构及制备方法属于半导体光电子器件领域。WDM系统中激光器不能实现更多波长选择。该结构包括正电极层(1)、上分布反馈布拉格反射镜(20)、腐蚀停层(4)、p型欧姆接触(5)、铝砷化镓氧化电流限制层(6)、有源区(7)、下分布反馈布拉格反射镜(40)、n型砷化镓衬底(10)、衬底电极(11)，特征在于：上分布反馈布拉格反射镜(20)和p型欧姆接触层(5)之间设置中空牺牲层(30)；空气隙层(12)是中空牺牲层(30)的中空部分；上分布反馈布拉格反射镜(20)与空气隙层(12)共同组成悬臂梁式可动反射镜结构。本发明实现了微机械可动反射镜的波长可调谐垂直腔面发射激光器结构设计和器件制备。
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公开(公告)号：CN100358167C
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200410101245.X
申请日：2004-12-17
申请人： 北京工业大学
IPC分类号： H01L33/00
摘要： 本发明涉及一种GaN基LED高反电极，属于光电子器件制造技术领域。该电极的结构从下到上包括掺杂Mg的、器件发出的光从该层到达高反电极层，然后经电极反射再从该层返回器件内部的半导体GaN基底层(1)，欧姆接触层(6)，高反镜(3)，保护层(4)；其特征在于：所述的欧姆接触层(6)是位于基底层(1)与高反镜(3)之间的与基底直接接触的Ni和Mg金属固熔体层，在Ni和Mg金属固熔体层与高反镜之间是金属Pd层(7)。在电极保护层与高反镜之间有连接层Ti层(8)。该电极实现了接触电阻低，光吸收小，光的输出功率和热可靠性提高的效果，且制作简单。
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公开(公告)号：CN100358094C
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200410074343.9
申请日：2004-09-10
申请人： 北京工业大学
摘要： 带有悬空可动敏感结构的静电键合工艺，涉及半导体静电键合技术领域。现有技术在可动的结构对应的玻璃上淀积一层绝缘层，减少可动结构与玻璃衬底的“粘附”问题，无法消除静电力对可动结构的破坏作用。带有金属电极的玻璃置于恒温热台面上，有金属电极的一面在上；再将上述清洗好的硅片置于玻璃上；硅片上的悬空可动敏感结构与玻璃上的金属电极上下对准；硅片和玻璃上的金属电极接同一正极，两者电位相等，玻璃的下表面接负极，在超静环境中加热，加电压，将硅片上除悬空可动敏感结构部分以外的其余部分与玻璃键合在一起。本发明屏蔽了静电吸引力对可动结构的作用，解决了静电力对不需要键合的悬空可动微结构部分的破坏这个难题，提高了成品率。
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公开(公告)号：CN1291493C
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200410062250.4
申请日：2004-07-02
申请人： 北京工业大学
摘要： 用于发光管的抗静电保护电路，属于半导体光电子技术领域，它是将一组串联对接二极管与发光管并接在电路中，串联对接二极管可以为负极互连，也可以正极互连；当串联对接二极管的负极互连时，正极分别连接发光管两极，而当串联对接二极管的正极互连时，负极分别连接发光管两极；电路中二极管的反向截止电压应小于发光管的反向截止电压，同时大于发光管的正向工作电压；一组串联对接二极管可以是两个二极管串联对接，也可以是多个串联对接二极管组合的形式组成抗静电保护电路，并且抗静电保护电路可以采用分立元件组合构成，也可采用半导体工艺制作集成。该电路具有自身保护和快速放电特点，且减小了单个二极管的抗静电保护电路带来的不必要功耗。
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公开(公告)号：CN1851947A
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN200610081232.X
申请日：2006-05-26
申请人： 北京工业大学
IPC分类号： H01L33/00
摘要： 高效高亮全反射发光二极管及其制作方法属于半导体光电子技术领域。依次包含图形电极(517)，第一导电型欧姆接触层(304)，第一导电型电流扩展层(305)，第一导电型下限制层(306)，非掺杂的有源区(307)，第二导电型上限制层(308)，第二导电型电流扩展层(309)，第二导电型欧姆接触层(310)，介质层，金属层(506)，金属焊料层(505)，阻挡层(402)，基板衬底(401)，金属电极(518)；介质层和金属层(506)联合作为反光镜；基板衬底(401)、阻挡层(402)和金属焊料层(505)组成基板(400)。本发明解决了DBR反射率角带宽有限和外延衬底吸收光子的问题，降低热阻，适宜于在高电流密度注入下工作，提高发光效率，实现光的大功率输出。
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公开(公告)号：CN1670254A
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN200510067963.4
申请日：2005-04-30
申请人： 北京工业大学
摘要： 本发明属于半导体激光器领域。包括以下步骤：半导体激光器在空气中解理成条后装入夹具后放入电子束蒸发真空室；离子预清洗，即在电子束蒸发的真空室中用能量小于100eV的低能大束流离子无损除去在空气中解理的腔面上的氧化物和杂质及其形成的表面态和界面态这些非辐射复合中心；前腔面(4)进行离子预清洗30秒到6分钟；用电子束蒸发方式在前腔面(4)蒸镀ZnSe或ZnS宽禁带低吸收材料作为钝化阻挡层(3)；前腔面(4)镀增透膜(1)；夹具翻面对后腔面(5)进行上述离子预清洗30秒到6分钟；电子束蒸发方式在后腔面(5)蒸镀ZnSe或ZnS；在后腔面(5)镀高反膜(2)。本发明钝化膜性能稳定，提高了可靠性，方法简单，适用于不同波长或结构的激光器。
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公开(公告)号：CN1606204A
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN200410083958.8
申请日：2004-10-14
申请人： 北京工业大学
摘要： 用于半导体激光器腔面镀膜的夹具及其装条装置，属于半导体激光器工艺技术领域。现有的夹具结构较为复杂，加工比较困难，而且装条极为麻烦很容易对腔面造成污染或损伤，夹持的薄板还容易对激光条造成机械损伤。本发明提供的用于半导体激光器腔面镀膜的夹具由三块平行凹形板(5)和一长方形薄板(8)及起固定和夹紧作用的方框组成。其装条装置，由竖直滑动机构和水平滑动机构及底座组成；竖直滑动机构和水平滑动机构其结构相同，均由滑动导轨和调节滑动的螺杆及滑块组成。本发明结构简单，操作方便，容易加工的夹具，并同时为其设计了便于装条的装条装置以使腔面免遭污染和损伤。
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公开(公告)号：CN1589087A
公开(公告)日：2005-03-02
申请号：CN200410062250.4
申请日：2004-07-02
申请人： 北京工业大学
摘要： 用于发光管的抗静电保护电路，属于半导体光电子技术领域，它是将一组串联对接二极管与发光管并接在电路中，串联对接二极管可以为负极互连，也可以正极互连；当串联对接二极管的负极互连时，正极分别连接发光管两极，而当串联对接二极管的正极互连时，负极分别连接发光管两极；电路中二极管的反向截止电压应小于发光管的反向截止电压，同时大于发光管的正向工作电压；一组串联对接二极管可以是两个二极管串联对接，也可以是多个串联对接二极管组合的形式组成抗静电保护电路，并且抗静电保护电路可以采用分立元件组合构成，也可采用半导体工艺制作集成。该电路具有自身保护和快速放电特点，且减小了单个二极管的抗静电保护电路带来的不必要功耗。
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