公开(公告)号：CN1238563A

公开(公告)日：1999-12-15

申请号：CN99109641.X

申请日：1999-07-02

申请人： 北京工业大学

发明人： 沈光地 ,  邹德恕 ,  陈建新 ,  杜金玉 ,  吴德馨 ,  高国 ,  徐晨 ,  韩金茹 ,  董欣 ,  罗辑 ,  魏欢 ,  周静 ,  孙泽长 ,  袁颖 ,  赵立新

IPC分类号： H01L29/737

摘要： 一种量子阱基区异质结双极型晶体管，属于高速微电子技术领域，其特征是，沿基区纵向生长一个或多个非掺杂量子阱层，使基区内的多数载流子主要处在量子阱中作横向输运，从而大大提高多数载流子的横向迁移率，并同时形成对少数载流子的纵向漂移场，加速少数载流子的纵向渡越，在不提高基区宽度和掺杂总量的基础上显著减小基区电阻rb，从而得到具有高电流增益、高fT、高fmax和低噪声系数NF的异质结双极型晶体管。

公开(公告)号：CN1111313C

公开(公告)日：2003-06-11

申请号：CN99109641.X

申请日：1999-07-02

申请人： 北京工业大学

发明人： 沈光地 ,  邹德恕 ,  陈建新 ,  杜金玉 ,  吴德馨 ,  高国 ,  徐晨 ,  韩金茹 ,  董欣 ,  罗辑 ,  魏欢 ,  周静 ,  孙泽长 ,  袁颖 ,  赵立新

IPC分类号： H01L29/737

摘要： 一种量子阱基区异质结双极型晶体管，属于高速微电子技术领域，其特征是，沿基区纵向生长一个或多个非掺杂量子阱层，使基区内的多数载流子主要处在量子阱中作横向输运，从而大大提高多数载流子的横向迁移率，并同时形成对少数载流子的纵向漂移场，加速少数载流子的纵向渡越，在不提高基区宽度和掺杂总量的基础上显著减小基区电阻rb从而得到具有高电流增益、高fT、高fmax和低噪声系数NF的异质结双极型晶体管。