公开(公告)号：CN1233855A

公开(公告)日：1999-11-03

申请号：CN99100398.5

申请日：1999-01-28

申请人： 北京工业大学

发明人： 沈光地 ,  邹德恕 ,  董欣 ,  高国 ,  陈建新 ,  杜金玉 ,  孙泽长 ,  韩金茹 ,  刘莹

IPC分类号： H01L23/18 ,  G01J1/04

摘要： 一种红外探测器包括有硅基衬底、充有特殊气体的密闭腔、覆盖于密闭腔上的透红外窗口薄膜及形变薄膜、及测量元件等。它利用特殊气体对某一波段红外线的较强吸收性,当该气体吸收该波段红外辐射后受热膨胀产生的压力作用于覆盖膜上时,覆盖膜产生形变导致与之相特殊气体对某一波段红外线的较强吸收性,当该气体吸收该波段红外辐射后受热膨胀产生的压力作用于覆盖膜上时,覆盖膜产生形变导致与之相关的参量变化,通过测量该参量的变化来探测红外辐射。本发明能有效地在室温下检测某一波段的红外辐射,并具有成本低、体积小、灵敏度高等特点,广泛用于预警、空间技术、医学等领域。

公开(公告)号：CN1111313C

公开(公告)日：2003-06-11

申请号：CN99109641.X

申请日：1999-07-02

申请人： 北京工业大学

发明人： 沈光地 ,  邹德恕 ,  陈建新 ,  杜金玉 ,  吴德馨 ,  高国 ,  徐晨 ,  韩金茹 ,  董欣 ,  罗辑 ,  魏欢 ,  周静 ,  孙泽长 ,  袁颖 ,  赵立新

IPC分类号： H01L29/737

摘要： 一种量子阱基区异质结双极型晶体管，属于高速微电子技术领域，其特征是，沿基区纵向生长一个或多个非掺杂量子阱层，使基区内的多数载流子主要处在量子阱中作横向输运，从而大大提高多数载流子的横向迁移率，并同时形成对少数载流子的纵向漂移场，加速少数载流子的纵向渡越，在不提高基区宽度和掺杂总量的基础上显著减小基区电阻rb从而得到具有高电流增益、高fT、高fmax和低噪声系数NF的异质结双极型晶体管。

公开(公告)号：CN1103498C

公开(公告)日：2003-03-19

申请号：CN99100398.5

申请日：1999-01-28

申请人： 北京工业大学

发明人： 沈光地 ,  邹德恕 ,  董欣 ,  高国 ,  陈建新 ,  杜金玉 ,  孙泽长 ,  韩金茹 ,  刘莹

IPC分类号： H01L23/18 ,  G01J1/04

摘要： 一种红外探测器包括有硅基衬底、充有特殊气体的密闭腔、覆盖于密闭腔上的透红外窗口薄膜及形变薄膜、及测量元件等。它利用特殊气体对某一波段红外线的较强吸收性，当该气体吸收该波段红外辐射后受热膨胀产生的压力作用于覆盖膜上时，覆盖膜产生形变导致与之相关的参量变化，通过测量该参量的变化来探测红外辐射。本发明能有效地在室温下检测某一波段的红外辐射，并具有成本低、体积小、灵敏度高等特点，广泛用于预警、空间技术、医学等领域。

公开(公告)号：CN1238563A

公开(公告)日：1999-12-15

申请号：CN99109641.X

申请日：1999-07-02

申请人： 北京工业大学

发明人： 沈光地 ,  邹德恕 ,  陈建新 ,  杜金玉 ,  吴德馨 ,  高国 ,  徐晨 ,  韩金茹 ,  董欣 ,  罗辑 ,  魏欢 ,  周静 ,  孙泽长 ,  袁颖 ,  赵立新

IPC分类号： H01L29/737

摘要： 一种量子阱基区异质结双极型晶体管，属于高速微电子技术领域，其特征是，沿基区纵向生长一个或多个非掺杂量子阱层，使基区内的多数载流子主要处在量子阱中作横向输运，从而大大提高多数载流子的横向迁移率，并同时形成对少数载流子的纵向漂移场，加速少数载流子的纵向渡越，在不提高基区宽度和掺杂总量的基础上显著减小基区电阻rb，从而得到具有高电流增益、高fT、高fmax和低噪声系数NF的异质结双极型晶体管。