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公开(公告)号：CN1330011C
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200410101246.4
申请日：2004-12-17
申请人： 北京工业大学
IPC分类号： H01L33/00
摘要： 本发明的低接触电阻、低光吸收、全角高反射的LED电极属于光电子器件制造技术领域。该电极的结构为：第一层是掺杂的半导体层基底(1)；第二层是位于半导体基底上的欧姆接触层(8)；第三层是在欧姆接触层上的一层银高反镜(3)；第四层是在银高反镜上的一层保护层(4)，其特征在于：所述的欧姆接触层(8)上带有贯通的圆形微孔(10)，圆形微孔(10)内镀了透明膜(9)。透明膜的最佳光学厚度为器件发光波长的四分之一，透明膜(9)的折射率小于半导体基底(8)和银高反镜(3)的复折射率，形成了折射率高低高的结构。本发明的LED电极达到了接触电阻低、光吸收少，同时又提高了热可靠性的效果。
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公开(公告)号：CN100358167C
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200410101245.X
申请日：2004-12-17
申请人： 北京工业大学
IPC分类号： H01L33/00
摘要： 本发明涉及一种GaN基LED高反电极，属于光电子器件制造技术领域。该电极的结构从下到上包括掺杂Mg的、器件发出的光从该层到达高反电极层，然后经电极反射再从该层返回器件内部的半导体GaN基底层(1)，欧姆接触层(6)，高反镜(3)，保护层(4)；其特征在于：所述的欧姆接触层(6)是位于基底层(1)与高反镜(3)之间的与基底直接接触的Ni和Mg金属固熔体层，在Ni和Mg金属固熔体层与高反镜之间是金属Pd层(7)。在电极保护层与高反镜之间有连接层Ti层(8)。该电极实现了接触电阻低，光吸收小，光的输出功率和热可靠性提高的效果，且制作简单。
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公开(公告)号：CN100409463C
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200510132116.1
申请日：2005-12-16
申请人： 北京工业大学
IPC分类号： H01L33/00
摘要： 本发明属于光电子器件领域。传统结构光提取效率低，热可靠性差，绝缘层一次生长完成，易造成PN结漏电。结构包括：P电极加厚电极(1)，高反镜保护层(2)，金属高反镜(3)，N电极(4)，N型半导体(5)，多量子阱有源区MQW(6)，P型半导体(7)，P电极欧姆接触层(8)，N电极加厚电极(9)，衬底(10)；由P型半导体，多量子阱有源区MQW，N型半导体构成LED台；其特征在于：LED台侧壁上有透明绝缘层(11)；台上表面小于下表面面积；LED台侧壁与竖直面成锐角；金属高反镜覆盖在P电极欧姆接触层上，并延展覆盖在透明绝缘层上，但不与N电极接触；金属高反镜、透明绝缘层和LED台三者折射率大小排列为高低高。本发明解决了LED侧面出光，不能有效提取器件所发出的光问题，防止PN结氧化。
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公开(公告)号：CN1812146A
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200510132116.1
申请日：2005-12-16
申请人： 北京工业大学
IPC分类号： H01L33/00
摘要： 本发明属于光电子器件领域。传统结构光提取效率低，热可靠性差，绝缘层一次生长完成，易造成PN结漏电。结构包括：P电极加厚电极(1)，高反镜保护层(2)，金属高反镜(3)，N电极(4)，N型半导体(5)，多量子阱有源区MQW(6)，P型半导体(7)，P电极欧姆接触层(8)，N电极加厚电极(9)，衬底(10)；由P型半导体，多量子阱有源区MQW，N型半导体构成LED台；其特征在于：LED台侧壁上有透明绝缘层(11)；台上表面小于下表面面积；LED台侧壁与竖直面成锐角；金属高反镜覆盖在P电极欧姆接触层上，并延展覆盖在透明绝缘层上，但不与N电极接触；金属高反镜、透明绝缘层和LED台三者折射率大小排列为高低高。本发明解决了LED侧面出光，不能有效提取器件所发出的光问题，防止PN结氧化。
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公开(公告)号：CN1622353A
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：CN200410101246.4
申请日：2004-12-17
申请人： 北京工业大学
IPC分类号： H01L33/00
摘要： 本发明的低接触电阻、低光吸收、全角高反射的LED电极属于光电子器件制造技术领域。该电极的结构为：第一层是掺杂的半导体层基底(1)；第二层是位于半导体基底上的欧姆接触层(8)；第三层是在欧姆接触层上的一层银高反镜(3)；第四层是在银高反镜上的一层保护层(4)，其特征在于：所述的欧姆接触层(8)上带有贯通的圆形微孔(10)，圆形微孔(10)内镀了透明膜(9)。透明膜的最佳光学厚度为器件发光波长的四分之一，透明膜(9)的折射率小于半导体基底(8)和银高反镜(3)的复折射率，形成了折射率高低高的结构。本发明的LED电极达到了接触电阻低、光吸收少，同时又提高了热可靠性的效果。
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公开(公告)号：CN1622352A
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：CN200410101245.X
申请日：2004-12-17
申请人： 北京工业大学
IPC分类号： H01L33/00
摘要： 本发明涉及一种GaN基LED高反电极，属于光电子器件制造技术领域。该电极的结构从下到上包括掺杂Mg的、器件发出的光从该层到达高反电极层，然后经电极反射再从该层返回器件内部的半导体GaN基底层(1)，欧姆接触层(6)，高反镜(3)，保护层(4)；其特征在于：所述的欧姆接触层(6)是位于基底层(1)与高反镜(3)之间的与基底直接接触的Ni和Mg金属固熔体层，在Ni和Mg金属固熔体层与高反镜之间是金属Pa层(7)。在电极保护层与高反镜之间有连接层Ti层(8)。该电极实现了接触电阻低，光吸收小，光的输出功率和热可靠性提高的效果，且制作简单。
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