公开(公告)号：CN1812146A

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN200510132116.1

申请日：2005-12-16

申请人： 北京工业大学

发明人： 沈光地 ,  朱彦旭 ,  梁庭 ,  达小丽 ,  徐晨 ,  郭霞 ,  李秉臣 ,  董立闽

IPC分类号： H01L33/00

摘要： 本发明属于光电子器件领域。传统结构光提取效率低，热可靠性差，绝缘层一次生长完成，易造成PN结漏电。结构包括：P电极加厚电极(1)，高反镜保护层(2)，金属高反镜(3)，N电极(4)，N型半导体(5)，多量子阱有源区MQW(6)，P型半导体(7)，P电极欧姆接触层(8)，N电极加厚电极(9)，衬底(10)；由P型半导体，多量子阱有源区MQW，N型半导体构成LED台；其特征在于：LED台侧壁上有透明绝缘层(11)；台上表面小于下表面面积；LED台侧壁与竖直面成锐角；金属高反镜覆盖在P电极欧姆接触层上，并延展覆盖在透明绝缘层上，但不与N电极接触；金属高反镜、透明绝缘层和LED台三者折射率大小排列为高低高。本发明解决了LED侧面出光，不能有效提取器件所发出的光问题，防止PN结氧化。

公开(公告)号：CN1885579A

公开(公告)日：2006-12-27

申请号：CN200610089399.0

申请日：2006-06-23

申请人： 北京工业大学

发明人： 郭霞 ,  梁庭 ,  郭晶 ,  顾晓玲 ,  林巧明 ,  沈光地

IPC分类号： H01L33/00

摘要： 本发明公开了一种基于镓氮/蓝宝石透明衬底发光二极管结构及制备方法，该二极管包括有依次纵向层叠的n型欧姆接触电极(7)、n型载流子限制层(5)、有源区(4)、p型载流子限制层(3)：在p型载流子限制层(3)的下面依次包括隧道结结构(8)、键合层(9)、导电外延层(11)和透明衬底(12)；在导电外延层(11)的上面进一步设有导电外延层欧姆接触电极(10)。该制备方法包括外延生长、键合、衬底去掉、光刻，腐蚀和制备欧姆接触电极，合金等步骤。

公开(公告)号：CN100409463C

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200510132116.1

申请日：2005-12-16

申请人： 北京工业大学

发明人： 沈光地 ,  朱彦旭 ,  梁庭 ,  达小丽 ,  徐晨 ,  郭霞 ,  李秉臣 ,  董立闽

IPC分类号： H01L33/00

摘要： 本发明属于光电子器件领域。传统结构光提取效率低，热可靠性差，绝缘层一次生长完成，易造成PN结漏电。结构包括：P电极加厚电极(1)，高反镜保护层(2)，金属高反镜(3)，N电极(4)，N型半导体(5)，多量子阱有源区MQW(6)，P型半导体(7)，P电极欧姆接触层(8)，N电极加厚电极(9)，衬底(10)；由P型半导体，多量子阱有源区MQW，N型半导体构成LED台；其特征在于：LED台侧壁上有透明绝缘层(11)；台上表面小于下表面面积；LED台侧壁与竖直面成锐角；金属高反镜覆盖在P电极欧姆接触层上，并延展覆盖在透明绝缘层上，但不与N电极接触；金属高反镜、透明绝缘层和LED台三者折射率大小排列为高低高。本发明解决了LED侧面出光，不能有效提取器件所发出的光问题，防止PN结氧化。