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公开(公告)号：CN111223942A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201911212069.X
申请日：2019-12-02
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/108
Abstract: 本发明公开一种锯齿状电极及提高纳米紫外探测器性能的方法，涉及半导体技术领域。该锯齿状电极的形状由两个对称设置的图形组成；图形由长方形和多个等腰梯形组成，等腰梯形的下底边与长方形的同一条长边相接，两个图形相对的一边为多个等腰梯形所在的一边；等腰梯形的等腰边和上底边用于生长纳米线；两个图形相对的一边对称的两个等腰梯形上底边生长的纳米线形成桥接。本发明锯齿状电极形状的两个图形相对的一边由多个重复的等腰梯形构成，锯齿状电极种子层生长的纳米线只在等腰梯形的上底边形成有效桥接，在生长纳米线后不需要去除多余的纳米线，减少了纳米线桥接的数量和工艺步骤，提高了纳米紫外探测器的响应速度和光增益。
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公开(公告)号：CN107123701B
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201710317590.4
申请日：2017-05-08
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0296 , H01L31/0352 , H01L31/09 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 一种控制横向ZnO纳米线阵列紫外探测器均匀性的方法，涉及纳米技术与紫外探测技术领域。本发明利用水热法技术，基于二氧化硅衬底、种子层、台阶之间的相互作用，通过依次调整二氧化硅衬底种类、台阶处坡度、种子层厚度、溶液生长浓度和生长时间等实验参数得到高均匀性横向ZnO纳米线阵列的紫外探测器。本发明简单有效，提高了探测器均匀性和稳定性。
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公开(公告)号：CN107527962A
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201710668059.1
申请日：2017-08-07
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/0296 , H01L31/0352 , H01L31/036 , H01L31/072 , H01L31/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/072 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L31/0296 , H01L31/035227 , H01L31/036 , H01L31/18
Abstract: 一种高感光面积的斜向ZnO纳米线/GaN异质结太阳能电池，涉及半导体技术领域。所述斜向ZnO纳米线为n型；所述GaN层为半极性面(11-22)的GaN外延层，包括掺Mg的p型GaN层和生长在m面Al2O3衬底上未掺杂的GaN缓冲层；所述斜向ZnO纳米线阵列与生长平面的夹角为30～35度；所述斜向ZnO纳米线被半导体量子点覆盖并被聚合物所填充，其上一层为导电薄膜，作为上电极，下电极位于GaN层上斜向生长的ZnO纳米线阵列的另一侧的台面。本发明通过在半极性GaN外延层上生长斜向ZnO纳米线阵列，提高感光面积，实现高的光电转化效率。
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公开(公告)号：CN107123701A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710317590.4
申请日：2017-05-08
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0296 , H01L31/0352 , H01L31/09 , B82Y30/00 , B82Y40/00
CPC classification number: H01L31/1836 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L31/0296 , H01L31/035227 , H01L31/09
Abstract: 一种控制横向ZnO纳米线阵列紫外探测器均匀性的方法，涉及纳米技术与紫外探测技术领域。本发明利用水热法技术，基于二氧化硅衬底、种子层、台阶之间的相互作用，通过依次调整二氧化硅衬底种类、台阶处坡度、种子层厚度、溶液生长浓度和生长时间等实验参数得到高均匀性横向ZnO纳米线阵列的紫外探测器。本发明简单有效，提高了探测器均匀性和稳定性。
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公开(公告)号：CN107527962B
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201710668059.1
申请日：2017-08-07
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/0296 , H01L31/0352 , H01L31/036 , H01L31/072 , H01L31/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 一种高感光面积的斜向ZnO纳米线/GaN异质结太阳能电池，涉及半导体技术领域。所述斜向ZnO纳米线为n型；所述GaN层为半极性面(11‑22)的GaN外延层，包括掺Mg的p型GaN层和生长在m面Al2O3衬底上未掺杂的GaN缓冲层；所述斜向ZnO纳米线阵列与生长平面的夹角为30～35度；所述斜向ZnO纳米线被半导体量子点覆盖并被聚合物所填充，其上一层为导电薄膜，作为上电极，下电极位于GaN层上斜向生长的ZnO纳米线阵列的另一侧的台面。本发明通过在半极性GaN外延层上生长斜向ZnO纳米线阵列，提高感光面积，实现高的光电转化效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107342351A
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201710481596.5
申请日：2017-06-22
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/0075 , H01L33/16 , H01L33/36 , H01L33/40
Abstract: 一种基于斜向ZnO纳米线/GaN pn结的LED及制备方法，涉及半导体的技术领域。本发明通过在半极性GaN外延层上生长斜向ZnO纳米线阵列，提高LED的光取出率和发光面积，实现在蓝紫光波段的高效发光。其中，半极性面(11-22)的GaN层包括生长在m面Al2O3衬底上未掺杂的GaN层和其上掺Mg的p型GaN层；ZnO纳米线阵列直接由水热法生长在半极性GaN面上，为n型掺杂，斜向生长，与生长平面的夹角为30～35度；将斜向ZnO纳米线阵列用聚合物填充后，再在其上一层制作导电薄膜，作为负极，而正极位于GaN层上。
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公开(公告)号：CN107039558A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201710281827.8
申请日：2017-04-26
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/112 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/1129 , H01L31/035227 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种基于斜向ZnO纳米线阵列调制的AlGaN/GaN紫外探测器，包括无栅的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管和生长在无栅的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管栅极区域的斜向ZnO纳米线阵列；所述无栅的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管中的GaN外延层为半极性面(11‑22)的GaN层；所述GaN外延层包括GaN缓冲层、GaN沟道层和GaN帽层；所述GaN沟道层位于GaN缓冲层的上表面；所述斜向ZnO纳米线阵列与栅极区域的平面夹角为30～35°。本发明通过在无栅的高电子迁移率晶体管的栅极区域斜向生长ZnO纳米线阵列，提高探测器的探测效率，实现对紫外光强度的实时、精准、高效检测。
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公开(公告)号：CN111223942B
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN201911212069.X
申请日：2019-12-02
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/108
Abstract: 本发明公开一种锯齿状电极及提高纳米紫外探测器性能的方法，涉及半导体技术领域。该锯齿状电极的形状由两个对称设置的图形组成；图形由长方形和多个等腰梯形组成，等腰梯形的下底边与长方形的同一条长边相接，两个图形相对的一边为多个等腰梯形所在的一边；等腰梯形的等腰边和上底边用于生长纳米线；两个图形相对的一边对称的两个等腰梯形上底边生长的纳米线形成桥接。本发明锯齿状电极形状的两个图形相对的一边由多个重复的等腰梯形构成，锯齿状电极种子层生长的纳米线只在等腰梯形的上底边形成有效桥接，在生长纳米线后不需要去除多余的纳米线，减少了纳米线桥接的数量和工艺步骤，提高了纳米紫外探测器的响应速度和光增益。
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公开(公告)号：CN107634075B
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201710746185.4
申请日：2017-08-26
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L27/146 , H01L31/0236 , H01L31/0296 , H01L31/18 , B82Y30/00 , B82Y15/00
Abstract: 柔性背照全透式纳米紫外焦平面探测器芯片，涉及紫外焦平面探测器技术领域。在具有周期性纹理的聚酰亚胺柔性衬底上制备紫外探测器阵列，每个探测器作为感光像元。每个像元器件包括两个独立平行对称的ZnO薄膜，其上为金属电极薄膜。所述ZnO薄膜为ZnO纳米线生长的种子层。作为感光部分的纳米材料ZnO纳米线阵列在ZnO薄膜的侧壁自组织生长，桥接于两电极之间。紫外光由衬底背面入射。本发明以柔性材料为衬底，具有良好的柔韧性。同时，器件层结构简单，采用ZnO纳米材料，设计灵活，可实现高度的均匀性及探测效率。
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公开(公告)号：CN114068764A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111448069.7
申请日：2018-01-07
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0203 , H01L31/09
Abstract: 本发明涉及紫外探测技术领域与纳米材料技术领域，具体涉及一种氮气封装提高ZnO纳米线紫外探测器稳定性的方法，包括以下步骤：将ZnO纳米线紫外探测器用导电胶固定于金属管底座上，然后用修饰液进行修饰；将固定于金属管底座上的ZnO纳米线紫外探测器件放入充满干燥氮气的储能焊设备中；利用储能焊技术封装金属管帽与金属管底座，将氮气密闭于金属管帽与金属管底座之间。本发明针对ZnO纳米线表面稳定性的问题，采用储能焊将N2密闭于紫外探测器的封装结构中，既保证了ZnO纳米线紫外探测器的高增益特性，又提高了器件性能的长期稳定性。
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