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公开(公告)号：CN109714040A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201811573572.3
申请日：2018-12-21
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： H03K19/003
摘要： 本发明公开了一种带反馈控制的CMOS输出驱动电路，包括CMOS驱动电路、反馈控制电路；反馈电路包含一个用于器件保护的处于常导通的MOS管、一个控制反馈回路开启或者关断的MOS管、一个辅助驱动MOS管、一个由电阻与辅助驱动MOS管栅电容构成的RC冲(放)电电路；本发明用于CMOS器件输出驱动电路中，其特点是通过反馈回路控制器件输出信号的斜率，在减小输出信号斜率的同时尽可能保证器件的传输延迟不受影响。
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公开(公告)号：CN111049513B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN201911206725.5
申请日：2019-11-29
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： H03K19/003 , H03K19/00 , H03K19/0175
摘要： 本发明涉及一种带冷备份功能的轨到轨总线保持电路，包括数据传输反相器电路，信号保持作用的弱反相器电路，防止信号线到电源漏电的漏电控制电路，栅电压控制电路，电源电压监控信号产生电路。本发明用途是一、电路结构具有总线保持功能；二、总线保持电平可达到电源电平；三、端口具有冷备份功能，即电路电源电压为零时，端口对电源或地为高阻状态；四、处于冷备份状态时，如果端口所接总线信号为高低变化信号，不存在端口对电源或地的漏电通路,保证端口与总线的隔离。
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公开(公告)号：CN107147388B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201710265919.7
申请日：2017-04-21
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： H03K19/20 , H03K19/003
摘要： 本发明公开了一种低潜通CMOS三态输出电路，包括输出驱动管栅端控制电路，防止栅端通过前级缓冲器对电源端漏电的传输门逻辑电路，阱电位偏置电路，阱偏置管栅电压控制电路以及输出驱动电路。本发明用途是一、电路上电后具有三态输出功能；二、电路输出端口具有冷备份功能，即电路电源电压为零时，端口对电源或地为高阻状态；三、电源电压下降过程中，电路输出端对电源或地为高阻，即保证输出端与总线的隔离，如果总线信号为高电平，不存在输出端口对电源或地端的漏电通路，电路可由正常上电状态切换至冷备份工作状态；四、处于冷备份状态时，如果输出端口所接总线信号为高低变化信号，不存在端口对电源或地的漏电通路,保证输出端口与总线的隔离。
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公开(公告)号：CN109714040B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN201811573572.3
申请日：2018-12-21
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： H03K19/003
摘要： 本发明公开了一种带反馈控制的CMOS输出驱动电路，包括CMOS驱动电路、反馈控制电路；反馈电路包含一个用于器件保护的处于常导通的MOS管、一个控制反馈回路开启或者关断的MOS管、一个辅助驱动MOS管、一个由电阻与辅助驱动MOS管栅电容构成的RC冲(放)电电路；本发明用于CMOS器件输出驱动电路中，其特点是通过反馈回路控制器件输出信号的斜率，在减小输出信号斜率的同时尽可能保证器件的传输延迟不受影响。
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公开(公告)号：CN107147388A
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201710265919.7
申请日：2017-04-21
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： H03K19/20 , H03K19/003
摘要： 本发明公开了一种低潜通CMOS三态输出电路，包括输出驱动管栅端控制电路，防止栅端通过前级缓冲器对电源端漏电的传输门逻辑电路，阱电位偏置电路，阱偏置管栅电压控制电路以及输出驱动电路。本发明用途是一、电路上电后具有三态输出功能；二、电路输出端口具有冷备份功能，即电路电源电压为零时，端口对电源或地为高阻状态；三、电源电压下降过程中，电路输出端对电源或地为高阻，即保证输出端与总线的隔离，如果总线信号为高电平，不存在输出端口对电源或地端的漏电通路，电路可由正常上电状态切换至冷备份工作状态；四、处于冷备份状态时，如果输出端口所接总线信号为高低变化信号，不存在端口对电源或地的漏电通路,保证输出端口与总线的隔离。
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公开(公告)号：CN118199565A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410222272.X
申请日：2024-02-28
申请人： 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
IPC分类号： H03K3/013 , H03K3/3565
摘要： 本发明公开了一种施密特触发脉冲控制低噪声驱动电路。施密特触发器产生上升/下降沿检测脉冲，来控制CMOS输出驱动的电路结构，包括数据缓冲电路、CMOS输出驱动电路、脉冲发生器、脉冲控制输出驱动电路；本发明用于CMOS器件输出驱动电路中，其特点是通过上升/下降沿检测电路，产生控制输出驱动管的脉冲信号，在不影响电路传输时间及输出上升/下降时间的基础上，减小电路系统应用电源噪声及地噪声。
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公开(公告)号：CN111049513A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201911206725.5
申请日：2019-11-29
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： H03K19/003 , H03K19/00 , H03K19/0175
摘要： 本发明涉及一种带冷备份功能的轨到轨总线保持电路，包括数据传输反相器电路，信号保持作用的弱反相器电路，防止信号线到电源漏电的漏电控制电路，栅电压控制电路，电源电压监控信号产生电路。本发明用途是一、电路结构具有总线保持功能；二、总线保持电平可达到电源电平；三、端口具有冷备份功能，即电路电源电压为零时，端口对电源或地为高阻状态；四、处于冷备份状态时，如果端口所接总线信号为高低变化信号，不存在端口对电源或地的漏电通路,保证端口与总线的隔离。
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公开(公告)号：CN103746681B
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201310718846.4
申请日：2013-12-24
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： H03K17/687
摘要： 本发明公开了一种CMOS器件电源上下电输出三态控制电路，包括MOS管串阻分压电路，PMOS开关管和整形滤波电路；整形滤波电路包括一个等效成电容的PMOS晶体管耦接在PMOS开关管的栅端和电源端之间、一个等效成电容的NMOS晶体管耦接在PMOS开关管的漏端和电源端之间和一个缓冲器电路连接PMOS开关管的漏端和控制电路输出端；本发明用途是在器件的电源上电或下电低于设置的阈值电平时，控制器件输出端口保持为高阻态，从而维持器件输出总线上信号传输的正确性和保护器件不被损坏；在器件的电源上下电高于设置的阈值电平时，本发明控制电路释放对所控制器件输出端口的控制权，由器件输出使能信号OE来控制器件输出端口的三态。
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公开(公告)号：CN103746681A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201310718846.4
申请日：2013-12-24
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： H03K17/687
摘要： 本发明公开了一种CMOS器件电源上下电输出三态控制电路，包括MOS管串阻分压电路，PMOS开关管和整形滤波电路；整形滤波电路包括一个等效成电容的PMOS晶体管耦接在PMOS开关管的栅端和电源端之间、一个等效成电容的NMOS晶体管耦接在PMOS开关管的漏端和电源端之间和一个缓冲器电路连接PMOS开关管的漏端和控制电路输出端；本发明用途是在器件的电源上电或下电低于设置的阈值电平时，控制器件输出端口保持为高阻态，从而维持器件输出总线上信号传输的正确性和保护器件不被损坏；在器件的电源上下电高于设置的阈值电平时，本发明控制电路释放对所控制器件输出端口的控制权，由器件输出使能信号OE来控制器件输出端口的三态。
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