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公开(公告)号：CN118832522A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202410907772.7
申请日：2024-07-08
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种化学机械平坦化设备及晶圆处理方法，属于半导体器件制造技术领域，所述化学机械平坦化设备包括沿第一直线路径顺次设置的前端单元、清洗单元、抛光单元、设于所述前端单元和所述清洗单元之间的第一转运组件、设于所述清洗单元的第二转运组件、设于所述抛光单元的第三转运组件，所述抛光单元至少设有一个，所述清洗单元与所述抛光单元的数量相同，所述抛光单元包括转动架、固接于所述转动架的多个抛光头、位于所述抛光头下方的多个抛光台，多个所述抛光头套所述转动架的转轴均匀分布，所述抛光台的数量比所述抛光头的数量少一个，以形成一个装卸位置，所述第三转运组件具有第一工作点位和第二工作点位。
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公开(公告)号：CN117650080A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311616606.3
申请日：2023-11-29
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明涉及基板处理技术领域，公开了一种密封结构、超临界干燥装置和基板处理系统，密封结构包括：腔室主体，腔室主体的长度方向一侧设置有第一密封部；旋转门，旋转门靠近腔室主体的一侧设置有第二密封部，第二密封部适于与第一密封部贴合；旋转门远离腔室主体的一侧设置有第一楔形部，第一楔形部设置于旋转门的高度方向两侧；密封驱动块，设置于腔室主体的高度方向两侧；密封驱动块上设置有第二楔形部；密封驱动块适于沿高度方向靠近旋转门，使得第二楔形部抵顶第一楔形部，并驱动旋转门沿长度方向靠近腔室主体，以使第二密封部与第一密封部完全贴合。本发明能够保证腔室主体的干燥腔室的密封性，有利于提高基板的良率。
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公开(公告)号：CN117168144A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311235598.8
申请日：2023-09-22
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种基板干燥装置，包括：腔室主体、驱动机构、密封门和快开机构；腔室主体内部设置干燥腔，在腔室主体的一侧开设于干燥腔连通的密封沟槽，驱动机构的驱动端与密封门传动连接，驱动密封门转动以使得密封门具有与密封沟槽相配合的关闭状态和以及与密封沟槽相分离的开启状态，在关闭状态下，快开机构的锁止结构与密封门的外侧面挤压，从而使得密封门的内侧面与密封沟槽的密封面抵接，以对干燥腔进行密封。该基板干燥装置通过驱动机构驱动密封门的开关，从而提升操作的便捷度，快开机构的锁止结构对密封门的外侧面进行挤压，通过克服小摩擦力实现对高压下的干燥腔的密封，提升密封性能，保证基板在密封环境下进行干燥。
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公开(公告)号：CN118899243A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410931220.X
申请日：2024-07-11
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种晶圆清洗装置，属于半导体加工设备的技术领域，包括箱体、晶圆固定机构以及清洗液回收机构；晶圆固定机构设置在箱体的内部；清洗液回收机构设置在晶圆固定机构的周围，用于清洗液；清洗液回收机构包括第一回收组件和第二回收组件；第一回收组件设置在晶圆固定机构的周围；第二回收组件设置在第一回收组件的周围；第一回收组件和第二回收组件用于回收不同种类的清洗液。本发明提供的晶圆清洗装置，在使用两种种类的清洗液时，在使用第一种清洗液时，通过第一回收组件将多余的清洗液回收，在使用第二种清洗液时，通过第二回收组件将多余的清洗液回收。可以避免两种清洗液混合在一起相互污染，从而使回收的清洗液可以继续使用。
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公开(公告)号：CN118136557A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410276275.1
申请日：2024-03-11
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种晶圆清洗装置，包括机体、竖直清洗机构、水平清洗机构、干燥机构以及传动机构，所述竖直清洗机构设置在机体上；所述竖直清洗机构设置有第一清洗腔，第一清洗腔沿竖直方向设置，第一清洗腔用于对晶圆进行清洗；所述水平清洗机构设置在机体上；所述水平清洗机构设置有第二清洗腔，第二清洗腔沿水平方向设置，第二清洗腔用于对晶圆进行清洗；所述干燥机构设置在所述水平清洗机构上；所述干燥机构用于对经过水平清洗机构清洗完成的晶圆进行干燥；所述传动机构设置在机体上；所述传动机构用于将晶圆依次传输到竖直清洗机构和水平清洗机构。在本发明中，通过设置上述结构，能够对晶圆进行双重清洗，进而使晶圆的清洗效果更好。
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公开(公告)号：CN116313954A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211705836.2
申请日：2022-12-29
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/68 , H01L21/687
摘要： 本发明公开了一种多功能晶圆传输装置、晶圆加工装置、晶圆加工方法，所述多功能晶圆传输装置包括：抓取机构，用于对晶圆进行抓取；翻转机构，用于带动晶圆在XZ平面内进行翻转；旋转机构，用于带动晶圆绕Z轴旋转；Z向传输机构，设置有滑动端和固定端，Z向传输机构的滑动端与旋转机构的固定端相连接；X向传输机构，设置有滑动端和固定端，X向传输机构的滑动端与Z向传输机构的固定端相连接。本发明采用将抓取机构、翻转机构、旋转机构、Z向传输机构和X向传输机构一体结合的方式，在具备对晶圆抓取功能的同时，还能够实现晶圆的翻转、旋转及移动，进而能够满足晶圆的清洗、单面抛光、双面抛光等加工工序，提高了晶圆抛光的速度。
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公开(公告)号：CN118372159A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410635159.4
申请日：2024-05-21
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
摘要： 本发明涉及晶圆加工技术领域，公开一种晶圆加工设备及加工方法。晶圆加工设备的抛光模组包括多个抛光模块；多组清洗模组沿第一预设方向堆叠设置，清洗模组包括刷洗模块和至少两个干燥模块；搬运模组包括多个机械手，将抛光模组中的晶圆运送至清洗模组及在清洗模组内传递晶圆；调度系统实时获取第一目标模块的状态信息和剩余加工时长及控制搬运模组提前开启，运送晶圆到第二目标模块；第一目标模块包括抛光模块、刷洗模块和干燥模块，第二目标模块包括刷洗模块和干燥模块，状态信息表征第一目标模块的工作状态。清洗模组设置刷洗模块搭配两个干燥模块，配合调度系统实现对刷洗后的晶圆指派干燥模块的功能，解决超长干燥工艺时间的问题，提升效率。
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公开(公告)号：CN117650079A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311616581.7
申请日：2023-11-29
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明涉及基板处理技术领域，公开了一种基板处理装置、基板处理系统和基板处理方法，基板处理装置包括：安装板；腔室主体，其沿长度方向开设形成干燥腔室；前密封板，其沿长度方向一侧设置有承载盘；限位导轨，固定设置于安装板上；第一滑台，与限位导轨滑动连接，第一滑台适于承载前密封板沿限位导轨运动；第二滑台，与限位导轨滑动连接，第二滑台适于承载腔室主体沿限位导轨运动；驱动组件，包括驱动丝杠，驱动丝杠适于同时驱动第一滑台和第二滑台沿长度方向相互靠近或者相互远离。本发明所提供的基板处理装置，不仅降低了对基板本体二次污染的概率，而且减少了基板本体上的液膜的挥发量，有利于提高基板的良率。
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公开(公告)号：CN118832528A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202411046321.5
申请日：2024-07-31
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种抛光液落点可控的摆臂装置及工件的抛光设备，属于抛光领域，其中，抛光液落点可控的摆臂装置包括抛液管和驱动机构，所述抛液管呈螺旋状，且所述抛液管的出液端能沿第一轴线移动，所述抛液管能绕第二轴线摆动，所述第二轴线平行于上下方向并垂直于所述第一轴线；所述驱动机构包括连接块和传动带，所述连接块连接于所述传动带，所述传动带能带动所述连接块沿所述第一轴线移动，且所述传动带与所述抛液管均绕第二轴线保持同步摆动。与现有技术相比，本发明提供的抛光液落点可控的摆臂装置，通过控制抛光管的转动和出液端的移动，提升了抛光液的喷洒范围和落点精度，解决了。
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公开(公告)号：CN117704280A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311717118.1
申请日：2023-12-13
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
摘要： 本发明提供一种超临界流体制备系统，属于超临界流体制备技术领域，包括：通过输送管道依次连通的增压装置、缓冲装置和加热装置；所述加热装置的出口通过三通管件分别连通主管道和旁路管道，所述主管道用于连通工艺端，所述旁路管道用于连通排泄端，所述旁路管道上设置有颗粒检测装置；本发明中，通过将系统中最开始生产的物质从旁路管道排出，同时利用颗粒检测装置对排出的颗粒进行检测，使得研究人员能够观察到不同粒径的颗粒数量，也能够高效地反馈超临界流体系统存在的问题。
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