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公开(公告)号：CN118636057A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410813536.9
申请日：2024-06-21
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
IPC分类号： B24B53/017 , B24B51/00 , B24B49/12 , B24B1/00 , B24B37/00
摘要： 本发明提供一种基于修整器的抛光垫修整方法、装置、修整器及抛光设备。该方法包括：利用修整器根据预先获取的初始扫描配方，开始对抛光垫进行修整；其中，扫描配方包括修整器中扫描电机扫描的位置、时间和扫描曲线类型；在对抛光垫修整过程中，获取扫描电机在扫描过程中的实际扭矩；根据实际扭矩，确定扫描电机的扭矩变化是否正常；若扫描电机的扭矩变化不正常，则基于实际扭矩，调整初始扫描配方，得到临时扫描配方；利用修整器根据临时扫描配方，对抛光垫继续进行修整，并重复执行在对抛光垫修整过程中，获取扫描电机在扫描过程中的实际扭矩的步骤及后续步骤，直至完成对抛光垫的修整。本发明能够使抛光垫均匀磨损，提高抛光垫的使用性能。
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公开(公告)号：CN118342407A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410537209.5
申请日：2024-04-30
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
IPC分类号： B24B37/04 , B24B37/34 , B24B57/02 , B24B49/00 , B24B49/02 , B24B47/12 , B24B47/22 , H01L21/67
摘要： 本发明涉及半导体加工技术领域，公开了基板加工装置及方法，加工装置包括基座、抛光盘、抛光头和检测件，多个抛光盘转动安装在基座上，多个抛光头活动安装在基座上，多个检测件安装在基座上，相邻的抛光盘之间设有检测件，检测件适于检测待加工基板膜厚，检测件与抛光头信号连接，本发明通过设置多个检测件，在对基板加工时，可对加工前后基板膜厚进行检测，根据加工前后基板膜厚的差异度，调整下一个工序中抛光头对基板的压力，以实现基板在后续工序中加工满足所需要求，或调整当前工序中抛光头对基板的压力，以使当前工序中加工的基板更加符合所需要求，从而保证了加工后基板表面的均匀性，同时也减少了后续再加工工序，提高了产品良品率。
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公开(公告)号：CN117553717A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311686086.3
申请日：2023-12-08
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
摘要： 本发明涉及基板加工技术领域，具体涉及一种基板倾斜度检测装置以及检测方法。包括：工位，适于放置基板；摆动组件，设置有连接在一起的摆动轴和摆动臂，所述摆动轴位于所述工位外，所述摆动臂以摆动轴为原点做弧形转动时，所述摆动臂的末端的运动路径经过基板的上方；超声探测组件，设置在所述摆动臂的末端；喷嘴，设置在所述摆动臂的末端；所述喷嘴用于喷出适于超声传递的介质，所述喷嘴的喷出方向与所述超声探测组件的探测方向相同。当超声探头和基板之间只有超声传递介质时，只需要考虑探测超声在超声传递介质中的传输速度即可，在处理器中进行设置便可获得准确的探测距离。超声传递介质也可排除基板表面可能存在的颗粒对探测结果造成影响。
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公开(公告)号：CN117444856A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311695872.X
申请日：2023-12-11
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
IPC分类号： B24B53/017 , B24B49/00 , B24B51/00
摘要： 本发明涉及半导体抛光垫的修整器修整端测量技术领域，公开了一种抛光垫的修整机构修整端损耗的测量方法及修整机构，本发明基于声波在水中传播的原理，可以实现修整端金刚石或尼龙刷长度的测量，因为不与修整端表面直接接触，不会对修整端造成损伤，测量精度高，测量效率高，并且设备自动获取相关参数，避免了人工读数的误差。
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公开(公告)号：CN116117678A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211530887.6
申请日：2022-12-01
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
IPC分类号： B24B37/005 , B24B37/04
摘要： 本发明提供一种晶圆化学机械平坦化方法，包括以下步骤：提供多个待抛光的晶圆；依据设定制程参数，对晶圆依序进行晶圆抛光步骤；在晶圆抛光过程中，获取晶圆的当前数据；提供晶圆抛光步骤的历史数据；根据当前晶圆的当前数据，结合历史数据，修正设定制程参数，获得修正抛光厚度和修正抛光时间；依据修正抛光厚度和修正抛光时间，对下一晶圆进行抛光步骤；在晶圆抛光过程中，进行多次获取晶圆的当前数据的步骤，每获得一次当前数据，则获得一次修正抛光厚度和修正抛光时间，依据新的修正抛光厚度和新的修正抛光时间，对下一晶圆进行抛光步骤。本发明的晶圆化学机械平坦化方法，统一批次晶圆的抛光研磨结果之间方差小。
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公开(公告)号：CN118571789A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410634877.X
申请日：2024-05-21
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
摘要： 本发明涉及晶圆在位及完整性检测技术领域，公开了一种晶圆状态检测方法、系统、控制装置及计算机设备，该方法包括：获取多个标准监测曲线，标准监测曲线用于表征标准在位晶圆对应的扫描区域内各个角度与第二距离的对应关系，第二距离为距离检测装置在对应角度下与标准在位晶圆的表面之间的距离；基于距离检测装置，确定多个当前监测曲线，当前监测曲线用于表征待测晶圆对应的扫描区域内各个角度与第一距离的对应关系，第一距离为距离检测装置在对应角度下与待测晶圆的表面之间的距离；将多个当前监测曲线与对应的标准监测曲线进行对比，确定待测晶圆的状态。本发明能够提升检测结果的准确性和适用范围。
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公开(公告)号：CN114888714B
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202210462765.1
申请日：2022-04-27
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
IPC分类号： B24B37/005 , B24B37/04 , H01L21/306
摘要： 本发明公开了一种晶圆抛光的保护方法、装置、设备及介质，该方法包括：获取设置的第一工艺参数；将所述第一工艺参数分别保存在第一存储位置和第二存储位置；判断保存在所述第一存储位置的所述第一工艺参数和保存在所述第二存储位置的第一工艺参数是否相同，当不同时，拒绝加工。通过将保存在所述第一存储位置的所述第一工艺参数和保存在所述第二存储位置的第一工艺参数进行对比，当两个数值不一样时，拒绝加工。当两个数值不一样时，可能是由于其中一个数值被主动更改或内存地址错位导致，对比两个参数是否相同可以发现参数异常，减少因失误操作或内存地址偏差造成的工艺参数异常，造成计算时间的误差，从而减少晶圆被异常抛光的可能性。
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公开(公告)号：CN118372159A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410635159.4
申请日：2024-05-21
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
摘要： 本发明涉及晶圆加工技术领域，公开一种晶圆加工设备及加工方法。晶圆加工设备的抛光模组包括多个抛光模块；多组清洗模组沿第一预设方向堆叠设置，清洗模组包括刷洗模块和至少两个干燥模块；搬运模组包括多个机械手，将抛光模组中的晶圆运送至清洗模组及在清洗模组内传递晶圆；调度系统实时获取第一目标模块的状态信息和剩余加工时长及控制搬运模组提前开启，运送晶圆到第二目标模块；第一目标模块包括抛光模块、刷洗模块和干燥模块，第二目标模块包括刷洗模块和干燥模块，状态信息表征第一目标模块的工作状态。清洗模组设置刷洗模块搭配两个干燥模块，配合调度系统实现对刷洗后的晶圆指派干燥模块的功能，解决超长干燥工艺时间的问题，提升效率。
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公开(公告)号：CN118073244A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410231980.X
申请日：2024-02-29
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/66
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种晶圆液膜修复系统及修复方法，晶圆液膜修复系统包括：基架以及设置在基架上的清洗腔室、干燥腔室、搬运装置、检测装置和补液装置，清洗腔室包括第一补液口和第一进出口；干燥腔室位于清洗腔室旁侧，包括第二补液口和第二进出口；搬运装置与基架滑动连接，用于搬运待干燥晶圆；检测装置用于线形扫描下方行进的待干燥晶圆；补液装置与检测装置通信连接，用于进入清洗腔室涂覆初始液膜以及进入干燥腔室根据检测装置发送的图像数据修复待干燥晶圆表面存留的液膜。在行进路径末端设置线性扫描获得图像数据的检测装置，避免检测产生额外的时间消耗，保证晶圆在进入下一工序时液膜的完整性，提升了晶圆良品率。
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公开(公告)号：CN116967926A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202311168709.8
申请日：2023-09-11
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
IPC分类号： B24B37/005 , B24B53/017
摘要： 本发明公开了一种基于修整器的扫描电机扭矩的抛光垫使用寿命监测方法，包括：设定修整器修整抛光垫的标准监测配方；执行标准监测配方，新的抛光垫被修整器修整，对多个第一扭矩点值进行拟合回归得到第一函数关系y1＝a1cosx1+b1；执行标准监测配方，已使用时间T后的抛光垫被修整器修整，对多个第二扭矩点值进行拟合回归得到第二函数关系y2＝a2cosx2+b2；计算a1与a2的差值，将差值与第一预设阈值进行比较，若差值小于第一预设阈值，则不用更换抛光垫，若差值大于等于第一预设阈值，则更换抛光垫；或，计算a1与a2的比值，将比值与第二预设阈值进行比较，若比值小于第二预设阈值，则不用更换抛光垫；若比值大于等于第二预设阈值，则更换抛光垫。抛光垫使用寿命监测更加准确。
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