公开(公告)号：CN118248606A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202410346215.2

申请日：2024-03-25

申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司

发明人： 王宝林 ,  李伟 ,  张博 ,  尹影 ,  李婷

IPC分类号： H01L21/677 ,  H01L21/683 ,  H01L21/67

摘要： 本发明提供了一种适于水中取放晶圆的装置，包括支架、水槽、储存机构以及吸附机构；所述水槽设置在所述支架的底部；所述水槽内开设有容纳腔，所述容纳腔中用于存放纯水；所述储存机构设置在所述容纳腔中，所述储存机构内适于存放晶圆；所述吸附机构设置在所述支架上，所述吸附机构适于将所述晶圆从所述储存机构和待抛光位进行取放。在本发明中，通过设置上述结构，能够使所述晶圆在抛光后暂时保存在所述水槽的循环水中，对所述晶圆进行保湿，同时能够清洗所述晶圆表面的抛光残留液，进而提高晶圆的质量；另外，由于抛光时间较长，待所有晶圆抛光后，整体取出进行清洗操作，进而提高了晶圆的制造效率。

公开(公告)号：CN117773767A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202311840007.X

申请日：2023-12-28

申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司

发明人： 何艳红 ,  赵光远 ,  李婷

IPC分类号： B24B37/10 ,  H01L21/306 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  B24B37/04 ,  B24B37/30 ,  B24B37/20 ,  B24B37/005 ,  B24B57/02 ,  B24B53/017 ,  B24B7/22

摘要： 本发明涉及半导体制造技术领域，公开了一种晶圆研磨方法、装置及设备，该方法包括：将待研磨晶圆吸附于研磨头，研磨头包括压力膜、内部支撑环和研磨护圈，待研磨晶圆包括同心设置的第一区域、第二区域和第三区域；在第一抛光垫上对待研磨晶圆进行第一研磨处理，以使第一区域的去除量达到预设去除量；将经过第一研磨处理的待研磨晶圆转移到第二抛光垫上，第二抛光垫的硬度小于第一抛光垫的硬度；在第二抛光垫上对经过第一研磨处理的待研磨晶圆进行第二研磨处理，以使第一区域、第二区域和第三区域的厚度相同，在第二研磨处理的过程中，第一下压力为常压状态。本发明能够改善晶圆边缘去除量较少的问题，从而达到晶圆研磨面的平坦化。

公开(公告)号：CN117637549A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311674939.1

申请日：2023-12-07

申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司

发明人： 董建强 ,  史霄 ,  张康 ,  李婷 ,  白云

IPC分类号： H01L21/67 ,  F26B25/00 ,  F26B25/02

摘要： 本发明提供一种基板干燥腔，属于超临界干燥设备技术领域，包括：干燥腔本体内部具有干燥室，干燥腔本体上设置与干燥室连通的进出口；密封件可开启地设置在干燥腔本体的进出口处，密封件与进出口之间设置有密封条；移动组件与密封件连接，移动组件用于驱动密封件相对进出口进行移动，从而封闭或开启进出口，移动组件具有横向驱动单元和纵向驱动单元；本发明中，通过设置移动组件的横向驱动单元和纵向驱动单元，在对进出口进行密封时，横向驱动单元能够驱动密封件移动从而解除与密封条的解除，进而保证了密封条始终密封在进出口位置，并通过纵向驱动单元能够使进出口的延伸方向没有进出障碍，更方便物品进出到干燥腔本体的内部。

公开(公告)号：CN117506730A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202311745415.7

申请日：2023-12-18

申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司

发明人： 郑宗浩 ,  李伟 ,  尹影 ,  李婷

IPC分类号： B24B53/017 ,  B24B53/12 ,  B24B37/34

摘要： 本发明提供一种修整头、研磨垫修整器及化学机械抛光系统，属于化学机械研磨技术领域，包括第一连接盘、第二连接盘和修整盘，第一连接盘为非刚性材料，第一连接盘的下表面与第二连接盘连接，第二连接盘的下表面与修整盘连接；第一连接盘的上表面的中心具有用于连接输出轴的第一安装结构，第一连接盘的四周具有用于连接第二连接盘的第二安装结构，第一连接盘在第一安装结构和第二安装结构之间具有可变形区域。本发明提供的研磨头，第一连接盘为非刚性材料及变形区域的设置，实现了对修整盘的万向调节，无需球面轴承便可实现调节，使得修整头可以适应研磨垫表面的波动，且装配要求低，安装简单，磨损较小，保证了修整头的修整精度。

公开(公告)号：CN116372775B

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202310197939.0

申请日：2023-03-01

申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司

发明人： 边润立 ,  尹影 ,  李婷 ,  庞浩 ,  司马超 ,  于然

IPC分类号： B24B29/02 ,  B24B41/047 ,  H01L21/304

摘要： 本发明公开了一种抛光头及具有其的晶圆抛光装置，该抛光头包括本体；弹性膜组件，设置在本体上，弹性膜组件包括相互嵌套设置的内膜和外膜，其中，内膜固定设置在本体的底壁上，内膜上形成有多个适于作用于晶圆中心区域的相互独立的压力腔室；外膜卡套在本体的外周侧，外膜包覆在内膜外，且与内膜之间设有缓冲间隙；在研磨过程中，内膜通过外膜将作用力施加在晶圆上。本发明通过设置由内膜和外膜相互嵌套构成的弹性膜组件，在研磨过程中，由于晶圆对抛光头的反作用力直接作用在外膜上而非内膜上，外膜相对本体在径向上发生形变或位移并不会直接导致内膜的形变或位移，因此可减小内膜的位移或变形、提高研磨面的平坦度和工艺效果。

公开(公告)号：CN117445017A

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202311451600.5

申请日：2023-11-02

申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司

发明人： 高俊 ,  黄坤 ,  李伟 ,  尹影 ,  李婷

IPC分类号： B25J15/00 ,  B25J11/00 ,  H01L21/677 ,  B08B13/00

摘要： 本发明涉及化学机械抛光技术领域，具体涉及一种晶圆夹持机械手。所述晶圆夹持机械手包括：基体；固定臂；伸缩臂；夹具，分别设于固定臂及伸缩臂上；夹具具有柱体与多个沿柱体的轴向间隔环绕于柱体外周的凸起；相邻凸起与所夹的部分柱体之间构成夹持单元，相配合并卡夹在晶圆的边缘处以固定晶圆位置；至少两个夹持单元相互独立设置，分别用于不同清洗工艺之间的晶圆卡夹传输。本发明提供的晶圆夹持机械手，单一机械手上具备多个相互独立的装夹位置，进而在清洗工序与清洗工序、清洗工序与干燥工序之间，分别采用不同的夹持单元，以将晶圆夹紧在不同的装夹位置处，提高成品晶圆的洁净度，并将多个机械手简化为单一机械手结构，一举两全，化繁为简。

公开(公告)号：CN117444839A

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202311704496.6

申请日：2023-12-12

申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司

发明人： 于然 ,  司马超 ,  尹影 ,  李婷 ,  庞浩 ,  边润立

IPC分类号： B24B37/30 ,  B24B37/32 ,  B24B37/10

摘要： 本发明公开了一种研磨头及化学机械抛光设备，应用于基板研磨工艺，研磨头包括：主体、边缘控制环、边缘保持组件、弹性连接件、承载件和法兰组件；弹性连接件的下表面、边缘控制环的上端面和主体的承载凸台的外周壁围合形成第一压力腔室，承载件的下表面、边缘控制环的上端面与弹性连接件的上表面围合形成第二压力腔室，法兰组件、承载件、弹性连接件和主体围合形成第三压力腔室；通过第一压力腔室对边缘控制环进行控制，通过第二压力腔室对边缘保持组件进行控制，从而避免了压力叠加，保证基板的受力均匀性，减小基板边缘的形变量，通过单独控制边缘控制环和边缘保持组件的压力，从而提高研磨头的结构稳定性，增加基板平面研磨平坦性。

公开(公告)号：CN117438342A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202311450996.1

申请日：2023-11-02

申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司

发明人： 董建强 ,  张康 ,  史霄 ,  李婷 ,  刘福强

IPC分类号： H01L21/67

摘要： 本实施例提供了一种超临界流体制造装置，属于晶圆清洗，包括气源、第一缓冲组件、第二缓冲组件和干燥组件。其中气源内储存并提供介质；第一缓冲组件与气源通过管道连接，第一缓冲组件适于消除液体介质内的脉动；第二缓冲组件与第一缓冲组件通过管路连接，第二缓冲组件适于消除液体介质内部的脉动；其中干燥组件与第二缓冲组件连接，干燥组件适于干燥介质。本方案中气源提供的介质会经过第一缓冲组件和第二缓冲组件，经过两次缓冲能够有效消除介质内的脉动，从而保证进入干燥室内的介质的稳定性。

公开(公告)号：CN116038552A

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN202310152463.9

申请日：2023-02-10

申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司

发明人： 庞浩 ,  李婷 ,  尹影 ,  边润立 ,  司马超

IPC分类号： B24B37/04 ,  B24B37/34 ,  B24B37/30

摘要： 本发明公开了一种抛光头和基板抛光装置及研磨方法，该抛光头包括：本体；吸附保持组件，固定设置在所述本体的底部中心位置，用于吸附基板，并将基板按压在抛光面上；边缘施力组件，设置在所述吸附保持组件的外周侧且位于所述本体的下方，所述边缘施力组件底壁适于按压在基板的周边区域，以调节基板的边缘区域受到的抛光压力。本发明中通过设置边缘施力组件可调节对基板边缘研磨量的控制；同时还设置有吸附保持组件，通过调节各通气槽和与其连通的各封闭吸附腔内的气压值，能够调节对基板中部位置的研磨量，从而提高基板表面的均匀性和一致性，达到高平坦化的目的。

公开(公告)号：CN118983219A

公开(公告)日：2024-11-19

申请号：CN202411045484.1

申请日：2024-07-31

申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司

发明人： 吴蕴霖 ,  詹阳 ,  李婷

IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L21/321 ,  H01L21/683 ,  B24B37/10 ,  B24B37/20 ,  B24B37/30 ,  B24B37/34 ,  B24B57/02

摘要： 本发明涉及一种晶圆吸附方法。晶圆吸附方法包括：控制所述抛光头和所述抛光盘停止转动，调节所述保持环的压力为第一压力，释放所述内部支撑环的压力和所述压力膜的压力至0psi；调节所述保持环的压力和所述内部支撑环的压力为第二压力，调节所述压力膜的压力为预设负压，所述抛光头开始吸附所述晶圆；释放所述保持环的压力并调节至所述预设负压，所述抛光头吸附所述晶圆抬起。本发明提供的晶圆吸附方法可以，提高晶圆被吸附的成功率，晶圆被吸附成功率高达100％，从而有效的提高设备的稳定性，进而提高工艺效率和产品良率。