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公开(公告)号：CN117614048A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311307341.9
申请日：2023-10-10
申请人： 北京智芯半导体科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
摘要： 本发明实施例提供一种电池保护板充电限流电路及充电限流方法，属于通信基站储备电应用技术领域。所述电路包括：功率变换单元，包括并联于充电器单元和电池单元之间的预设数量的BUCK电路；电流采样调理单元，用于实时采样每一BUCK电路的充电电流值传输至微控制单元；微控制单元，用于根据充电电流值和预设的充电限流设定值计算电流差值，基于电流差值和PI控制算法输出对应于每一BUCK电路的占空比调节信号传输至驱动单元；驱动单元，用于根据占空比调节信号驱动BUCK电路的MOS管，以控制BUCK电路的充电电流值处于预设电流范围。本发明适用于高容量电池组、高充电功率的使用场景，能够满足大容量电池单元的充电限流需求。
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公开(公告)号：CN118760334A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410975145.7
申请日：2024-07-19
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明提供一种带隙基准电压源电路和芯片，属于电路技术领域。电路包括：正温度系数电压产生电路，用于产生正温度系数电压；一阶带隙基准电压产生电路，与所述正温度系数电压产生电路电连接，用于产生负温度系数电压，以及基于所述正温度系数电压和负温度系数电压之和输出带隙基准电压；非线性项削减电路，用于产生偏置电流输入至所述一阶带隙基准电压产生电路，以削减所述负温度系数电压中非线性项的系数。本发明通过增加一个非线性项削减电路来产生偏置电流输入至一阶带隙基准电压产生电路，以削减所述负温度系数电压中非线性项的系数，实现对带隙基准电压源电路进行非线性项补偿，本发明实施例结构简单，电路实现成本较低。
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公开(公告)号：CN116937741A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310909198.4
申请日：2023-07-24
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种锂电池的浮充充电系统及方法，其中，浮充充电系统包括：主动均衡单元和控制单元，其中，主动均衡单元适于对锂电池进行均衡控制，控制单元与主动均衡单元相连，控制单元被配置为根据充电电源输出第一浮充电压，以对锂电池进行间歇充电，并在间歇期间，控制主动均衡单元对锂电池中待放电单元进行均衡放电，以输出第二浮充电压，第二浮充电压用于对锂电池进行回馈充电。该系统利用第一浮充电压对锂电池进行间歇充电，并在间歇期间，利用待放电单元的电能对锂电池进行回馈充电，降低浮充充电引起的电池的浓差极化和欧姆极化带来的影响，从而降低了浮充充电引起的活性锂离子损失。
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公开(公告)号：CN115034359A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210539888.0
申请日：2022-05-17
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司
摘要： 本发明涉及人工智能技术领域，且公开了一种神经网络的计算方法、装置、存储介质及芯片，其中方法包括：读取VLIW指令，VLIW指令包括SIMD扩展指令子集，SIMD扩展指令子集包括数据传输指令、数据转移指令和智能计算指令中的至少一种；响应于SIMD扩展指令子集中的所有指令，通过智能处理器并行执行相应的数据操作，以进行神经网络的智能计算。该方法可通过对SIMD扩展指令子集中的指令进行扩展，实现不同神经网络的适应性结构映射和数据流维护，同时采用VLIW和SIMD指令形式，能够提高指令级并行和数据级并行性能，从而既能获得执行效率，保障计算灵活性，又能降低计算能耗，提高计算能耗比。
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公开(公告)号：CN114564429A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202210129546.1
申请日：2022-02-11
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司
摘要： 本申请提供一种轻量级智能计算紧耦合结构和数据处理方法。轻量级智能计算紧耦合结构包括：内存、主处理器及协处理器。内存包括内核空间和用户空间，用户空间设有共享区；主处理器用于对输入数据进行预处理，以对输入数据进行格式转换；协处理器用于对格式转换后的输入数据进行智能加速运算，协处理器、内存及主处理器挂载在同一总线上，协处理器与主处理器通过共享区进行输入数据的访问，输入数据依次通过总线、内核空间传输至共享区。本申请的轻量级智能计算紧耦合结构和数据处理方法中，主处理器和协处理器形成紧耦合模式，提高数据的存取效率、减少访存能耗。
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公开(公告)号：CN116779605A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310777035.5
申请日：2023-06-28
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 浙江大学
IPC分类号： H01L27/02 , H01L29/06 , H01L21/8222
摘要： 本发明提供一种可控硅器件、可控硅器件制作方法、芯片及电路，属于半导体器件领域，该器件包括：衬底；第一阱区；第二阱区、第一注入区和第三阱区，沿衬底长度方向形成在第一阱区内；第二注入区和第三注入区，分别形成于第二阱区和第三阱区内；第四注入区和第五注入区，分别形成于第二注入区和第三注入区内；第一多晶硅层和第二多晶硅层，分别形成于第一注入区两侧的衬底表面；第一隔离槽和第二隔离槽，分别形成于第一注入区两侧；第四注入区和第一多晶硅层通过金属连线接入电学阳极，第五注入区和第二多晶硅层通过金属连线接入电学阴极。通过本发明提供的器件，能够提供更高的ESD保护能力，电流走向更为均匀，提高器件响应速度。
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公开(公告)号：CN115603587A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211327228.2
申请日：2022-10-27
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司(CN)
摘要： 本公开涉及集成电路技术领域，具体涉及一种低EMI的变换器电路、电子装置、芯片及电力传输系统，所述低EMI的变换器电路包括：输入侧电路、负载侧电路和高频变压器，所述高频变压器的初级绕组连接于所述输入侧电路的输出端，所述高频变压器的次级绕组连接于所述负载侧电路的输入端；其中，所述输入侧电路包括隔离电源输入电路；所述高频变压器包括平板变压器，所述平板变压器中间包括两层由金属构成的屏蔽板，提高了电路的抗电磁干扰能力。
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公开(公告)号：CN118097585A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410057543.0
申请日：2024-01-15
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司
IPC分类号： G06V20/56 , G06V10/774 , G06V10/764 , G06V10/40 , G06N5/01
摘要： 本发明公开了一种农机传感器的编码方法、装置以及存储介质、芯片设备，编码方法包括：获取多个农机传感器的采集数据，并对采集数据进行特征提取，得到各农机传感器的特征量；基于特征量构建决策树，并根据所构建的决策树确定各农机传感器的对象类目；确定各农机传感器的用户标识和自定义对象个体编码，并根据用户标识、对象类目和自定义对象个体编码，得到各农机传感器的工业互联网标识码。该编码方法将MA标识体系引入农机作业传感器身份编码与标识，可实现工业互联网级的农机作业载荷资源管理与调度，推动农机数字化、网络化、智能化转型。
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公开(公告)号：CN117251407A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202311198940.1
申请日：2023-09-15
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司
IPC分类号： G06F15/173 , G06F15/177 , G06F15/78 , G06F9/50 , G01M17/007
摘要： 本发明公开了一种拖拉机载荷信息处理单元的架构及芯片、测试系统，架构包括：AI处理引擎、IP处理单元、DSP处理引擎和异构处理器，AI处理引擎、IP处理单元、DSP处理引擎和异构处理器间通过片内互联网络进行通信，其中，AI处理引擎用于处理拖拉机的图像类数据信息；IP处理单元用于处理拖拉机的信号类数据信息；DSP处理引擎用于处理拖拉机的轮胎载荷数据信息；异构处理器用于获取和分发图像类数据信息、信号类数据信息和轮胎载荷数据信息至AI处理引擎、IP处理单元和DSP处理引擎，并获取AI处理引擎、IP处理单元和DSP处理引擎对相应数据信息的处理结果，以便基于处理结果统筹管理。该架构能实现对载荷信息的并行计算，从而提高处理单元的信息处理效率。
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公开(公告)号：CN115603587B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202211327228.2
申请日：2022-10-27
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司
摘要： 本公开涉及集成电路技术领域，具体涉及一种低EMI的变换器电路、电子装置、芯片及电力传输系统，所述低EMI的变换器电路包括：输入侧电路、负载侧电路和高频变压器，所述高频变压器的初级绕组连接于所述输入侧电路的输出端，所述高频变压器的次级绕组连接于所述负载侧电路的输入端；其中，所述输入侧电路包括隔离电源输入电路；所述高频变压器包括平板变压器，所述平板变压器中间包括两层由金属构成的屏蔽板，提高了电路的抗电磁干扰能力。
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