-
公开(公告)号：CN117614048A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311307341.9
申请日：2023-10-10
Applicant: 北京智芯半导体科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本发明实施例提供一种电池保护板充电限流电路及充电限流方法，属于通信基站储备电应用技术领域。所述电路包括：功率变换单元，包括并联于充电器单元和电池单元之间的预设数量的BUCK电路；电流采样调理单元，用于实时采样每一BUCK电路的充电电流值传输至微控制单元；微控制单元，用于根据充电电流值和预设的充电限流设定值计算电流差值，基于电流差值和PI控制算法输出对应于每一BUCK电路的占空比调节信号传输至驱动单元；驱动单元，用于根据占空比调节信号驱动BUCK电路的MOS管，以控制BUCK电路的充电电流值处于预设电流范围。本发明适用于高容量电池组、高充电功率的使用场景，能够满足大容量电池单元的充电限流需求。
-
公开(公告)号：CN119473707A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411243693.7
申请日：2024-09-05
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 西北工业大学
Abstract: 本申请公开了一种处理器的故障处理方法、芯片、故障处理装置、容错系统、电子设备及存储介质。故障处理方法包括：在由第一时段切换至第二时段的第一时刻，获取处理器在第一时段内对存储器执行的第一访问请求，处理器在第一时段内处于第一状态，处理器在第二时段内处于第二状态；确定第一访问请求执行读取请求和写入请求的先后顺序；在第一访问请求先执行读取请求后执行写入请求的情况下，读取第一数据，以使处理器再次执行第一访问请求的读取请求，第一数据为处理器第一时段内读取的数据。故障处理方法在确定处理器存在读后写访存冲突的风险较高的情况下，处理器可以读取第一数据，解决了在处理器出现的读后写访存冲突的技术问题。
-
公开(公告)号：CN116779605A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310777035.5
申请日：2023-06-28
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 浙江大学
IPC: H01L27/02 , H01L29/06 , H01L21/8222
Abstract: 本发明提供一种可控硅器件、可控硅器件制作方法、芯片及电路，属于半导体器件领域，该器件包括：衬底；第一阱区；第二阱区、第一注入区和第三阱区，沿衬底长度方向形成在第一阱区内；第二注入区和第三注入区，分别形成于第二阱区和第三阱区内；第四注入区和第五注入区，分别形成于第二注入区和第三注入区内；第一多晶硅层和第二多晶硅层，分别形成于第一注入区两侧的衬底表面；第一隔离槽和第二隔离槽，分别形成于第一注入区两侧；第四注入区和第一多晶硅层通过金属连线接入电学阳极，第五注入区和第二多晶硅层通过金属连线接入电学阴极。通过本发明提供的器件，能够提供更高的ESD保护能力，电流走向更为均匀，提高器件响应速度。
-
公开(公告)号：CN115603587A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211327228.2
申请日：2022-10-27
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司(CN)
Abstract: 本公开涉及集成电路技术领域，具体涉及一种低EMI的变换器电路、电子装置、芯片及电力传输系统，所述低EMI的变换器电路包括：输入侧电路、负载侧电路和高频变压器，所述高频变压器的初级绕组连接于所述输入侧电路的输出端，所述高频变压器的次级绕组连接于所述负载侧电路的输入端；其中，所述输入侧电路包括隔离电源输入电路；所述高频变压器包括平板变压器，所述平板变压器中间包括两层由金属构成的屏蔽板，提高了电路的抗电磁干扰能力。
-
公开(公告)号：CN118760334A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410975145.7
申请日：2024-07-19
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明提供一种带隙基准电压源电路和芯片，属于电路技术领域。电路包括：正温度系数电压产生电路，用于产生正温度系数电压；一阶带隙基准电压产生电路，与所述正温度系数电压产生电路电连接，用于产生负温度系数电压，以及基于所述正温度系数电压和负温度系数电压之和输出带隙基准电压；非线性项削减电路，用于产生偏置电流输入至所述一阶带隙基准电压产生电路，以削减所述负温度系数电压中非线性项的系数。本发明通过增加一个非线性项削减电路来产生偏置电流输入至一阶带隙基准电压产生电路，以削减所述负温度系数电压中非线性项的系数，实现对带隙基准电压源电路进行非线性项补偿，本发明实施例结构简单，电路实现成本较低。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116937741A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310909198.4
申请日：2023-07-24
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种锂电池的浮充充电系统及方法，其中，浮充充电系统包括：主动均衡单元和控制单元，其中，主动均衡单元适于对锂电池进行均衡控制，控制单元与主动均衡单元相连，控制单元被配置为根据充电电源输出第一浮充电压，以对锂电池进行间歇充电，并在间歇期间，控制主动均衡单元对锂电池中待放电单元进行均衡放电，以输出第二浮充电压，第二浮充电压用于对锂电池进行回馈充电。该系统利用第一浮充电压对锂电池进行间歇充电，并在间歇期间，利用待放电单元的电能对锂电池进行回馈充电，降低浮充充电引起的电池的浓差极化和欧姆极化带来的影响，从而降低了浮充充电引起的活性锂离子损失。
-
公开(公告)号：CN115034359A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210539888.0
申请日：2022-05-17
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本发明涉及人工智能技术领域，且公开了一种神经网络的计算方法、装置、存储介质及芯片，其中方法包括：读取VLIW指令，VLIW指令包括SIMD扩展指令子集，SIMD扩展指令子集包括数据传输指令、数据转移指令和智能计算指令中的至少一种；响应于SIMD扩展指令子集中的所有指令，通过智能处理器并行执行相应的数据操作，以进行神经网络的智能计算。该方法可通过对SIMD扩展指令子集中的指令进行扩展，实现不同神经网络的适应性结构映射和数据流维护，同时采用VLIW和SIMD指令形式，能够提高指令级并行和数据级并行性能，从而既能获得执行效率，保障计算灵活性，又能降低计算能耗，提高计算能耗比。
-
公开(公告)号：CN114564429A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202210129546.1
申请日：2022-02-11
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本申请提供一种轻量级智能计算紧耦合结构和数据处理方法。轻量级智能计算紧耦合结构包括：内存、主处理器及协处理器。内存包括内核空间和用户空间，用户空间设有共享区；主处理器用于对输入数据进行预处理，以对输入数据进行格式转换；协处理器用于对格式转换后的输入数据进行智能加速运算，协处理器、内存及主处理器挂载在同一总线上，协处理器与主处理器通过共享区进行输入数据的访问，输入数据依次通过总线、内核空间传输至共享区。本申请的轻量级智能计算紧耦合结构和数据处理方法中，主处理器和协处理器形成紧耦合模式，提高数据的存取效率、减少访存能耗。
-
公开(公告)号：CN118449513A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410704148.7
申请日：2024-06-03
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: H03K19/094 , H03K19/00 , H03K19/0185
Abstract: 本公开涉及芯片技术领域，具体涉及公开了一种发射电路、数字隔离器及芯片，该发射电路包括：唤醒电路，该唤醒电路的第一输入端连接稳压器的输出端，唤醒电路的第二输入端接入发射电路的输入信号；唤醒电路的电路输出端连接高频振荡器，电平移位电路和调制器，用于在检测到发射电路的输入信号为高电平时，生成窄脉冲信号，将窄脉冲信号与稳压器输出的稳压信号叠加生成叠加信号，并用叠加信号为高频振荡器，电平移位电路和调制器供电，使得进入调制器的待调制信号仅在由低电平变高电平的极短时间内增大，随后恢复为正常的高电平信号。该技术方案既维持了发射电路整体的功耗相对较低，又提升了发射电路的响应速度，减小信号传输延时。
-
公开(公告)号：CN108376052B
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN201711340544.2
申请日：2017-12-14
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司 , 国网宁夏电力有限公司电力科学研究院
IPC: G06F3/06
Abstract: 本发明涉及一种安全芯片的数据处理方法及装置，包括：获取写操作请求，写操作请求中包括写操作请求的请求标识以及与写操作请求对应的写入数据的实际存储地址；根据写操作请求的请求标识将与写操作请求对应的写入数据存储至第一存储区中，设置恢复标识，根据写入数据的实际存储地址将第一存储区中存储的写入数据存储至第二存储区中，清除恢复标识。本发明提供的安全芯片的数据处理方法，在写入数据未存储至第二存储区和已经存储至第二存储区时分别进行处理，实现了异常状况下，对安全芯片中关键数据的保护，提高了安全芯片的可靠性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
20
records
(took 0.077 seconds)
